专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果234个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]以晶片级形成堆积管芯集成电路芯片封装件的方法-CN01806388.8无效
  • K·M·拉姆 - 爱特梅尔股份有限公司
  • 2001-01-10 - 2003-05-07 - H01L21/98
  • 一种晶片级封装方法,该方法生产出堆积的双重/多重管芯集成电路封装件(91)。在该方法中,两块晶片中管芯尺寸较小的晶片可通过金属再分布工艺处理,然后附上焊球。然后该晶片被锯成各个管芯尺寸的球栅阵列封装件。在带较大尺寸管芯(25)的晶片上,在准备与管芯尺寸BGA封装件之一附接的每一管芯晶格位置正面,沉积了管芯附接粘料(18)。BGA管芯封装件背面放在该粘料上固化。引线接合操作把信号从管芯尺寸BGA封装件接到底部管芯电路。把环氧一类的涂料(18)沉积在晶片上以覆盖引线接合导线,然后固化组件。然后,把堆积管芯晶片分成各个堆积管芯IC封装件。
  • 晶片形成堆积管芯集成电路芯片封装方法
  • [发明专利]双晶片的连接过程-CN00813746.3无效
  • B·E·科勒;J·A·里德利;R·E·希加施 - 霍尼韦尔有限公司
  • 2000-08-02 - 2002-10-30 - H01L21/98
  • 在分离的基片上生产微型结构,将各基片结合。这些结构中一个可以是温度敏感的CMOS电子线路。可以有在一个晶片上的高温热传感器和低温的CMOS电子线路。在该实例中结合材料是聚酰亚胺,将要结合的两个表面上的聚酰亚胺略为烘烤。将晶片放到晶片结合器中,使用精确的对齐使它们接触。加压和加热使在两个聚酰亚胺涂层之间形成结合。一个晶片可能需要从组合结构中除去。结合的结构中一个可以放到牺牲层上,牺牲层可以蚀刻掉从而便于除去一个晶片而不需磨制。在晶片除去之后,从现在已在聚酰亚胺上的结构之一的背侧到在晶片上另一个结构可以制成一触点。牺牲材料如聚酰亚胺可以从通过触点连接的各结构之间除去。微型结构可以与不是微型结构的物件,如单层或多层材料,晶体或无定形材料结合。
  • 双晶连接过程
  • [发明专利]卷带自动焊接球阵式集成电路封装方法-CN97118217.5无效
  • 蔡维人 - 华通电脑股份有限公司
  • 1997-09-04 - 2001-07-18 - H01L21/98
  • 本发明涉及一种卷带自动焊接球阵式集成电路封装方法,其在压合有双面薄铜的聚酰亚胺膜上层形成第一干膜、电镀铜/镍/金/镍(或镍/金、铜/镍)、去除第一干膜、通过第二千膜蚀刻聚酰亚胺膜下层薄铜形成多个缺口、藉下层薄铜作为掩模对聚酰亚胺膜激光钻孔形成孔洞,孔洞电解电镀形成外突接点、蚀刻薄铜及剥镍、激光钻孔形成芯片安装孔及外围贯孔,从而使外接接点更细微,且可以单点焊接方式焊接芯片而得以缩小封装面积。
  • 自动焊接阵式集成电路封装方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top