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[发明专利]DBC铜层表面氧化层去除方法-CN202210256857.4在审
发明人：陈小磊;陶少勇;杨幸运 -专利权人： 安徽瑞迪微电子有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种DBC铜层表面氧化层去除方法，包括步骤：S1、将待除氧化层的IGBT模块倒扣至限位治具内，IGBT模块上的氧化层朝上；S2、由除氧化激光设备将IGBT模块上的氧化层清除；S3、使用气枪清理IGBT模块。本发明的DBC铜层表面氧化层去除方法，具有安全性高、无异物残留和不腐蚀其他的零件或材料的优点。
dbc 表面氧化去除方法

[发明专利]IGBT模块打标方法-CN202210256821.6在审
发明人：杨幸运;陶少勇;陈小磊 -专利权人： 安徽瑞迪微电子有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT模块打标方法，包括步骤：S1、定位治具固定离型纸，离型纸上粘贴有贴纸；S2、在贴纸上进行打标信息的标刻；S3、将贴纸粘贴在IGBT模块上。本发明的IGBT模块打标方法，采用打标信息与产品分离的特殊打标方式，可以提高产品表面打标质量，降低了成本，设备的使用寿命可以得到大大提高。
igbt 模块方法

[发明专利]IGBT模块端子焊接方法-CN202210256875.2在审
发明人：杨幸运;陶少勇;陈小磊 -专利权人： 安徽瑞迪微电子有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT模块端子焊接方法，包括步骤：S1、提供点锡治具和压板；S2、将功率端子和信号端子安装至点锡治具内；S3、点锡机在功率端子和信号端子的表面上点上锡膏；S4、将IGBT模块安装至限位治具内，然后将压板盖在IGBT模块，将IGBT模块固定，IGBT模块与功率端子和信号端子相接触；S5、将点锡治具与压板整体翻转后，完成二次焊端子组装。本发明的IGBT模块端子焊接方法，容易控制点锡膏位置点，可以提高端子焊接质量和焊接效率。
igbt 模块端子焊接方法

[发明专利]IGBT模块端子缺失检测方法-CN202210256883.7在审
发明人：陈小磊;陶少勇;杨幸运 -专利权人： 安徽瑞迪微电子有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种：IGBT模块端子缺失检测方法，包括步骤：S1、提供PCB端子串联电路板，PCB端子串联电路板上设置指示灯、蜂鸣器和让IGBT模块的端子插入的端子插孔；S2、将IGBT模块安装在PCB端子串联电路板上，IGBT模块上的各个端子位置分别与PCB端子串联电路板上的一个端子插孔对齐，各个端子并分别插入一个端子插孔中；S3、通过观察指示灯和蜂鸣器的状态，判断IGBT模块是否存在端子缺失。本发明的IGBT模块端子缺失检测方法，使用PCB电路板检测的方式，产品端子插入检测板，通过指示灯和蜂鸣器的报警方式来提示端子漏装，可以提高产品质量，而且检测效率高，不需要肉眼去逐各查看端子是否缺失。
igbt 模块端子缺失检测方法

[实用新型]微沟槽栅IGBT器件-CN202223372803.9有效
发明人：朱辉;潘恒;肖秀光 -专利权人： 安徽瑞迪微电子有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微沟槽栅IGBT器件，包括P+区域、源极掺杂区域和栅极，源极掺杂区域位于栅极的两侧，源极掺杂区域与P+区域分别位于接触孔的两侧。本实用新型的微沟槽栅IGBT器件，P+区域的引入能够极大的降低接触孔与肼区之间的P型接触电阻，给空穴电流提供了专有过流通道，P+区域的引入能够降低经过源极下方的空穴电流大小，提高器件的RBSOA能力。
沟槽 igbt 器件

[发明专利]一种IGBT的设计方法-CN202010052816.4有效
发明人：陶少勇;温世达;吕磊 -专利权人： 安徽瑞迪微电子有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明适用于IGBT设计制技术领域，提供了一种IGBT的设计方法，包括如下步骤：S1、构建IGBT的元胞模型；S2、在IGBT元胞模型上调整单一的IGBT参数，IGBT参数包括元胞结构参数和工艺参数，获取各IGBT参数在不同取值下的IGBT性能指标值；S3、通对各IGBT参数对应的IGBT性能指标数据分别进行曲线拟合，获取多组IGBT参数与IGBT性能指标的拟合曲线及其对应的函数；S4、将各组IGBT参数与IGBT性能指标的函数导入目标优化函数，在IGBT的元胞模型中将各IGBT参数作为输入量，IGBT的目标性能指标作为输出量，搜索符合IGBT的目标性能指标的最优IGBT参数组合。可以通过仿真软件快速定位所需的IGBT结构并确定其结构工艺参数，极大缩短了IGBT的设计周期与设计成本。
一种 igbt 设计方法

[发明专利]平面栅SiC MOSFET器件制造方法-CN202211503298.9在审
发明人：高远;杨涛涛 -专利权人： 安徽瑞迪微电子有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面栅SiC MOSFET器件制造方法，包括步骤：S1、提供衬底，在衬底上制备外延层；S2、在外延层上制备第一硬掩膜层；S3、在第一硬掩膜层上刻蚀出第一沟槽，然后在第一沟槽内进行离子注入，形成JFET区域；S4、在JFET区域和第一硬掩膜层上制备第二硬掩膜层；S5、对第一硬掩膜层和第二硬掩膜层进行处理；S6、去除第一硬掩膜层，制备P阱区域；S7、制备N+Spacer；S8、制备P+区域；S9、制备栅氧层和Poly层；S10、制备形成ILD层；S11、淀积金属。本发明的平面栅SiC MOSFET器件制造方法，可以有效降低导通阻抗，同时使器件在阻断耐压时栅氧得到保护，提高器件的可靠性。
平面 sic mosfet 器件制造方法

[发明专利]高密度Trench IGBT的制造方法-CN202211551671.8在审
发明人：杨涛涛;肖秀光;吕磊;朱辉 -专利权人： 安徽瑞迪微电子有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种高密度Trench IGBT的制造方法，包括步骤：S1、提供一衬底；S2、在衬底上制备Pwell注入区；S3、在Pwell注入区制备沟槽，沟槽延伸至衬底；S4、在沟槽内制备栅氧化层；S5、在沟槽内制备多晶硅区；S6、在Pwell注入区上制备Nplus注入区；S7、制备绝缘介质层和正面金属区；S8、制备集电极金属区。本发明的高密度Trench IGBT的制造方法，通过将Pwell注入的工艺顺序提前至栅氧化前完成，可以提高器件RBSOA能力的同时保证阈值稳定。
高密度 trench igbt 制造方法

[实用新型]高密度沟槽栅IGBT器件-CN202223402325.1有效
发明人：朱辉;肖秀光 -专利权人： 安徽瑞迪微电子有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高密度沟槽栅IGBT器件，包括发射极PAD区和栅极PAD区，所述发射极PAD区设置第一沟槽，所述栅极PAD区设置第二沟槽，第一沟槽的长度方向与第二沟槽的长度方向相垂直，第二沟槽的宽度大于或等于第一沟槽的宽度。本实用新型的高密度沟槽栅IGBT器件，通过在器件上发射极PAD区之外的其他部位适当的增加垂直于管芯区域方向的沟槽，不同方向的应力之间难以叠加作用在晶圆上，可以减小生产过程中的翘曲程度。
高密度沟槽 igbt 器件

[发明专利]高密度沟槽栅功率芯片-CN202211503799.7在审
发明人：肖秀光;朱辉;高远;杨涛涛;潘恒 -专利权人： 安徽瑞迪微电子有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种高密度沟槽栅功率芯片，包括终端保护区、第一元胞区和第二元胞区，所述第一元胞区的条形沟槽的延伸方向与所述第二元胞区的条形沟槽的延伸方向为非平行的。本发明的高密度沟槽栅功率芯片，减小了晶圆的翘曲程度。
高密度沟槽功率芯片

[发明专利]微沟槽栅IGBT器件及其制造方法-CN202211405877.X在审
发明人：朱辉;肖秀光 -专利权人： 安徽瑞迪微电子有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种微沟槽栅IGBT器件，包括发射极PAD区和栅极PAD区，所述发射极PAD区上设置正常管芯区和短路抑制区，短路抑制区为间隔设置，每相邻两个短路抑制区之间设置正常管芯区。本发明的微沟槽栅IGBT器件，短路电流抑制区域的引入能够有效降低器件的短路电流，从而保证器件内部contact过流能力足够，短路电流值较合理。通过控制短路电流抑制区域对短路电流的抑制能力，调节短路电流抑制区域与正常管芯区域的尺寸比例，将器件短路电流控制到合适的电流值，使得器件有合适的短路耐受能力。本发明还公开了一种微沟槽栅IGBT器件的制造方法。
沟槽 igbt 器件及其制造方法

[发明专利]方针端子焊接定位方法-CN202111067977.1有效
发明人：陈小磊;陶少勇;杨幸运;罗凯 -专利权人： 安徽瑞迪微电子有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种方针端子焊接定位方法，包括步骤：S1、提供方针定位治具；S2、将方针端子插在方针定位治具上，由方针定位治具对方针端子进行定位；S3、将DBC板倒扣至方针端子的焊接面上；S4、将DBC板连同方针定位治具一起翻转180°，使DBC板处于方针端子的下方；S5、对DBC板与方针端子进行焊接；其中，方针定位治具具有让方针端子的针杆插入的定位孔和让方针端子的针肩插入的定位槽。本发明的方针端子焊接定位方法，通过特定治具对方针端子进行多重定位，解决焊接时针脚旋转及焊接后拆卸困难问题，适用于批量生产。
方针端子焊接定位方法

[发明专利]功率半导体器件制造方法-CN202111325572.3在审
发明人：朱辉;高远;肖秀光;潘恒 -专利权人： 安徽瑞迪微电子有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件制造方法，包括步骤：S1、提供衬底，在衬底上制备外延层；S2、在外延层上制备第一硬掩膜层；S3、离子注入形成P阱区域；S4、制备N+Spacer；S5、离子注入形成N+区域；S6、制备JFET区域；S7、制备P+区域；S8、依次制备栅氧层、Poly层和ILD层；S9、制备侧墙；S10、制备source金属，侧墙隔离Poly层与source金属，source金属与N+区域和P+区域同时接触。本发明的功率半导体器件制造方法，通过刻蚀出侧墙形成隔离绝缘层，可以大大降低隔离绝缘层的厚度，从而可以保证器件功能正常的同时，缩小元胞尺寸，增加器件的过流能力。
功率半导体器件制造方法

[发明专利]Trench Gate MOS型功率器件的制作方法-CN202210564710.1在审
发明人：朱辉;肖秀光 -专利权人： 安徽瑞迪微电子有限公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种Trench Gate MOS型功率器件的制作方法，包括步骤：S1、在晶圆上形成Pwell区域；S2、在Pwell区域上形成硬掩膜层；S3、打开硬掩膜层，通过硬掩膜层蚀刻硅片形成沟槽；S4、去除硬掩模层；S5、生长栅极氧化层，沉积第一层多晶硅；S6、第一层多晶硅退火后，在第一层多晶硅上沉积第二层多晶硅；S7、去除表面的多晶硅和全部栅极氧化层，然后生长Pad oxide；S8、形成正面发射极；S9、在晶圆背面依次形成场终止层、P+集电极和背面集电极金属。本发明通过将多晶硅分成两次生长减小沟槽内多晶硅的收缩效应，降低多晶硅收缩产生的拉应力，改善晶圆翘曲。
trench gate mos 功率器件制作方法

[实用新型]IGBT模块端子焊接防变形装置-CN202122206496.6有效
发明人：陈小磊;陶少勇;杨幸运;罗凯 -专利权人： 安徽瑞迪微电子有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： B23K37/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种IGBT模块端子焊接防变形装置，包括用于对第一端子和第二端子提供支撑的支架以及设置于支架上且用于插入第一端子和第二端子之间的卡销。本实用新型的IGBT模块端子焊接防变形装置，通过设置支架和卡销相配合，对端子提供支撑，可以减小端子焊接过程中的变形量。
igbt 模块端子焊接变形装置

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