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[发明专利]一种具有四元势垒层的高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202310878512.7在审
发明人：白俊春;涂亮亮;汪福进;平加峰 -专利权人：江西万年晶半导体有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有四元势垒层的高电子迁移率晶体管及其制作方法，所述高电子迁移率晶体管包括衬底层、缓冲层、GaN沟道层、AlInGaN势垒层、SiN层、介质层、栅极、源极和漏极；本发明的具有极化匹配四元势垒层的增强型绝缘栅高电子迁移率晶体管采用AlInGaN势垒层材料，在外延生长过程中采用In作为表面活性剂，能够有效的增加Al原子在生长表面的迁移率，使得Al组分空间分布均匀，不存在由于局部应力过大而导致的弛豫现象，进而获得高晶体质量的高Al组分AlInGaN势垒层，较好解决了传统高Al摩尔组分AlGaN势垒层的材料缺陷问题，有利于实现更低的导通电阻和更高的击穿电压。
一种具有四元势垒层电子迁移率晶体管及其制作方法

[实用新型]氮化镓芯片的封装结构-CN202320746445.9有效
发明人：白俊春;程斌;平加峰 -专利权人：江苏芯港半导体有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本实用新型提出一种氮化镓芯片的封装结构，包括盒体、辅助组件和两个锁止机构，其中，盒体的内部侧壁上分别开设有两个限位槽和两个导向槽，辅助组件设置在盒体内，辅助组件包括第一板体、多个伸缩装置和第二板体，其中，第一板体可滑动地设置在两个限位槽内；多个伸缩装置设置在第一板体和第二板体之间；两个锁止机构与辅助组件连接，锁止机构包括支耳、连杆和限位杆，其中，支耳连接在第一板体上；连杆的一端可转动地连接在支耳上；限位杆设置在连杆的另一端。本实用新型实施例的氮化镓芯片的封装结构，能够对芯片进行固定，避免芯片引脚出现弯折，导致初次封装基材被撕裂的情况出现，从而提高了芯片的出厂合格率。
氮化芯片封装结构

[发明专利]具有垂直AlGaN/GaN异质结的GaN基肖特基二极管及其制备方法-CN202310293807.8在审
发明人：白俊春;程斌;平加峰;汪福进 -专利权人：江苏芯港半导体有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有垂直AlGaN/GaN异质结的GaN基肖特基二极管及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：一、外延材料生长；二、再生长凹槽制作及再生长；三、电极制作。其能降低漂移层的等效电阻，提高单位面积的电流密度和面积使用率，从而提高了二极管的正向电流密度。
具有垂直 algan gan 异质结基肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种GaN基HEMT器件外延结构及生长方法-CN202310451195.0在审
发明人：程斌;白俊春;平加峰 -专利权人：江苏芯港半导体有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于半导体元器件技术领域，具体涉及一种GaN基HEMT器件外延结构及生长方法，包括硅衬底以及依次从衬底表面硅衬底表面生长的氮化铝层、氮化镓铝缓冲层、氮化镓外延层、氮化镓沟道层、氮化镓铝势垒层以及GaN帽层；所述氮化镓铝缓冲层包括：氮化镓铝渐变层：Al组分从1渐变至0.45‑0.65；氮化镓铝稳定层：Al组分保持固定值生长，Al组分介于0.45‑0.65；氮化镓铝超晶格层：AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN，x介于0.45‑0.65，y介于0.25‑0.45；AlzGa1‑zN渐变层：Al组分从0.25‑0.45渐变至0.02‑0.20。克服了现有技术的不足，通过优化生长氮化镓铝缓冲层的外延生长工艺，可以有效改变面内的压缩应变值，降低位错密度，提高晶体质量，同时，又避免了熔刻现象，改善表面形态，提高了器件性能。
一种 gan hemt 器件外延结构生长方法

[发明专利]一种具有片内三维微流道结构的GaN HEMT器件及其制作方法-CN202310497773.4在审
发明人： 平加峰;白俊春;程斌 -专利权人：上海格晶半导体有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有片内三维微流道结构的GaN HEMT器件及其制作方法，所述GaN HEMT器件包括具有三维微流道结构的AlN层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、源极、漏极、栅极和钝化层；所述GaN HEMT器件的制作方法如下所示：步骤1、外延材料生长；步骤2、有源区的制作；步骤3、电极制作；步骤4、SiO网格结构的制作；步骤5、多层SiO网格结构的制作；步骤6、三维微流道结构的制作；在本发明所制备的具有片内三维微流道结构的GaN HEMT器件中，通过微流道结构设计，可以将液体引入芯片内部的热源区，液体吸收热量，有效降低了GaN器件的热积累效应。
一种具有三维微流道结构 gan hemt 器件及其制作方法

[发明专利]具有垂直AlGaN/GaN结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202310275915.2在审
发明人：程斌;白俊春;平加峰;汪福进;贾永 -专利权人：江苏芯港半导体有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有垂直AlGaN/GaN结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：1、外延材料生长；2、垂直结构实现；3、漏电极制作；4、源电极制作；5、欧姆金属退火；6、栅电极制作；7、完成互联引线的制作。其能够解决目前常规GaN基高电子迁移率晶体管器件阈值电压小于0且耐压能力差的问题。
具有垂直 algan gan 结构电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]一种复合型GaN基肖特基势垒二极管及其制作方法-CN202310349804.1在审
发明人：白俊春;程斌;平加峰;贾永 -专利权人：上海格晶半导体有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合型GaN基肖特基势垒二极管及其制作方法，复合型GaN基肖特基势垒二极管包括衬底层、若干异质结层、传输层、漂移层、介质层、阳极和阴极；若干异质结层依次叠设于衬底层上；传输层设置于异质结层上；漂移层设置于传输层上；介质层设置于传输层和漂移层的内侧面上；阳极设置于漂移层顶面、介质层侧面和异质阶层的外侧面上；阴极设置于传输层顶面、外侧面和异质结层的外侧面上；本发明所制备的复合型GaN基肖特基势垒二极管中，通过凹槽设计，使阳极顶部与GaN漂移层接触，阳极侧面和底部与多个异质结结构接触，使得器件的导通电阻更低、电流驱动能力更强。
一种复合型 gan 肖特基势垒二极管及其制作方法

[发明专利]一种具有多层微流道结构的GaN HEMT器件及其制备方法-CN202310437299.6在审
发明人：程斌;白俊春;平加峰 -专利权人：上海格晶半导体有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L23/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有多层微流道结构的GaN HEMT器件及其制备方法，所述GaN HEMT器件包括SiN钝化层、源极、栅极、漏极、AlNGaN势垒层、GaN缓冲层、Buffer层和多层AlN微流道结构；所述SiN钝化层、AlNGaN势垒层、GaN缓冲层、Buffer层和多层AlN微流道结构自上至下依次设置，所述源极、栅极和漏极从左至右依次设置于SiN钝化层底部；本发明通过多层微流道结构极大地提高了器件的散热能力，增加了GaN器件的可靠性；本发明可靠并高效地提出了具体的制备方法，降低了制作成本，简单高效可重复。
一种具有多层微流道结构 gan hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种具有n-GaN二次外延层的GaN基高电子晶体管及其制作方法-CN202310419003.8在审
发明人：白俊春;程斌;平加峰 -专利权人：上海格晶半导体有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有n‑GaN二次外延层的GaN基高电子晶体管及其制作方法，所述GaN基高电子晶体管包括衬底层、Buffer层、GaN层、ALGaN层、n‑GaN二次外延层、栅极、栅极凹槽、源极和漏极，所述GaN层包括第一GaN层和第二GaN层，所述ALGaN层包括第一ALGaN层和第二ALGaN层；本发明所制备的具有n‑GaN二次外延层的多沟道凹槽GaN基高电子迁移率晶体管，外延生长的的n‑GaN二次外延层与栅极相接触，避免了刻蚀后的侧壁损伤层引入的漏电，并且有利于提高各沟道层在垂直方向的连通性，确保器件具有较大的电流驱动能力。
一种具有 gan 二次外延电子晶体管及其制作方法

[发明专利]一种GaN基准垂直结势垒肖特基二极管及其制作方法-CN202310437391.2在审
发明人：程斌;白俊春;平加峰 -专利权人：上海格晶半导体有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基准垂直结势垒肖特基二极管及其制作方法，所述GaN基准垂直结势垒肖特基二极管包括衬底层、传输层、漂移层、P+二次外延层、阳极和阴极；所述传输层设置于衬底层上方；所述漂移层设置于传输层上方；所述漂移层上设有若干凹槽，所述P+二次外延层设置于凹槽中；所述阳极设置于漂移层顶面和P+二次外延层上面及内侧面上；所述阴极设置于传输层顶面；本发明所制备的具有二次外延p型凹槽阳极的GaN基准垂直结势垒肖特基二极管，阳极凹槽中的P+二次外延层，即重掺杂的P型GaN，与N‑GaN漂移层之间形成PN结，保留了传统JBS的优点，如开启电压低，反向漏电小和耐压高，且开关速率高。
一种 gan 基准垂直结势垒肖特基二极管及其制作方法

[发明专利]一种去除蓝宝石衬底的GaN-HEMT芯片及其制作方法-CN202310498488.4在审
发明人： 平加峰;白俊春;程斌 -专利权人：上海格晶半导体有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除蓝宝石衬底的GaN‑HEMT芯片，GaN‑HEMT芯片包括永久基板、键合层、外延层、源极、漏极、栅极和绝缘层，外延层包括缓冲层、沟道层、势垒层和P型GaN层；键合层设置于永久基板上方，缓冲层设置于键合层上方，沟道层设置于缓冲层上方，势垒层设置于沟道层上方，源极和漏极分别设置于势垒层左右两端，P型GaN层设置于源极和漏极之间；本发明中GaN‑HEMT芯片去除掉了导热差的蓝宝石衬底，键合上导热好的永久基板，能大幅度提高GaN‑HEMT芯片的功率密度；且GaN‑HEMT层是在蓝宝石衬底上生长，其外延层质量要远好于硅衬底上生长，同时又比SiC衬底有更好的经济效益。
一种去除蓝宝石衬底 gan hemt 芯片及其制作方法

[发明专利]一种准垂直二极管的制备方法-CN202310451245.5在审
发明人：白俊春;程斌;平加峰 -专利权人：江苏芯港半导体有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明属于半导体元器件技术领域，具体涉及一种准垂直二极管的制备方法，包括以下具体步骤：选取蓝宝石或碳化硅作为衬底层；在衬底层上，生长缓冲层,然后依次生长沟道层、氮化铝薄膜以及超晶格匹配的势垒层，从而形成3‑6组异质结层，之后生长一层高掺导电的传输层，最后生长低掺杂的漂移层，形成外延结构；在所述外延结构上设置阴极台面；对所述阴极台面上表面甩光刻胶，并对光刻胶进行阴极曝光，在阴极槽内形成光刻胶掩模；光刻胶显影结束后再次进行烘胶，使光刻胶具有更强的抗刻蚀能力。通过多沟道的异质结层所带来的形成的多个并联二维电子气通路，进而使材料方阻显著降低，降低所制备器件的导通电阻，提高电流驱动能力。
一种垂直二极管制备方法

[发明专利]一种GaN基HEMT器件的外延结构及其生长方法-CN202310451119.X在审
发明人：程斌;白俊春;平加峰 -专利权人：江苏芯港半导体有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于半导体元器件技术领域，具体涉及一种GaN基HEMT器件的外延结构，包括硅衬底以及依次从硅衬底表面生长的AlN层、AlGaN位错复合调控层、高阻GaN外延层、GaN沟道层、AlGaN势垒层以及GaN帽层；所述AlGaN位错复合调控层包括依次叠加的AlxGa1‑xN单晶层、AlyGa1‑yN单晶层、AlzGa1‑zN单晶层和AlvGa1‑vN单晶层。通过优化的AlGaN位错复合调控层包含具有Ga空位的外延功能层，通过在外延生长中引入大量Ga空位，使得位错发生弯曲而湮没，从而提高晶体质量，减少位错，提高GaN基HEMT器件的漏电特性和耐压能力。
一种 gan hemt 器件外延结构及其生长方法

[发明专利]一种具有垂直浮空金属环的高压GaN基二极管及其制作方法-CN202310268407.1在审
发明人：白俊春;程斌;平加峰 -专利权人：上海格晶半导体有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有垂直浮空金属环的高压GaN基二极管及其制作方法，所述高压GaN基二极管包括自支撑N+GaN衬底层、N‑GaN渡越层、肖特基金属、肖特基阳极和欧姆金属阴极；所述N‑GaN渡越层设置于自支撑N+GaN衬底层上方，所述肖特基金属设置于N‑GaN渡越层斜侧面上，所述肖特基阳极设置于N‑GaN渡越层顶面上，所述欧姆金属阴极设置于自支撑N+GaN衬底层底面上；本发明通过垂直结构使得器件电流可以垂直流通，使得GaN材料的高击穿特性得到更加充分地体现，相比于横向二极管，具有更高的击穿电压，更适用于商业；利用倾斜MESA结构形成梯形N‑GaN渡越层，有效分散电场，提高击穿电压。
一种具有垂直金属环高压 gan 二极管及其制作方法

[发明专利]一种具有阶梯浮空金属环的高压GaN基二极管及其制作方法-CN202310281861.0在审
发明人：白俊春;程斌;平加峰 -专利权人：上海格晶半导体有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有阶梯浮空金属环的高压GaN基二极管，所述高压GaN基二极管包括N+GaN层、N‑GaN层、阶梯浮空金属环、阴极和阳极；所述N‑GaN层设置于N+GaN层上方，所述阶梯浮空金属环设置于N‑GaN层里面，所述阴极设置于N+GaN层底面上，所述阳极设置于N‑GaN层顶面上；本发明中的阶梯浮空金属环结构不会引入额外的寄生电容，同时对中间电流导通部分的N‑GaN层影响很小；正向电流密度没有明显降低；垂直阶梯浮空金属环结构在垂直方向上分散电场，相对比水平浮空金属环能够更大幅度提高击穿电压。
一种具有阶梯金属环高压 gan 二极管及其制作方法

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