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[实用新型]一种集成电路芯片及线路板-CN202020017255.X有效
发明人：吕青柏;姜飞;陈万兴;沈振天 -专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本实用新型实施例涉及半导体封装技术领域，公开了一种集成电路芯片和线路板。集成电路芯片包括基板、集成电路、多条引线和多个安装引脚；集成电路设置在基板上；集成电路包括多个电极，电极通过引线与安装引脚一一对应电连接，还包括：多个导电结构和多个测试衬垫，测试衬垫通过导电结构与电极一一对应电连接；封装层，覆盖引线、集成电路以及至少部分导电结构，裸露出测试衬垫和安装引脚；测试衬垫和安装引脚分别位于封装层的相对两侧；保护层，覆盖测试衬垫。本实用新型实施例提供的技术方案可以准确测得集成电路芯片的安装引脚上的信号。
一种集成电路芯片线路板

[发明专利]包括受保护的后表面的电子芯片-CN201610249242.3有效
发明人：让·沙博尼耶;斯特凡·博雷尔 -专利权人：原子能和替代能源委员会
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：一种电子芯片(100)，至少包括：被布置于基底(102)的前表面(104)处的电子电路(106)；被布置于基底的后表面(117)上的第一保护层(120)；被布置于所述第一保护层上并且朝向电子电路的至少一个部件(110)上的电阻元件(122)，该电阻元件(122)由第一保护层进行机械支撑并且被电连接和/或感应连接至电子电路；至少覆盖所述电阻元件的第二保护层(126)；并且其中，第一保护层至少包括一种介电材料，该介电材料对于至少一种化学蚀刻剂的耐化学蚀刻性小于或等于所述第二保护层的介电材料对于所述至少一种化学蚀刻剂的耐化学蚀刻性。
包括保护表面电子芯片

[发明专利]一种图像传感器结构-CN202010107813.6在审
发明人：范春晖;王玮 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器结构，包括：衬底，设于所述衬底上的浅槽隔离区，依次位于所述浅槽隔离区之间的光电二极管、传输晶体管和浮置扩散区；其中，靠近所述光电二极管一侧的所述浅槽隔离区的表面上设有电极，所述电极的边界位于所述浅槽隔离区的边界以内。本发明可抑制靠近浅槽隔离区表面的衬底硅中电子的产生，有效降低浅槽隔离区的暗电流来源。
一种图像传感器结构

[实用新型]带有外置线路的集成电路芯片-CN201922179392.3有效
发明人：张雯蕾 -专利权人：合肥镭士客微电路有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：一种带有外置线路的集成电路芯片，涉及电子器件技术领域，所解决的是减少外置线路占用空间的技术问题。该芯片包括介质基片，及固定在介质基片上的裸芯片，所述介质基片上固定有封盖住祼芯片的外封装壳，并且裸芯片的引脚露出外封装壳，其特征在于：所述外封装壳的外表面设有外置线路，并且祼芯片至少有一个引脚与外置线路电气连接。本实用新型提供的芯片，能大幅节省外置线路占用空间。
带有外置线路集成电路芯片

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710438327.0有效
发明人：蒋昊;金秋敏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：衬底；位于所述衬底中的第一阱区、第二阱区、第三阱区和位于所述第三阱区和第一阱区之间的第四阱区，所述第三阱区与第二阱区的掺杂离子的导电类型相同，所述第四阱区与所述第三阱区的掺杂离子导电类型相反；位于第三阱区上的器件结构；位于第一阱区中的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区分立，第一掺杂区和第二掺杂区中的掺杂离子与所述第一阱区掺杂离子导电类型相反，第一掺杂区与所述器件结构电连接；位于第二阱区中的第三掺杂区，所述第三掺杂区与所述第二掺杂区电连接。所述第一掺杂区、第一阱区和第二掺杂区形成三极管，能够改善半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体封装结构-CN201710150834.4有效
发明人：颜孝璁;邓平援;简育生;叶达勋 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：一种半导体封装结构。此半导体封装结构包含多个层状结构、多条导线以及第一环状结构。多条导线将这些层状结构相连接。第一环状结构耦接于这些层状结构中的至少一个，并位于这些导线之间。
半导体封装结构

[实用新型]基于硅技术的宽带宽毫米波带通滤波器-CN201920766427.0有效
发明人：孙锋;原杰;唐国峰;杨欣然 -专利权人：吉林大学
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于硅技术的宽带宽毫米波带通滤波器。本实用新型以第三电感为对称轴完全对称；一个第三电容一端与该输入端相连，该第三电容另一端与其中一个第一电感、一个第二电感、第三电感并联；第一电感另一端与其中一个第一电容相连；该第二电感另一端与其中一个第二电容相连；第一电容的另一端接地；第二电容的另一端接地；第三电感与另一个第一电感、另一个第二电感、另一个第三电容并联；第一电感的另一端与另一个第一电容相连；第二电感的另一端与另一个第二电容相连；第一电容另一端接地；该第一电容另一端接地；该第三电容另一端与该输出端相连。滤波器实现了提供超过70％的分数带宽，且具有良好的阻带抑制和毫米波区域的通带平坦度。
基于技术宽带毫米波带通滤波器

[发明专利]带有外置线路的集成电路芯片及其制备方法-CN201911247626.1在审
发明人：张雯蕾 -专利权人：合肥镭士客微电路有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：一种带有外置线路的集成电路芯片及其制备方法，涉及电子器件技术领域，所解决的是减少外置线路占用空间的技术问题。该芯片包括介质基片，及固定在介质基片上的裸芯片，所述介质基片上固定有封盖住祼芯片的外封装壳，并且裸芯片的引脚露出外封装壳，其特征在于：所述外封装壳的外表面设有外置线路，并且祼芯片至少有一个引脚与外置线路电气连接。本发明提供的芯片，能大幅节省外置线路占用空间。
带有外置线路集成电路芯片及其制备方法

[发明专利]图案式防护结构-CN201610474288.5有效
发明人：颜孝璁;罗正玮;简育生;叶达勋 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种图案式防护结构，其应用于集成电路中。图案式防护结构位于集成电路的电感与基板之间。图案式防护结构包含中央结构单元、第一图案化结构单元及第二图案化结构单元。中央结构单元包含第一次中央结构单元及第二次中央结构单元。第二次中央结构单元以中央结构单元的中央为基准而与第一次中央结构单元对称配置。第一图案化结构单元配置于中央结构单元的一侧。第二图案化结构单元配置于中央结构单元的另一侧，且第二图案化结构单元以中央结构单元为基准而与第一图案化结构单元对称配置。
图案防护结构

[发明专利]磁耦合器以及通信系统-CN201910107781.7在审
发明人：池内克之 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-02-02 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：实施方式涉及磁耦合器以及通信系统。实施方式的磁耦合器具有第1线圈图案和第2线圈图案。第1线圈图案具有沿第1方向流动电流的第1部分、以及沿与第1方向相反朝向的第2方向流动电流的第2部分。第2线圈图案具有在与第1方向正交的第3方向上与第1部分邻接的第3部分、以及在第3方向上与第2部分邻接而在第1方向上与第3部分连续设置的第4部分。
耦合器以及通信系统

[发明专利]具有断裂探测的半导体芯片-CN201710073796.7有效
发明人： D.哈默施密特;F.拉斯博尼希;W.沙伊本朱伯;H-J.瓦格纳;T.策特勒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明涉及具有断裂探测的半导体芯片。半导体芯片（100）包括：衬底（101）、集成电路（102）、衬底（101）的凹部（110）、印制导线（121）、以及在凹部（110）和印制导线（121）之间的交叉部（111）。这样能够实现试验信号的探测，该试验信号被馈送到印制导线（121）中。在不同的示例中可以探测衬底（101）在凹部（110）的区域中的断裂。
具有断裂探测半导体芯片

[发明专利]多重密封环结构-CN201610069848.9有效
发明人：杨敦年;刘人诚;林政贤;王文德;蔡纾婷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-08-10 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括提供具有密封环区域和电路区域的基板，形成在密封环区域上方的第一密封环结构，所述第一密封环结构围绕所述电路区域呈封闭环，且具有包含金属层的外部部分(210a)和包含金属层的内部部分(210b)，形成在密封环区域上方并且邻近第一密封环结构的第二密封环结构，所述第二密封环结构围绕所述电路区域呈封闭环，且具有包含金属层的外部部分(220a)和包含金属层的内部部分(220b)，和形成在第一密封环结构和第二密封环结构上的第一钝化层。也提供了一种通过这种方法制造的多重密封环结构的半导体器件。
多重密封结构

[发明专利]一种毫米波天线与硅基组件三维集成封装-CN201711413356.8有效
发明人：沈国策;周骏 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2017-12-24 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于毫米波天线与硅基多通道组件三维集成封装，包括顶层辐射的微带贴片天线阵列、带有TSV馈电结构的高电阻率硅基板、具有微波走线和数字走线的介质布线层、带有TSV三维垂直传输结构的围框以及带有TSV传输结构的气密性封装盖板。本发明同时将微带贴片天线阵列、微波芯片、数字芯片和无源器件通过MEMS工艺集成在同一模块内，围框的中间部分带有微波信号垂直传输的TSV结构，集成度较高，微波性能优良，可实现组件多功能化和小型化。
微带贴片天线毫米波天线传输结构三维集成围框走线封装微波垂直高电阻率硅气密性封装多功能化馈电结构实现组件数字芯片通道组件微波芯片微波信号无源器件集成度盖板布线层顶层硅基基板三维传输辐射

[发明专利]反熔丝、反熔丝阵列及其操作方法-CN201510472425.7有效
发明人：郑龙善 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：公开了一种反熔丝、反熔丝阵列及其操作方法。反熔丝阵列包括：有源区，形成在半导体衬底中；狭缝区，形成在有源区的在第一方向上的两个边缘部分；多个选择栅极，在与有源区的第一方向垂直的第二方向上延伸，并耦接到选择字线；多个第一编程栅极，与选择栅极间隔开，形成在由狭缝区隔离的有源区之上，并耦接到第一编程字线；多个第二编程栅极，与选择栅极间隔开，形成在由狭缝区隔离的有源区之上，并耦接到第二编程字线；以及位线，垂直于选择字线。
反熔丝阵列及其操作方法

[实用新型]用于改善IGBT模块子单元焊接破损的结构-CN201920404555.0有效
发明人：王晓丽;于凯 -专利权人：西安中车永电电气有限公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本实用新型属于IGBT模块封装制造技术领域，涉及用于改善IGBT模块子单元焊接破损的结构，包括：结构本体、设置于所述结构本体上的子单元放置区，所述结构本体的侧边设置有可移动的定位装置；通过增加可移动的定位装置的设计，在子单元焊接完成后，当拿取子单元时若出现子单元与结构本体卡紧现象，可以将定位装置外移，从而增大子单元与结构本体的间隙，进而有效地避免子单元出现破损的现象，大大提高IGBT模块的封装合格率，降低IGBT模块的封装成本。
子单元结构本体定位装置封装可移动焊接破损本实用新型放置区有效地侧边卡紧拿取合格率制造