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[发明专利]使用一次可程式化元件达到多次程式化的装置与方法-CN200410086990.1有效
发明人：徐世斌 -专利权人：联咏科技股份有限公司
申请日： 2004-10-27 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明是关于一种使用一次可程式化元件达到多次程式化的装置与方法，一种使用一次可程式化元件达到多次可程式化的装置与方法，此装置包括：选择装置、第一调整用OTP元件、第二调整用OTP元件、以及判断装置。判断装置根据第二调整用OTP元件是否已被程式化，来输出选取讯号，选择装置根据选取讯号在第一调整用OTP元件所输出的第一OTP讯号与第二调整用OTP元件所输出的第二OTP讯号二者择一输出。通过此装置与方法可以解决一次可程式化元件一经写入便无法修改，而多次可程式化元件成本又太高的缺失。
使用一次程式化元件达到多次装置方法

[发明专利]后CMP成孔剂烧蚀方法-CN200380108371.1无效
发明人： C·诚宋;M·G·斯蒂芬;C·H·杰弗里;M·凯利;N·萨蒂亚纳拉亚纳;S·T·克里斯蒂 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2003-10-09 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于形成集成电路结构的方法和结构，其形成包括逻辑和功能器件的至少一个第一层(120)，以及在第一层上形成至少一个互连层。互连层适合于在逻辑和功能器件之间形成电连接。通过首先形成介质层(122)制造互连层。介质层(122)包括第一材料和第二材料，其中第二材料在制造环境条件下(例如，下面论述的处理条件)不如第一材料稳定。“第二材料”包括成孔剂，以及“第一材料”包括基质聚合物。然后本发明在介质层(122)中形成导电部件(124，126)，以及从介质层(例如，通过加热)除去第二材料，以在设置第二材料的互连层中产生气穴。
cmp 成孔剂烧蚀方法

[发明专利]具有防光冲击保护的电子存储部件-CN200380103734.2有效
发明人： M·瓦纳;J·加贝 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2003-11-13 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：为了进一步开发包含至少一个存储单元矩阵(10)的电子存储部件(100或100′)，所述存储单元矩阵嵌入和/或进入至少一个掺杂的接收衬底(20)中，使得能够直接检测到或立即感测到所谓的光冲击形式的光入射而没有停滞时间，本发明提出了接收衬底(20)至少部分并且/或者在其远离存储单元矩阵(10)的表面的至少一个上被至少一个顶/保护衬底(30)覆盖和/或包围，所述顶/保护衬底(30)与接收衬底(20)的掺杂相反，以及所述衬底(20或30)中的至少一个(例如，接收衬底(20)和/或尤其是顶/保护衬底(30))与至少一个电路装置(分别是24或34)接触(12a或12b)或连接(32)，用于检测由光入射产生的电荷载流子引起的电压或电流。
具有冲击保护电子存储部件

[发明专利]具有电容元件的晶片结构及电容元件形成于晶片上方法-CN200410045976.7有效
发明人：林茂雄 -专利权人：米辑科技股份有限公司
申请日： 2004-05-27 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：一种电容元件形成于晶片上的方法，首先要提供一晶片及一已预先制作完成的电容元件，接着要将此电容元件利用表面黏着的技术接合于晶片上，并与晶片电性连接，而此电容元件可以经过由打线制程所形成的打线导线与外界电性连接。
具有电容元件晶片结构形成方法

[发明专利]芯片的保护装置与相关方法-CN200410046526.X无效
发明人：黄祯治;叶达勋 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2004-06-01 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：一种保护装置，位于一芯片内，该装置包括有：一解码电路，解码该密码，并输出一解码信号；以及一保密电路，电连接该解码电路，并依据该解码信号输出一启用信号，该集成电路依据该启用信号实现应有的特性，藉此保护装置达到防止芯片复制的目的。
芯片保护装置相关方法

[发明专利]储存及设定微电子电路电路状态的方法及装置-CN200510006168.4无效
发明人： J·伯托尔德 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2005-01-31 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明揭露了一种用于储存及/或设定微电子电路电路状态的方法及装置(1)，其中该装置乃包含了至少一扫描链(14；14a－c)以测试该电路(2)。在此连接态中，该至少一扫描链(14；14a－c)乃用以储存及/或设定该电路状态，因而不需要扩充电路(2)。
储存设定微电子电路状态方法装置

[实用新型]防GLITCH攻击电路-CN200320108036.9无效
发明人：肖高飞 -专利权人：上海华虹集成电路有限责任公司
申请日： 2003-11-14 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种在集成电路中防GLITCH(短时脉冲干扰)攻击电路。防GLITCH攻击电路主要是利用RC(阻容)滤波电路对信号中的高频GLITCH进行滤除，再通过各种补偿，使有用信号能有效地为系统利用。本电路有效地保证了输入信号的数据安全，防止了高频的GLITCH对电路的攻击。
glitch 攻击电路

[发明专利]用于为电子电路制作复制保护的方法以及相应元件-CN03808569.0无效
发明人：迪特里希·蒙德;于尔根·莱布 -专利权人：肖特股份公司
申请日： 2003-04-15 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于为集成电路制作复制保护的方法。本发明的目的是提供一种有效和可靠的复制保护，以便防止集成电路的未授权复制。为此，本发明提供的方法包括以下步骤：提供基片(1)，至少在基片(1)的第一侧(1a)上具有半导体结构(2)；提供用于涂敷基片(1)的材料；以及，用复制保护层(4)涂敷基片(1)。已经证实通过汽相淀积硅酸盐玻璃而制作复制保护层(4)是有利的，使得除去复制保护层的蚀刻方法也对基片(1)起作用，从而至少部分地毁坏半导体结构(2)。
用于电子电路制作复制保护方法以及相应元件

[发明专利]集成电路芯片结构-CN200310122685.9有效
发明人：胡晓龙;施文广;沈今楷;唐迪兰;李健文 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2003-12-24 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路芯片结构，在芯片周围的划片槽中设置金属天线。所述芯片周围划片槽中的金属天线为多层，通过接触孔插塞与硅晶片衬底实现电连接。本发明从等离子损害发生的机制出发，通过在芯片周围的划片槽中设置金属天线，减小了半导体器件后道制程中由于等离子体不均匀带来的硅晶片表面的电势不均匀，同时金属天线的存在使得硅晶片衬底的电势得以调整，从而使芯片中介电层的电场强度大大降低，达到有效降低等离子损害的目的。本发明金属天线不占用有效芯片面积、实施方便，结构简单，不会增加掩膜版设计的难度。
集成电路芯片结构

[发明专利]集成电路芯片-CN200310118837.8有效
发明人：陈升祐 -专利权人：络达科技股份有限公司
申请日： 2003-11-28 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：一种集成电路芯片，包括一硅基板、至少一电路、一固定封环、一接地环及至少一防护环。电路形成于硅基板上，电路具有至少一输出/输入垫。固定封环形成于硅基板上，并围绕电路及输出/输入垫。接地环形成于硅基板及输出/输入垫之间，并与固定封环电连接。防护环设置于硅基板之上，并围绕输出/输入垫，用以与固定封环电连接。
集成电路芯片

[发明专利]具有保护电路的半导体器件-CN200410085864.4无效
发明人：本庄敦;平冈孝之 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-11-05 - 公布日： 2005-05-11 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明揭示一种具有保护半导体集成电路免受静电放电击穿用的保护电路的半导体器件。其中，所述保护电路具有检测所述静电放电的检测电路、根据所述检测电路的输出产生触发信号的触发电路、具有发射极连接所述半导体器件的第1端子的PNP晶体管和发射极连接所述半导体的第2端子又在集电极连接所述PNP晶体管的基极的NPN晶体管并且由来自所述触发电路的触发信号启动的闸流管部、以及连接在所述PNP晶体管与所述NPN晶体管之间并且根据所述检测电路的输出进行控制的开关元件。
具有保护电路半导体器件

[发明专利]半导体器件、卡，初始化、检验其真实性和身份的方法-CN02823591.6有效
发明人： P·E·德乔赫;E·罗克斯;R·A·M·沃特斯;H·L·皮克 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2002-11-28 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明的半导体器件(11)包括由钝化结构覆盖的电路。其设置有包括钝化结构的局部区域且具有第一阻抗的第一安全元件(12)。优选地，存在多个安全元件(12)，它们的阻抗不同。半导体器件(11)还包括用于测量第一阻抗实际值的测量装置(4)和包括第一存储元件(7A)的用于将实际值作为第一参考值存储在第一存储元件(7A)中的存储器(7)。通过一种方法可以初始化本发明的半导体器件(11)，在该方法中将实际值作为第一参考值存储。通过比较再次测量的实际值与第一参考值来检验其真实性。
半导体器件初始化检验真实性身份方法

[发明专利]半导体器件,卡,系统以及初始化和检验半导体器件的真实性和身份的方法-CN02823598.3有效
发明人： P·E·德乔赫;E·罗克斯;R·A·M·沃特斯;H·L·皮克 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2002-11-28 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明的半导体器件包括一种由钝化结构(50)覆盖的电路。半导体器件设置有包括钝化结构(50)的局部区域的第一和第二安全元件(12A，12B)，并设置有第一和第二电极。安全元件(12A，12B)分别具有阻抗彼此不同的第一和第二阻抗。因为钝化结构具有在该电路之上横向变化的有效介电常数，由此实现本发明的半导体器件。通过测量装置测量阻抗的实际值并通过传送装置将阻抗的实际值转送到存取器件。存取器件包括或有权访问存储阻抗的中央数据库器件。而且，存取器件还可以用存储的阻抗值与实际值比较，以检验半导体器件的真实性或身份。
半导体器件系统以及初始化检验真实性身份方法

[发明专利]包括电源及电源保护装置的微型或纳米电子器件-CN02820965.6无效
发明人：让·布龙;拉费尔·萨洛特;海伦·鲁奥特;吉勒斯·波庞 -专利权人：原子能委员会
申请日： 2002-10-21 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种器件，其包括密封的腔体(9)，其中设置有由微电池或微超级电容构成的未保护电源。任何环境大气进入该密封腔体中的渗入由于氧化而造成该电源的损坏，由此使得该器件无法工作。腔体(9)可以处于真空下或者填充有惰性气体。压力传感器设置在腔体内并且探测腔体内压力变化以便当压力变化超过预定阈值时使该器件无法工作。腔体(9)可以采用盖子(10)封闭或者填充有由硅树脂、热固性树脂、聚合物、可熔玻璃或者选自铟、锡、铅或它们的合金中的金属构成的填充材料。
包括电源保护装置微型纳米电子器件

[发明专利]制造集成电路的方法、该方法获得的集成电路、提供有该方法获得的集成电路的晶片和包括由该方法获得的集成电路的系统-CN02819001.7无效
发明人： A·P·M·范阿伦当克;E·罗克斯;A·J·米罗普 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2002-09-17 - 公布日： 2004-12-29 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明涉及在管芯(402)上制造集成电路(404)的方法，其中管芯(402)形成包括多个通过划片通道(403)相互分离的管芯的晶片(401)的可分离部分。本方法包含下述步骤，即在至少其中一个划片通道(403)上施加金属化图形(407)，以形成包含至少一个作为集成电路(404)的一部分的通信总线电路(405)的通信总线。在紧接的下一步骤中，集成电路(404)依据预定的测试方法进行测试，该测试方法使用通信总线电路(405)与集成电路(404)通信。在接下来的步骤中，管芯(402)被从晶片(401)上分离。通信总线电路(405)被设计为在晶片测试模式以及功能性模式下都可以通信。在集成电路(404)的测试过程中，它在晶片测试模式下通信。本发明还涉及利用该制造方法获得的集成电路(404)，包含利用该制造方法获得的集成电路(404)的晶片(401)，以及包含利用该制造方法获得的集成电路(404)的系统。
制造集成电路方法获得提供晶片包括系统