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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210775276.1在审
发明人：岩下康纪;荒井伸也;中塚圭祐;芦立浩明 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：实施方式提供能够使基板彼此良好地贴合的半导体装置及其制造方法。根据一个实施方式，半导体装置的制造方法包括：以在第一基板上产生翘曲的方式，在第一基板上的多个第一区域中的每一个上形成第一金属焊盘。所述方法还包括：在第二基板上的多个第二区域中的每一个上隔着规定的图案形成第二金属焊盘。所述方法还包括：在形成第一金属焊盘以及第二金属焊盘之后，将第一基板与第二基板贴合。除此之外，所述方法还包括：在第二基板上的多个第二区域中的每一个上形成规定的图案时，将多个第二区域中的每一个上的规定的图案的位置进行如下修正，即：在第一方向上向接近第二基板的中心的方向变更，在第二方向上向远离第二基板的中心的方向变更。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]功率半导体用铝接合线-CN202280011513.5在审
发明人：三苫修一;市川司;浦地刚史;柳本辰则;中岛泰 -专利权人：田中电子工业株式会社;三菱电机株式会社
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种铝线，其在功率半导体用的接合线接合时，线不会从楔形工具偏离，且可在功率循环试验中实现长寿命。本发明的铝线由铝纯度99质量％以上的铝合金构成，相对于铝合金中所有元素的总量，以总计0.01质量％以上1质量％以下含有铁及硅，铝线中与线轴垂直的方向的横剖面中，(111)的取向指数为1以上，且(200)的取向指数为1以下，析出粒子的面积率的范围为0.02％以上2％以下。
功率半导体接合

[发明专利]半导体装置用Al接合线-CN202280013191.8在审
发明人：小山田哲哉;须藤裕弥;宇野智裕;小田大造;大石良;栗原佑仁 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2022-01-31 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种在第2接合部中稳定地带来良好的接合强度的半导体装置用Al接合线。一种半导体装置用Al接合线，其包含Sc、Zr、Mg中的1种以上总计0.01质量％以上且小于0.8质量％；该半导体装置用Al接合线中，对包含所述接合线的线轴的与线轴方向平行的截面的晶体取向进行了测定，结果，相对于线轴方向角度差为15度以下的＜100＞晶体取向的取向比例为30％以上90％以下。
半导体装置 al 接合

[发明专利]一种键合系统和键合方法-CN202211529118.4有效
发明人：田应超;刘天建;张越 -专利权人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种键合系统和键合方法。键合系统包括：键合组件、晶圆承载台、第一对准组件、第二对准组件和第三对准组件；第一对准组件和第二对准组件分别用于在键合头位于第一位置时，确定键合头上的第一对准标记的第一位置参数和键合头拾取的第一管芯上的第二对准标记的第二位置参数；第三对准组件用于确定晶圆上的第二管芯上的第三对准标记的第三位置参数以及在键合头位于第二位置时，确定键合头上的第一对准标记的第四位置参数；根据第一位置参数、第二位置参数、第三位置参数和第四位置参数，使得第一管芯和第二管芯相对准；键合组件用于键合第一管芯和第二管芯。如此，可以同时实现管芯到晶圆键合的高精度和高产出量。
一种系统方法

[发明专利]一种铜银钯合金键合引线及其制备方法-CN202310206453.9在审
发明人：彭晓飞;彭庶瑶 -专利权人：江西蓝微电子科技有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请涉及合金键合引线智能化制备领域，其具体地公开了一种铜银钯合金键合引线及其制备方法，其通过从合金线材的热分布图像中提取关于合金线材的热分布状态在时序上的变化模式特征，并将热处理温度值的输入向量输入一维卷积神经网络模型以捕捉向量中各个位置的特征值间的高维隐含关联特征，再以响应性估计来表达热分布状态时序变化模式特征和热处理温度高维隐含关联特征在高维语义空间之间的逻辑关联，最后进行分类处理。这样，基于合金线材的状态来实时且自适应地控制热处理温度值以使得热处理温度控制适配于合金线材的热分布状态，优化晶体细化退火工艺的质量，进而提高最终铜银钯合金键合引线的成型质量的成型质量。
一种铜银钯合金引线及其制备方法

[发明专利]一种用于共晶焊接的俯仰贴合全焊装置及控制方法-CN202310665643.7在审
发明人：陈致蓬;陈妍利;沈玲;晁阳升;肖鹏 -专利权人：中南大学;湖南奥创普科技有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种用于共晶焊接的俯仰贴合全焊装置，包括上位机模块以及与输出处理模块，上位机模块包括有输入模块、存储模块、内存单元、CPU单元以及接口模块；输出处理模块包括有俯仰贴合阵列协同控制模块以及俯仰贴合阵列模块。本发明实现芯片俯仰贴合，贴合效率和精度高，有效降低芯片共晶焊接的空洞度。
一种用于焊接俯仰贴合装置控制方法

[发明专利]一种新型嵌入式封装结构及其制备方法-CN202310180725.2有效
发明人：刘旭;叶怀宇 -专利权人：纳宇半导体材料（宁波）有限责任公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型嵌入式封装结构及其制备方法；包括在封装互连第一基板设置第一微纳米材质导电层，第一微纳米材质导电层上制备第一微纳米材质贴片层，第一微纳米材质贴片层上设置芯片，第一微纳米材质导电层上还制备第一绝缘层，在第一绝缘层上制备第二微纳米材质导电层，第二微纳米材质导电层上制备第二微纳米材质贴片层，第二微纳米材质贴片层上制备第二互连基板，第二微纳米材质导电层上还制备第二绝缘层，获得嵌入式封装器件；上述方法可以有效解决嵌入式封装结构采用镀铜材料，与陶瓷的结合能力差，高低温循环工作时易出现分层失效，同时，不只嵌设芯片，其他电容电阻和控制单元也可嵌入，这可以解决元件之间的线路太长，导致寄生电感过大的技术问题。
一种新型嵌入式封装结构及其制备方法

[发明专利]使用扇出内插器小芯片的高密度互连-CN201880035627.7有效
发明人：翟军;仲崇华;胡坤忠 -专利权人：苹果公司
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开提供了多部件封装件结构，其中内插器小芯片(110)被集成以提供部件之间的精细布线。在一个实施方案中，该内插器小芯片(110)和多个导电导孔(142)被包封在包封层(140)中。第一部件(130)和第二部件(132)的第一多个端子(135A)可以与多个导电柱电连接，并且第一部件和第二部件的第二多个端子(135B)可以与该内插器小芯片(110)电连接。
使用内插芯片高密度互连

[发明专利]一种IC芯片封装时避免焊线交叉的布线方法及系统-CN202211051956.5有效
发明人：徐祖峰;丁小果;丁铎;张大磊;王德银 -专利权人：江苏泰治科技股份有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种IC芯片封装时避免焊线交叉的布线方法及系统，通过借鉴数控机床上刀补的操作原理，使用刀补算法配置打线区域，同时使用KM算法使得引脚内的焊线均有独立焊点且独立焊点在配置的打线区域内，通过排序与KM算法配合，避免了同一引脚上焊线的交叉，完成引脚上焊线落点的规范化和分离操作。
一种 ic 芯片封装避免交叉布线方法系统

[发明专利]一种芯片引线键合工艺-CN202310031423.9有效
发明人：张帆;张延颇 -专利权人：江苏宝浦莱半导体有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片引线键合工艺，包括以下步骤：S1、在圆锥劈刀或楔形劈刀旁通过固定夹安装保护焊组件；S2、对保护焊组件上的进气管通入99.99％保护焊气体的氮气；S3、根据安装在第一气管上的红外测温器测量从第一气管末端喷出气流温度；S4、焊接前，再对保护焊组件的第二气管通入还原性气体；S5、最后，在保护焊组件的冷气管喷出的低温氮气环境下，对引线于芯片焊点进行保护气体环境下降温。本发明采用独特设计的涡流管等组件，可对通入的保护气体如氮气，进行分离成高度氮气和低温氮气，且分别从两端喷出，热气流可以用来对引线焊接前预热，可以提高引线的塑形，避免焊接温度不够、脆断、虚焊等不良。
一种芯片引线工艺

[发明专利]一种基于镀镍焊盘的铝包铜线的键合方法及键合结构-CN202310825603.4有效
发明人：周雨;梁杰 -专利权人：赛晶亚太半导体科技（北京）有限公司;赛晶亚太半导体科技（浙江）有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种基于镀镍焊盘的铝包铜线的键合方法及键合结构，键合方法包括依次进行以下步骤：S1.采用铝包铜线在第一焊盘的第一键合点完成第一键合，第一焊盘为镀镍焊盘；S2.焊头向上垂直拉弧至第一高度；S3.焊头斜向上拉弧，至达到第二高度，拉弧方向至竖直方向所呈的拉弧角度为‑45°至0°，且不为0°；S4.焊头斜向下拉弧至达到第二键合点垂直上方第三高度处；S5.焊头向下拉弧至第二焊盘的第二键合点；S6.完成第二焊盘上第二键合点的第二键合；S7.扯断引线，完成镀镍焊盘上铝包铜线的键合。该键合方法，焊头斜向上拉弧时，采用负的拉弧角度，可避免拉弧动作对键合点颈部的拉扯，可增加铝包铜线键合点与镀镍焊盘的接触面积，从而提高键合强度。
一种基于镀镍焊盘铜线方法结构

[发明专利]封装结构及其制备方法、控制器、制造设备以及介质-CN202310877536.0在审
发明人：胡津津;王利国;刘磊;陈瑞田;张强波 -专利权人：天芯互联科技有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种封装结构及其制作方法、控制器、制造设备以及介质，涉及封装技术领域，该方法包括将硅转接板和线路转接板安装在玻璃载体上铜柱的间隙内；对硅转接板、线路转接板以及铜柱进行第一塑封处理，得到第一转接体；执行第一加工操作；对第二端面执行第二加工操作；在第二端面上安装目标芯片，并进行第二塑封处理，得到目标转接体；将目标转接体通过第一端面安装在基板上，得到封装结构。本发明通过将硅转接板和线路转接板塑封在一起，并安装目标芯片，实现了芯片之间的高速互联部分采用硅转接板连接，以及实现了芯片之间的中低速互联部分采用线路转接板连接，进而采用线路转接板降低了制作成本，采用硅转接板提高了性能。
封装结构及其制备方法控制器制造设备以及介质

[发明专利]IGBT模块端子焊接方法-CN202210256875.2在审
发明人：杨幸运;陶少勇;陈小磊 -专利权人：安徽瑞迪微电子有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT模块端子焊接方法，包括步骤：S1、提供点锡治具和压板；S2、将功率端子和信号端子安装至点锡治具内；S3、点锡机在功率端子和信号端子的表面上点上锡膏；S4、将IGBT模块安装至限位治具内，然后将压板盖在IGBT模块，将IGBT模块固定，IGBT模块与功率端子和信号端子相接触；S5、将点锡治具与压板整体翻转后，完成二次焊端子组装。本发明的IGBT模块端子焊接方法，容易控制点锡膏位置点，可以提高端子焊接质量和焊接效率。
igbt 模块端子焊接方法

[发明专利]一种倒装芯片的制备方法及倒装芯片-CN202310195981.9在审
发明人：请求不公布姓名;张辉 -专利权人：本源量子计算科技（合肥）股份有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请公开了一种倒装芯片的制备方法及倒装芯片，属于倒装芯片技术领域。本申请提供的倒装芯片的制备方法，以第一温度加热第一互连元件，并以低于互连结构熔点10℃以上且低于第一温度的第二温度加热第二互连元件，并通过施加力使第一互连元件与对置的第二互连元件相接合实现倒装焊接。由于第一温度可以确保第一互连元件达到润湿并和第二互连元件接合，且第二温度较低不会导致互连结构软化变形，因此避免了倒装焊接时互连结构发生形变而造成芯片性能参数改变的问题。
一种倒装芯片制备方法

[发明专利]设备、设备制造装置以及设备制造方法-CN202180091869.X在审
发明人：玉利健;糸井清一;樱井大辅 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：设备具备：经由多个凸块而接合的芯片、和与芯片对置的基板。设备具备：多个贯通电极，贯通芯片以及基板的至少一者，分别具有多个凸块的对应的一个凸块所连接的第1端部和与第1端部相反的第2端部；变形传感器，设置于芯片，与多个贯通电极电连接；和多个外部连接电极，与多个贯通电极的各自的第2端部连接，并且接触向变形传感器施加电压的探头。
设备制造装置以及方法