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[发明专利]形成嵌入式管芯衬底的半导体器件和方法-CN201811092945.5有效
发明人：梁悳景;李勋择;金成洙;李喜秀 -专利权人：新科金朋私人有限公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本发明公开了形成嵌入式管芯衬底的半导体器件和方法，以及具有所述嵌入式管芯衬底的系统级封装模块。一种半导体器件具有第一衬底。第一半导体组件被设置在所述第一衬底的第一表面上。第二衬底包括在所述第二衬底的第一表面上的垂直互连结构。第二半导体组件被设置在所述第二衬底的第一表面上。所述第一半导体组件或第二半导体组件是半导体封装。所述第一衬底被设置在所述第二衬底之上，其中所述第一半导体组件和第二半导体组件在所述第一衬底和第二衬底之间。第一密封剂被沉积在所述第一衬底和第二衬底之间。SiP子模块被设置在所述第一衬底或第二衬底之上，与密封剂相对。在SiP子模块之上形成屏蔽层。
形成嵌入式管芯衬底半导体器件方法

[发明专利]芯片制造方法及芯片结构-CN201880098299.5在审
发明人：王逵 -专利权人：北京比特大陆科技有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本公开公开了一种芯片制造方法及芯片结构。所述方法包括：在第一晶圆上制作多个第一掩膜单元，第一掩膜单元包括处理器簇群、第一存储器、存储通道、串行通道、控制器和总线接口模块中的一种或多种；在第一晶圆上制作第一连接点；在第二晶圆上制作多个第二掩膜单元，第二掩膜单元包括第二存储器、扩展模块和总线互联模块中的一种或多种；在第二晶圆上制作第二连接点；将第一晶圆和第二晶圆通过第一连接点和第二连接点键合在一起，对晶圆进行切割，切割得到的芯片尺寸与第二掩膜单元的尺寸相同。本公开技术方案可以大大节省芯片生产时产生的一次性费用，不仅能够节省时间和人力成本，还能够降低每个单一规格或性能产品的生产风险和生产成本。
芯片制造方法结构

[发明专利]光子器件和形成光子器件方法-CN201910568406.2有效
发明人：余振华;夏兴国;丁国强;林品佐;黄松辉;侯上勇;吴集锡 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：方法包括在衬底上方的第一氧化物层中形成硅波导段，第一氧化物层设置在衬底上，在第一氧化物层上方形成布线结构，该布线结构包括一个或多个绝缘层以及位于一个或多个绝缘层中的一个或多个导电部件，使布线结构的区域凹进，在布线结构的凹进区域中形成氮化物波导段，其中，氮化物波导段在硅波导段上方延伸，在氮化物波导段上方形成第二氧化物层，以及将半导体管芯附接至布线结构，管芯电连接至导电部件。本发明的实施例还涉及光子器件和形成光子器件方法。
光子器件形成方法

[发明专利]半导体封装方法、半导体组件以及包含其的电子设备-CN202011559060.9在审
发明人：李维平 -专利权人：上海易卜半导体有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体封装方法、半导体组件以及包含该半导体组件的电子设备，其中半导体封装方法包括：提供半导体器件、载板和夹板，其中半导体器件的有源表面上形成有连接端子且在无源表面上形成有第一对准焊接部，且载板上形成有对应的第二对准焊接部，载板和/或夹板上贯穿形成有用于注塑的开口；将半导体器件放置在载板上，使得第一对准焊接部与第二对准焊接部基本对准；通过对第一对准焊接部和第二对准焊接部进行焊接来形成对准焊点，使得半导体器件精确对准并固定至载板；通过开口进行注塑以在载板和预先贴附在有源表面上的夹板之间形成包覆半导体器件的塑封体；移除夹板；和在塑封体暴露连接端子的表面上依次形成互连层和外部端子。
半导体封装方法组件以及包含电子设备

[发明专利]半导体器件、半导体器件的制造方法及封装件-CN202011106489.2在审
发明人：吴俊毅;余振华;刘重希 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括在第一半导体器件的导电焊盘上放置金属芯焊料球，其中，所述金属芯焊料球包括由焊料材料围绕的金属芯；以及形成器件结构，形成所述器件结构包括：在载体衬底上放置所述第一半导体器件；用密封剂密封所述第一半导体器件，其中，所述密封剂覆盖所述金属芯焊料球；在所述密封剂上实施平坦化工艺，其中，所述平坦化工艺暴露所述金属芯焊料球；以及在所述密封剂和所述第一半导体器件上方形成再分布结构，其中，所述再分布结构电连接至所述金属芯焊料球。本申请的实施例还提供半导体器件及封装件。
半导体器件制造方法封装

[发明专利]半导体封装方法、半导体封装结构及封装体-CN201910982076.1在审
发明人：刘杰;应战 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体封装方法、半导体封装结构及封装体，所述封装方法包括如下步骤：提供衬底晶圆，衬底晶圆具有相对设置的第一表面及第二表面，在第一表面具有多个凹槽，在凹槽底部具有多个导电柱，导电柱贯穿凹槽底部至第二表面；提供多个半导体裸片堆叠体；将半导体裸片堆叠体置于凹槽中，半导体裸片堆叠体的上表面低于或者平齐于凹槽的上边缘，半导体裸片堆叠体的底部与导电柱电连接；在凹槽的侧壁与半导体裸片堆叠体之间的间隙内充满绝缘介质，形成绝缘介质层，且绝缘介质层覆盖半导体裸片堆叠体的上表面，以密封半导体裸片堆叠体，形成半导体封装结构。本发明的优点在于，形成的半导体封装结构封装高度低、稳固性高、可靠性高及翘曲度低。
半导体封装方法结构

[发明专利]显示面板及其制作方法-CN202011451197.2在审
发明人：苑春歌 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板及其制作方法，显示面板的制作方法包括以下步骤：步骤A：在背板上贴合一模具，所述模具包括挖空部，其中，所述挖空部设置于与所述背板的金属线阵列对应的部分；步骤B：在所述挖空部内形成固化胶层，所述固化胶层覆盖所述金属线阵列；步骤C：移除所述模具。本发明提供的显示面板及其制作方法用于避免胶水流动到显示面板的发光部，从而影响显示面板的显示质量。
显示面板及其制作方法

[发明专利]一种三维晶圆集成结构及其制备方法、电子设备-CN202011392752.9在审
发明人：苏静杰;陆原;张拴;马琳 -专利权人：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维晶圆集成结构及其制备方法、电子设备，方法包括：在第一晶圆中形成第一过孔；第一晶圆包括：第一支撑基底、第一半导体基底以及第一半导体器件；在第一过孔的孔壁形成第一绝缘层；在第一过孔中形成与第一半导体器件电性连接的金属层，金属层延伸至第一晶圆的第一表面和第二表面；在金属层的表面形成第一金属凸点；提供第二晶圆，第二晶圆包括：第二晶圆基底以及位于第二晶圆基底表面的第二半导体器件；在第二半导体基底表面形成第二金属凸点；将第二金属凸点与第一金属凸点之间键合连接。本发明可以克服因传输线而引起的高频信号传输问题，提高数据传输频率。
一种三维集成结构及其制备方法电子设备

[发明专利]用于形成半导体器件的方法和封装件-CN201910145215.5有效
发明人：裴浩然;林修任;陈威宇;钟宇轩;郑佳申;黄贵伟;谢静华;刘重希;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种用于形成半导体器件的方法包括：将第一封装组件与第二封装组件对准，第一封装组件具有第一区域和第二区域，该第一区域包括第一导电连接件，该第二区域包括第二导电连接件；在第一封装组件的顶表面的第一部分上执行第一激光照射，第一激光照射使第一区域的第一导电连接件回流，第一封装组件的顶表面的第一部分与第一区域完全重叠；并且在执行第一激光照射之后，在第一封装组件的顶表面的第二部分上执行第二激光照射，第二激光照射回流第二区域的第二导电连接件，第二封装组件的顶表面的第二部分与第二个区域完全重叠。本发明的实施例还提供了另外的用于形成半导体器件的方法以及封装件。
用于形成半导体器件方法封装

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202010709013.1在审
发明人：赤羽隆章 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：在基于本实施方式的半导体装置的制造方法中，按照使设置于第1半导体芯片上的多个第1金属端子与设置于第2半导体芯片上且被氧化膜覆盖的多个第2金属端子彼此相接触的方式将第1及第2半导体芯片层叠。执行下述第1工序：在不导入将氧化膜还原的还原气体的情况下，以第2金属端子的熔点以上的第1温度将第1及第2半导体芯片进行热处理。执行下述第2工序：导入还原气体，以使该还原气体活化的温度以上且第2金属端子的熔点以下的第2温度将第1及第2半导体芯片进行热处理。执行下述第3工序：以第2金属端子的熔点以上的第3温度将第1及第2半导体芯片进行热处理。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种应用于系统级封装的去耦电容放置方法-CN201910804918.4在审
发明人：徐江涛;于东哲;聂凯明;高静;高志远 -专利权人：天津大学青岛海洋技术研究院
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：一种应用于系统级封装的去耦电容放置方法，首先通过优化互联方式，进一步节省了3D系统级封装的空间效率，并且由于减少了金线互联的使用，稍微提高了信号传输的质量。然后通过利用封装内的剩余空间，放置去耦电容，解决了去耦电容空间占据过大的问题，进一步提高了信号完整性。本发明通过优化系统级封装不同层与芯片之间的互联方式，为去耦电容提供放置空间，最终优化系统的电源与信号完整性性能。
一种应用于系统封装电容放置方法

[发明专利]存储卡及其封装方法-CN202011296647.5在审
发明人：赖振楠 -专利权人：深圳宏芯宇电子股份有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本申请公开一种存储卡及其封装方法，所述存储卡的封装方法包括：提供牺牲层；将存储芯片和控制芯片固定于所述牺牲层表面；形成覆盖所述存储芯片和控制芯片的塑封层；去除所述牺牲层；在所述塑封层底部形成电连接层，所述电连接层与所述塑封层共同包裹所述存储芯片和所述控制芯片，并且，所述电连接层内形成有电连接结构，与所述存储芯片和所述控制芯片电性连接，实现存储芯片与控制芯片之间的电连接，以及将所述控制芯片电性引出。上述封装方法成本较低。
存储及其封装方法

[发明专利]立体集成阵列式整流二极管模组封装结构及方法-CN202011192070.3在审
发明人：戴晨毅;木瑞强;林鹏荣;王勇;李金月;蔺建龙;张姗姗 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本发明为立体集成阵列式整流二极管模组封装结构及方法，其主要选用高可靠陶瓷外壳及金属盖板为封装材料，首先在外壳基座内部通过芯片定位装置进行焊片及芯片高精度安装，通过焊接实现芯片与外壳基座焊接，再通过硅铝丝实现芯片与外壳互连连接，最后通过平行缝焊实现金属盖板与外壳密封封装。本发明方法的应用，实现了立体阵列式整流二极管封装，大大提高整流二极管应用范围，纳米银膏和平行缝焊多温度梯度焊接方式可以起到优良的散热以及高可靠气密性封装，拓宽了器件应用场景。
立体集成阵列整流二极管模组封装结构方法

[发明专利]三维堆叠结构及其制备方法-CN201910599721.1在审
发明人：蔡汉龙;林正忠 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本发明提供一种三维堆叠结构及其制备方法，三维堆叠结构包括电连接的多个半导体封装结构，半导体封装结构包括电路板、芯片、金属焊线、封装层主体、第一金属凸块及第二金属凸块；第一金属凸块位于封装层主体的顶面上且与第一金属焊线电连接，第二金属凸块位于封装层主体的侧面上且与第二金属焊线电连接；半导体封装结构的电性引出端包括第一金属凸块、第二金属凸块及电路板第二面，且多个半导体封装结构通过电性引出端的电连接构成三维堆叠结构。本发明制备工艺简单，可以随需求往纵向、横向及侧向电连接半导体封装结构，可提高三维封装的灵活性，扩大三维封装的应用，提高半导体封装结构的密集度。
三维堆叠结构及其制备方法

[发明专利]晶片的制造方法和层叠器件芯片的制造方法-CN202010434451.1在审
发明人：川合章仁;金永奭 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：提供晶片的制造方法和层叠器件芯片的制造方法，能够抑制层叠器件芯片的成品率降低。该晶片的制造方法具有如下的步骤：晶片准备步骤，准备晶片，该晶片在由相互交叉的多条间隔道划分的多个区域内分别形成有半导体器件；挖除步骤，分别判别形成于晶片的多个半导体器件是良品还是次品，将包含被判别为次品的半导体器件的次品器件区域从晶片挖除；以及嵌入步骤，将具有良品的半导体器件且尺寸能够嵌入至通过挖除次品器件区域而形成的间隙中的器件芯片嵌入至间隙中，该良品的半导体器件具有与被判别为次品的半导体器件相同的功能。
晶片制造方法层叠器件芯片