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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种新型的分形图案接地屏蔽结构-CN201220317490.4有效
发明人：孙玲玲;刘军;赵倩 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型的分形图案接地屏蔽结构，应用于射频集成电路，其特征在于：该分形图案接地屏蔽结构位于线圈绕成的电感或变压器的中心部分，采用底层的薄金属层，利用分形理论在基本图形单元的基础上，构造多阶的图案接地屏蔽层，采用上述结构后使得工作频率提高，并可增加慢波因子，使得波走的比较慢，缩小电路布局所需要的面积。
一种新型图案接地屏蔽结构

[实用新型]一种新型的分形PGS结构-CN201220317662.8有效
发明人：刘军;赵倩 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型的分形PGS结构。现有的片上螺旋电感、变压器由于产生交变的电磁场，会在衬底引起感应电流，产生能量损耗，降低了电感值和Q值。本实用新型的PGS位于线圈绕成的电感/变压器的中心部分，采用底层薄的金属层，通过分形理论的自相似和迭代原理在H形的基本单元和十字形的基本单元的基础上，构造一阶、二阶、三阶、甚至更高阶的图案接地屏蔽层。本实用新型有效的屏蔽掉渗透到衬底的电磁场，降低可在衬底和衬底表面区域产生的感应电流，达到降低衬底能量损耗和提高了电感值和品质因数的作用。
一种新型 pgs 结构

[发明专利]一种高压及功率器件场限环的新型保护环-CN201110121400.4无效
发明人：郭林 -专利权人：重庆万道光电科技有限公司
申请日： 2011-05-10 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本专利公开的一种高压及功率器件场限环的新型保护环，是为了克服微电子领域功率器件设计、生产中常用的场限环技术存在的潜在可靠性隐患而专门设计和制作的。所述高压及功率器件场限环的新型保护环，就是在常规场限环的不同位置，规则的(等距的)或随机的(不等距)设置割断点，使原来连续的保护环成为一段一段的非连续环。规则的或随机的割断点尺寸要控制得比较小，其基本的要求就是要保证割断下面的衬底是耗尽的，这样才能保持原来环的保护功能。为了获得更高的保护电压，非连续的新型保护环可以做成二环，三环甚至多环的结构。在多环结构的情况下，无论保护环割断的设计是规则的或是随机的，两个环之间的割断点必须是错开的，不能够出现并行排列的情况。
一种高压功率器件场限环新型保护环

[发明专利]用于防止光攻击的保护电路的半导体器件以及运行方法-CN201210117246.8有效
发明人： T.屈内蒙德;D.蒂申多夫;U.维德 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：用于防止光攻击的保护电路的半导体器件以及运行方法。具有半导体衬底20的半导体器件100，其中在该半导体衬底20中构造具有沟槽接线端子5的经掺杂的沟槽10和具有至少一个电势接线端子35的晶体管结构30，其中所述晶体管结构30具有寄生晶闸管40并且至少部分布置在经掺杂的沟槽10中，其中所述电势接线端子35和所述沟槽接线端子5通过电阻R连接。
用于防止攻击保护电路半导体器件以及运行方法

[发明专利]晶片结构和制造晶片结构的方法-CN201210111832.1有效
发明人：乔治·迈尔-伯格 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2012-04-16 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：在不同的实施例中，可提供晶片结构。所述晶片结构可包括晶片、至少一个接合盘、将所述晶片和所述至少一个接合盘电连接的至少一个重新分布轨以及至少一个感应器，其包围所述至少一个接合盘和所述至少一个重新分布轨。
晶片结构制造方法

[发明专利]新型的分形PGS结构-CN201210227598.9有效
发明人：刘军;赵倩 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种应用分形理论的PGS结构。现有的片上螺旋电感、变压器由于产生交变的电磁场，会在衬底引起感应电流，产生能量损耗，降低了电感值和Q值。本发明的PGS位于线圈绕成的电感/变压器的中心部分，采用底层薄的金属层，通过分形理论的自相似和迭代原理在H形的基本单元和十字形的基本单元的基础上，构造一阶、二阶、三阶、甚至更高阶的图案接地屏蔽层。本发明有效的屏蔽掉渗透到衬底的电磁场，降低可在衬底和衬底表面区域产生的感应电流，达到降低衬底能量损耗和提高了电感值和品质因数的作用。
新型 pgs 结构

[发明专利]用于高效功率电路的电子器件和部件-CN201180005676.4有效
发明人：吴毅锋 -专利权人：特兰斯夫公司
申请日： 2011-01-07 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：一种电子部件包括：封装在单个封装体中的III-N晶体管以及III-N整流器件。III-N晶体管的栅极电极电连接到单个封装体的第一引脚或电连接到单个封装体的导电结构部分，III-N晶体管的漏极电极电连接到单个封装体的第二引脚并且电连接到III-N整流器件的第一电极，并且III-N整流器件的第二电极电连接到单个封装体的第三引脚。
用于高效功率电路电子器件部件

[发明专利]半导体发光二极管芯片、其制造方法及其质量控制方法-CN201210071635.1无效
发明人：宋永僖;洪性在;黄圣德 -专利权人：三星LED株式会社
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明提供了半导体发光二极管芯片、制造半导体发光二极管芯片的方法以及使用该半导体发光二极管芯片进行质量控制的方法。半导体发光二极管芯片包括基板；形成在基板的一个区域中的发光二极管；以及在基板的其它区域中被形成为与发光二级管电绝缘的至少一个熔丝签名电路。熔丝签名电路包括具有与基于晶片的工艺信息相对应的特有的电气特性值的电路单元；以及连接至电路单元的多个电极垫。半导体发光二极管芯片可包括表示信息的芯片信息标记。
半导体发光二极管芯片制造方法及其质量控制

[发明专利]具有裂纹阻断件的器件-CN201080051699.4无效
发明人：范·艾伦·米克茨克斯基;丹尼尔·詹姆斯·纳米希亚 -专利权人：科锐公司
申请日： 2010-11-12 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：一种装置，包括基底上的器件和基底内的裂纹阻断件。还公开一种形成装置的方法。该方法可包含在具有第一厚度的基底上提供诸如半导体器件的器件，使基底的厚度减少到第二厚度，以及在基底内提供裂纹阻断件。减少基底的厚度可包含将该基底安装到用于支持作用的载体基底上，然后去除该载体基底。裂纹阻断件可阻止裂纹到达器件。
具有裂纹阻断器件

[实用新型]多层保护的玻璃钝化芯片-CN201120562663.4有效
发明人：邓华鲜;孙晓家 -专利权人：乐山嘉洋科技发展有限公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多层保护的玻璃钝化芯片，包括半导体基片、半导体基片上的P+层、N+层和玻璃钝化层，所述半导体基片的腐蚀沟槽内设置有含氧多晶硅保护层和氮化硅保护层，所述含氧多晶硅保护层位于腐蚀沟槽表面上，氮化硅保护层位于含氧多晶硅保护层与玻璃钝化层之间。本实用新型可提高芯片抗反向电压冲击能力，提高成品寿命及可靠性。
多层保护玻璃钝化芯片

[发明专利]半导体装置-CN201210115089.7有效
发明人：楠茂 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2009-07-13 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明提供能够无需扩大具有IGBT或功率MOSFET等的功率器件的半导体装置的耐压保持区域而有效进行耐压保持并且无需进行功率器件的高电阻化而充分提高短路耐量的半导体装置。所述半导体装置的特征在于具备：形成在具有半导体层的半导体衬底上的功率器件；以包围该功率器件的方式形成在该半导体衬底上的多个保护环；以及对该多个保护环中越靠外周侧的保护环施加越高的电压的电压施加部件。
半导体装置

[发明专利]集成电路和其制作方法-CN201110332895.5有效
发明人：陈重辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-10-27 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：一种集成电路，包括：信号线，在第一方向上布线；第一屏蔽图案，设置为与信号线基本平行，第一屏蔽图案具有：具有第一尺寸的第一边缘和具有第二尺寸的第二边缘，第一边缘与信号线基本平行，第一尺寸大于第二尺寸；以及第二屏蔽图案，设置为与信号线基本平行，第二屏蔽图案具有：具有第三尺寸的第三边缘和具有第四尺寸的第四边缘，第三边缘与信号线基本平行，第三尺寸大于第四尺寸，第四边缘面对第二边缘，在第二边缘和第四边缘之间有第一间隔。
集成电路制作方法

[发明专利]功率半导体组件的终端结构及其制作方法-CN201110272130.7有效
发明人：戴嵩山;蔡宏圣 -专利权人：大中积体电路股份有限公司
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体组件的终端结构及其制作方法。功率半导体组件具有一主动区以及一终端区，且终端区围绕主动区，而终端结构设于终端区内。终端结构包括一半导体基底、一绝缘层以及一金属层。半导体基底具有位于终端区内的一沟槽。绝缘层部分填充于沟槽并覆盖于半导体基底上，且绝缘层的上表面具有一凹洞。金属层设于绝缘层上，且填满凹洞。
功率半导体组件终端结构及其制作方法

[发明专利]射频单芯片系统中的屏蔽环结构-CN201010517834.1无效
发明人：周正良 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-10-25 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频单芯片系统中的屏蔽环结构；屏蔽环从第一层金属开始，连接金属层间通孔和各金属层，直到顶层金属；屏蔽环通过一个NPN和PNP管的基区和集电区连接到基板上；所述NPN和PNP管的发射极连接到射频接地端。本发明可以在晶片的工艺流程中，有一个与基板的连接，从而避免由于电荷积累引起的等离子体弧形放电而造成整个芯片的损坏。另一方面，由于屏蔽环连在三极管上，在电路应用过程中，当感应电压或感应电流较大时，可通过三极管的基极和集电极直接接到发射极并由射频地流走，避免了在基板上形成较大的感生电压或电流而对电路的正常工作造成影响。
射频芯片系统中的屏蔽结构

[发明专利]涂覆聚硅氧烷的发光二极管-CN201080018031.X无效
发明人： R·J·诺兰;J·D·老哈曼 -专利权人：萨特-R-盾公司
申请日： 2010-04-21 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：聚硅氧烷涂覆的发光二极管及制造该聚硅氧烷涂覆的发光二极管的方法。
涂覆聚硅氧烷发光二极管

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