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[实用新型]半导体装置-CN201320739156.2有效
发明人：蓜岛孝史;古原健二;泷启史 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2013-11-20 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种半导体装置，该半导体装置包括：第一模具垫；半导体元件，设置于所述第一模具垫的一侧的主平面上；第二模具垫；以及热敏电阻，以靠近所述半导体元件的方式，设置于所述第二模具垫的朝向所述半导体元件的一侧的主平面上。通过本实用新型，缩短了从半导体元件到热敏电阻的热路径，从而提高了热敏电阻的热敏感性。
半导体装置

[发明专利]嵌入基板中的无源装置以及嵌入有无源装置的基板-CN201310455931.6无效
发明人：申伊那;郑栗教;李承恩 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种嵌入基板中的无源装置以及嵌入有无源装置的基板，无源装置包括：通过交替地层压多个内电极与电介质层形成的层压板；第一外电极，其覆盖层压板的一个侧表面并且具有覆盖层压板的上部的一部分的第一上覆盖区域以及覆盖层压板的下部的一部分并且比第一上覆盖区域具有更小的面积的第一下覆盖区域；以及第二外电极，其覆盖层压板的另一个侧表面并且具有：覆盖层压板的下部的一部分的第二下覆盖区域、以及覆盖层压板的上部的一部分并且小于第二下覆盖区域的第二上覆盖区域。根据本发明的实施方式，通过克服将无源装置插入并固定在腔体中时的对准偏差和处理通道时的对准偏差来确保稳定的收益。
嵌入中的无源装置以及

[实用新型]嵌入式集成电路器件-CN201320363775.6有效
发明人： S·X·阿诺德 -专利权人：苹果公司
申请日： 2013-04-19 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本公开涉及嵌入式集成电路器件。需要提高嵌入在树脂中的集成电路的强度。在一实施例中，稳定通路可设置在集成电路上的垫与树脂的外表面之间的树脂中，所述稳之通路可构造为将所述集成电路耦合到所述树脂并且将所述集成电路的至少一个断裂区域锚固到所述树脂。稳定通路可用于当树脂/集成电路组合经受应力或一定量的位移时易于失效的区域。该技术可应用于各种嵌入式集成电路器件。
嵌入式集成电路器件

[发明专利]半导体装置-CN201310377499.3有效
发明人：归山隼一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置，该半导体装置包括AC耦合元件以及输出温度监视信号的温度监视单元，该温度监视单元具有输出温度监视信号的第一温度监视元件，并且第一温度监视元件被布置在AC耦合元件的正下方区域或者与AC耦合元件相邻的区域中。
半导体装置

[发明专利]射频装置封装及其制造方法-CN201310363249.4有效
发明人：杨明宗;洪建州;李东兴;黄伟哲;黄裕华 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明提供一种射频装置封装及其制造方法。该射频装置封装包括基座；以及射频装置芯片，固接于该基座上，其中该射频装置芯片包括半导体基底，该半导体基底具有前侧和后侧；射频构件，设置于该半导体基底的该前侧；互连结构，设置于该射频构件上，其中该互连结构电性连接至该射频构件，且该半导体基底的厚度小于该互连结构的厚度；通孔，从该半导体基底的该后侧穿过该半导体基底形成，且连接至该互连结构；以及硅通孔结构，设置于该通孔内。本发明所提出的射频装置封装及其制造方法，可改善射频装置的RF损失和低线性度等缺点。
射频装置封装及其制造方法

[发明专利]用于预防封装时测试结构短路的保护环结构-CN201310566529.5有效
发明人：赵敏;尹彬锋;周柯 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于预防封装时测试结构短路的保护环结构，包括：围绕一个或者多个金属垫布置的叠层结构环；其中，所述叠层结构环包括依次从底层金属层、底层通孔层层叠至最上层金属层、最上层通孔层的交替层叠布置的多个金属层和多个通孔层；而且其中，所述叠层结构环中的最上层金属层和最上层通孔层中形成有一个或者多个开口，而且所述一个或者多个开口对应于所述一个或者多个金属垫。
用于预防封装测试结构短路保护环

[实用新型]一种IGBT模块封装件-CN201320077991.4有效
发明人：康伟;乔尔敏;赵国亮;荆平 -专利权人：国网智能电网研究院;国家电网公司
申请日： 2013-02-20 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本实用新型提供一种IGBT模块封装件，该件包括：壳体、基板、芯片、二极管、温度保护件、过流保护件、引线和铜排；所述壳体两端分别设有直流电和交流电的接口；所述接口与所述壳体内对应侧的所述芯片连接；所述壳体内壁上于贯穿所述接口的连接线两侧对称设置所述过流保护件。本实用新型中，上、下管处的IGBT芯片到保护的引线长度一致且关于IGBT模块封装对称，保证保护动作的一致性；驱动引线长度一致，可保证每只并联IGBT具有相同的驱动控制参数；直流侧引线位于IGBT模块一侧，便于减小直流母线连接的杂散电感。
一种 igbt 模块封装

[发明专利]用于稳定嵌入硅的方法-CN201310251944.1无效
发明人： S·X·阿诺德 -专利权人：苹果公司
申请日： 2013-04-19 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明公开了用于稳定嵌入硅的方法。还公开了稳定嵌入在树脂中的集成电路的方法。在一实施例中，稳定通路可形成在树脂中且可与所述集成电路中的对应垫耦合。稳定通路可用于当树脂/集成电路组合经受应力或一定量的位移时易于失效的区域。在一实施例中，所述稳定通路可以是不传输来往于所述集成电路的电信号或功率的非功能性通路。
用于稳定嵌入方法

[发明专利]具有硅通孔内连线的半导体封装及其封装方法-CN201310120322.5有效
发明人：杨明宗;洪建州;黄裕华;黄伟哲 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明提供一种具有硅通孔内连线的半导体封装及其封装方法。上述具有硅通孔内连线的半导体封装包括半导体基板；通孔，穿过上述半导体基板；硅通孔内连线，设置于上述通孔内；导电层，设置于衬垫于上述通孔的侧壁，且围绕上述硅通孔内连线。本发明所提供的具有硅通孔内连线的半导体封装及相关形成方法，能够将从半导体基板或硅通孔内连线耦合的噪音快速地传递至接地埠，从而减少噪音耦合效应。
具有硅通孔内连线半导体封装及其方法

[发明专利]具有电源退藕功能的芯片保护环-CN201310330053.5无效
发明人：车文毅 -专利权人：上海坤锐电子科技有限公司
申请日： 2013-07-31 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：一种具有电源退藕功能的芯片保护环，包括有源区环和3层以上的金属环的叠层结构，有源区环与芯片的地焊盘相连，金属环之间有通孔，最底层的金属环或最上层的金属环是金属单环，该金属单环与芯片的地焊盘相连接，其它每层金属环均是由相互隔离的内侧的电源环和外侧的地环组成的金属双环。本发明通过电源环和地环错层交叠的双环结构，产生电源到地之间的容性寄生，在不额外占用芯片面积的情况下，形成退藕电容，减少了现有技术中，用以在芯片内部制造退藕电容所需的面积开销。
具有电源功能芯片保护环

[发明专利]半导体器件及半导体模块-CN201210504640.7无效
发明人：北川光彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明提供半导体器件及半导体模块。半导体器件具备包括第1及第2主面的半导体基板，半导体基板具备在半导体基板内形成的第1导电型的第1半导体层、在第1半导体层的第1主面侧的表面形成的第2导电型的第2半导体层、在第2半导体层的表面形成的第1导电型的第3半导体层、及在第1半导体层的第2主面侧的表面形成的第2导电型的第4半导体层。器件还具备：控制电极，形成于半导体基板的第1主面侧；及第1主电极，形成于半导体基板的第1主面侧。器件还具备：第2主电极，形成于半导体基板的第2主面侧；及接合终端部，形成于半导体基板的第2主面侧，具有将第4半导体层包围的环状的平面形状。
半导体器件半导体模块

[发明专利]基于碳纳米材料摩擦效应的纳米电源、制备方法及使用-CN201310308403.8有效
发明人：潘春旭;李伟平;张豫鹏;余超智 -专利权人：武汉大学
申请日： 2013-07-22 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明提供基于碳纳米材料的纳米电源、制备方法及使用，本发明是通过摩擦碳纳米材料使碳原子面产生形变，改变其能带结构，从而提高碳纳米材料在电解液中对电荷的吸附能力和传导，连接导电电极形成回路时，将输出电流与电压。本发明纳米电源包括工作电极、对电极和导电介质，所述的工作电极为碳/导电材料复合电极，碳/导电材料复合电极包括碳纳米材料层和导电材料层。本发明纳米电源具有更稳定的结构、更长的使用寿命、更高的能量转换密度，可用于能源、信息、微纳器件、机械、生物医学等领域。
基于纳米材料摩擦效应电源制备方法使用

[发明专利]管芯、晶片及处理晶片的方法-CN201310177204.8在审
发明人： D·博纳特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明涉及管芯、晶片及处理晶片的方法。根据各个实施例的管芯可以包括邻近管芯边缘设置的金属化区，以及连接到金属化区并从金属化区行进至边缘的电连接，其中电连接不含金属。根据各个实施例的晶片可以包括具有金属化区的管芯区域，具有电或电子器件的切口区域，以及连接电或电子器件和金属化区的电连接，其中电连接不含金属。
管芯晶片处理方法

[发明专利]用于无线芯片到芯片通信的通过芯片界面（TCI）结构-CN201310003741.0有效
发明人：金俊德;叶子祯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-01-06 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：一种用于RF和其他频率通过芯片界面(TCI)应用的变压器包括在三维集成电路(3DIC)技术中彼此处于无线电子通信的多个芯片。每一个芯片都包括电感线圈和与电感线圈的阻抗相匹配的匹配网络。匹配网络电连接在电感线圈和形成在芯片上的另外的元件和电路之间。本发明还提供了一种用于无线芯片到芯片通信的通过芯片界面(TCI)结构。
用于无线芯片通信通过界面 tci 结构

[发明专利]互连线反向电流产生电路-CN201110427581.3有效
发明人：冯军宏;甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路金属互连线可自动产生反向电流的电路，包括第一至第四开关电路；第一开关电路的两个控制端分别连接上级电路输出MOSFET和下级电路输入MOSFET的控制极，输入端连接Vss，输出端连接节点A；第二开关电路的两个控制端分别连接输出MOSFET和输入MOSFET的控制极，输入端连接Vdd，输出端连接节点A；第三开关电路的输入端连接互连线靠近输出MOSFET的输出极的一端，输出端连接Vss，控制端连接节点A；第四开关电路的输入端连接Vdd，输出端连接互连线靠近输入MOSFET的输入极的一端，控制端连接节点A。当上、下级电路关闭即空置时该电路在互连线中会产生与正常工作电流相反的电流，抑制了金属互连线中单一方向电流造成的电迁移效应，提高了互连线的可靠性，延长了集成电路的使用寿命。
互连反向电流产生电路