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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]芯片尺寸封装电路板制造方法-CN97119238.3无效
发明人： 蔡维人 -专利权人：华通电脑股份有限公司
申请日： 1997-09-26 - 公布日： 2002-08-07 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种芯片尺寸封装电路板制造方法，主要是以一厚铜片作为基材，对上表面进行第一干膜的压合、曝光和显影的步骤，再在干膜的缺口处电镀形成电镀金/电镀铜/电镀金的三层式的电镀线路，然后为在表面进行覆盖聚酰亚胺膜作为保护，其次，再对铜基材底面进行第二干膜与蚀刻作业，以蚀刻去除该铜基材，最后对顶面的聚酰亚胺膜进行激光钻孔而形成植球孔及对位孔即可，整个制程中仅需两次干膜作业，达到简化作业流程的功效。
芯片尺寸封装电路板制造方法

[发明专利]卷带自动焊接球阵式集成电路封装方法-CN97117534.9无效
发明人： 蔡维人 -专利权人：华通电脑股份有限公司
申请日： 1997-08-27 - 公布日： 2001-10-03 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种卷带自动焊接球阵式集成电路封装方法，其在压合有双面薄铜型式的聚亚醯胺膜经第一道干膜，以蚀刻底层薄铜形成多个缺口，并通过激光钻孔方式使聚亚醯胺膜蚀刻形成多个对应于缺口的孔洞，经第二道干膜，使上表面电镀形成电镀铜及电镀锡电镀层，经去除底层薄铜、孔洞电解电镀形成外突接点、蚀刻顶层薄铜、剥电镀锡、激光钻孔、覆盖溅镀掩膜而形成供焊接芯片的溅镀凸点，使外接接点更细微并可缩小封装面积。$＃!
自动焊接阵式集成电路封装方法

[发明专利]卷带自动焊接球阵式集成电路封装方法-CN97118217.5无效
发明人： 蔡维人 -专利权人：华通电脑股份有限公司
申请日： 1997-09-04 - 公布日： 2001-07-18 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本发明涉及一种卷带自动焊接球阵式集成电路封装方法，其在压合有双面薄铜的聚酰亚胺膜上层形成第一干膜、电镀铜／镍／金／镍（或镍／金、铜／镍）、去除第一干膜、通过第二千膜蚀刻聚酰亚胺膜下层薄铜形成多个缺口、藉下层薄铜作为掩模对聚酰亚胺膜激光钻孔形成孔洞，孔洞电解电镀形成外突接点、蚀刻薄铜及剥镍、激光钻孔形成芯片安装孔及外围贯孔，从而使外接接点更细微，且可以单点焊接方式焊接芯片而得以缩小封装面积。
自动焊接阵式集成电路封装方法

[发明专利]制造集成电路封装电路板的方法-CN97117545.4无效
发明人： 蔡维人 -专利权人：华通电脑股份有限公司
申请日： 1997-08-28 - 公布日： 2000-12-27 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种制造集成电路封装电路板的方法，为一种于压合有单面铜的聚酰亚胺膜（ＰＯＬＹＩＭＩＤＥ）表层进行定义形成第一干式薄膜、电镀铜／镍／金／镍（或镍、铜／镍）、去除第一干式薄膜、聚酰亚胺膜蚀刻形成孔洞，孔洞电解电镀形成外突接点，蚀刻薄铜及剥镍、激光钻孔形成芯片安装孔及外围贯孔，藉此使外接接点更具细微效果以及仅需单点焊接方式焊接芯片而可缩小封装面积。
制造集成电路封装电路板方法

[发明专利]卷带自动焊接球阵式集成电路封装方法-CN97117544.6无效
发明人： 蔡维人 -专利权人：华通电脑股份有限公司
申请日： 1997-08-28 - 公布日： 2000-03-29 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种卷带自动焊接球阵式集成电路封装方法，是于压合有单面铜型式的聚亚酰胺膜（ＰＯＬＹＩＭＩＤＥ）下方进行蚀刻形成接点孔洞、表层电镀铜／锡、孔洞电解电镀形成外突接点、蚀刻表面薄铜、去锡层、激光钻孔、覆盖溅镀遮罩而形成供焊接芯片的溅镀接点，而可使外接接点更具细微效果以及仅需单点焊接方式焊接芯片而可缩小封装面积。
自动焊接阵式集成电路封装方法

[发明专利]用硫酸、双氧水将铜箔蚀薄的方法-CN97118470.4无效
发明人： 蔡维人 -专利权人：华通电脑股份有限公司
申请日： 1997-09-10 - 公布日： 1999-03-17 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造铜箔厚度在0.00254—0.00889毫米的薄铜箔基板的方法及以此薄铜箔基板制备多层板及双面板的方法。
硫酸双氧水铜箔方法

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