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[发明专利]半导体工艺设备的排气装置及半导体工艺设备-CN202010871532.8有效
发明人：董金卫 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺设备的排气装置及半导体工艺设备，排气装置中排气接管用于与工艺腔室的排气口连接引流出工艺腔室内气体；排气管路与排气接管连接用于排出排气接管中气体，排气管路的内部通道与排气接管的内部通道共同形成排出气体的排气通道；排气管路和排气接管中一个的外周壁上设置凸起部，另一个的外周壁上设置配合部，凸起部与配合部对接形成叠置的两个对接面之间设置环形密封圈；环形密封圈与排气通道之间设置用于阻隔流经排气通道的气体向环形密封圈传导热量的隔热结构。本发明提供的半导体工艺设备的排气装置及半导体工艺设备能够提高环形密封圈的使用寿命及使用可靠性，从而提高半导体工艺设备的安全性及半导体工艺的稳定性。
半导体工艺设备排气装置

[发明专利]显示面板制作方法和显示面板-CN202010003793.8有效
发明人：张民;张振宇;顾维杰;左警帅;郭志林;张福爽 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本申请公开一种显示面板制作方法和显示面板。首先在所述基底表面形成光阻层。然后对所述光阻层图案化处理，在经过图案化处理后的所述光阻层曝光处理。最后在曝光处理后的所述光阻层远离所述基底的表面形成金属层。由于经过曝光处理后的所述光阻层远离所述基底的表面含氮基团的数量会减小或消失，因此在所述光阻层远离所述基底的表面形成所述金属层时，所述金属层不会与所述含氮基团反应生成络合物，从而不会影响所述光阻层的平整性，因而能够保证所述显示面板的显示效果，提高了产品的良率。
显示面板制作方法

[发明专利]一种获取EMI不超标的快恢复二极管的方法-CN202211026408.7在审
发明人：王汛;林陆毅 -专利权人：常州银河电器有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种获取EMI不超标的快恢复二极管的方法，区别于传统扩散方式，采用相对浓度较低的硼源，降低硼在P/N附件势垒区的浓度分布，减小了反向恢复电流对电路的冲击；利用同批产品电性相对一致性原理在芯片切粒后进行封装，按照正向电压值VF大小进行排序，从小到大按区间进行QRR波形测试，即通过生产工艺及测试方法的改进可以有效控制EMI超标的快恢复二极管出厂；且这种方法不会额外增加生产成本，不会降低原先产品的可靠性且易于实现。
一种获取 emi 标的恢复二极管方法

[发明专利]一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法-CN202210640920.4在审
发明人：杨大宝;刘波;邢东;赵向阳;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法。该制备方法包括：在金刚石基片上生长砷化镓多晶薄膜层，其中，砷化镓多晶薄膜层为半绝缘砷化镓；在砷化镓多晶薄膜层上制备肖特基二极管的器件层。本发明能够通过在金刚石基片上直接生长砷化镓多晶薄膜层，在此基础上制备肖特基二极管，金刚石基片代替砷化镓衬底作为肖特基二极管的结构支撑，工艺流程简单，生产周期短，可靠性高，提升了砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管的散热性能。
一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种顶层是金属镍的腐蚀工艺-CN202210956727.1在审
发明人：唐红梅;孙培;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：一种顶层是金属镍的腐蚀工艺。本发明用PBE腐蚀液和新的腐蚀流程加工，PBE腐蚀液主要是腐蚀Ni表面的氧化镍，再用NiAg腐蚀液腐蚀纯Ni金属。腐蚀液（PBE）成分：冰乙酸（CH3COOH）：硝酸（HNO3）：氢氟酸（HF）=3.7%：2%：8.9%。PBE不仅能腐蚀氧化层，它同时也可以腐蚀Ti,下层金属Ti也主要靠PBE腐蚀。腐蚀流程中PBE腐蚀10S后，将表面氧化镍腐蚀干净，然后不冲水，直接提到NiAg腐蚀液中将表面Ni腐蚀干净，提出冲水，接着腐蚀下层金属Ti。本发明具有加工简便，氧化镍腐蚀干净高效等特点。
一种顶层金属腐蚀工艺

[发明专利]旋转基板激光退火-CN201680040639.X有效
发明人：约瑟夫·M·拉内什;沙善·夏尔马;迪瓦卡尔·N·科德拉雅;阿伦·缪尔·亨特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式涉及基板的热处理。更具体而言，在此所描述的实施方式涉及闪光尖峰退火处理及适合执行这种处理的设备。在一个实施方式中，热处理设备可包括灯辐射源、激光源及设置在灯辐射源与激光源之间的反射板。一或更多个孔可形成于反射板中，且激光源可被定位成与反射板相邻，使得从激光源发射的激光光束传播通过一或更多个孔。在一个实施方式中，反射板可为大体圆形的，且一或更多个孔可近似于反射板的扇形区。
旋转激光退火

[发明专利]复合部件及复合部件的制造方法及含有脂肪族聚碳酸酯的层-CN201680051797.5有效
发明人：井上聪;下田达也;深田和宏;西冈圣司;铃木正博 -专利权人：国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学;住友精化株式会社
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明的课题在于，提供一种实现微细配线形成的简便化及/或高品质化的复合部件。本发明的解决手段在于，本发明的一种复合部件(100)，其配置在基材上的多个岛状含有脂肪族聚碳酸酯的层的至少表面，曝露在含有180nm以上且370nm以下的波长的紫外光15分钟后，纯水与其表面的接触角度为50°以上，在各个该前体层所夹持的区域的至少一部分，具备位于前述基材上的金属墨液。
复合部件制造方法含有脂肪聚碳酸酯

[发明专利]改善温度偏差特性的基板加热装置-CN201680052441.3有效
发明人：郑哲镐;崔晋荣;崔允豪 -专利权人：美科陶瓷科技有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明涉及基板加热装置，更具体而言，涉及如下一种基板加热装置，包括位于基板加热装置的内部区域的第一发热体、位于外部区域的第二发热体及横穿所述内部区域而向第二发热体传输电力的第三发热体构成，通过使构成所述第三发热体的金属线直径比构成所述第二发热体的金属线直径更厚，可以抑制因所述第三发热体发热而发生过热区域。本发明具有的效果是公开一种基板加热装置，作为对基板加热的基板加热装置，其特征在于，包括：主体部，其支撑基板；第一发热体，其位于所述主体部的内部区域；第二发热体，其位于环绕所述内部区域的外部区域；及第三发热体，其横穿所述主体部的内部区域，向所述第二发热体传递电流，构成所述第三发热体的金属线直径比构成所述第二发热体的金属线直径粗。
改善温度偏差特性加热装置

[发明专利]一种金属剥离方法及LED制备方法-CN202210819190.4在审
发明人：邓高杰 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属剥离方法及LED制备方法，在晶圆上制备图形化光刻胶并蒸镀金属膜层之后，将蒸镀后的晶圆浸没在显影液中，使用超声去除光刻胶上的金属膜层，因此通过超声湿法的方式去除光刻胶上的金属膜层，从而消除干法剥离产生的静电；将去除光刻胶上的金属膜层的晶圆浸没在光阻剥离液中，去除光刻胶。由此可见，通过超声湿法的方法进行金属剥离，再使用光阻剥离液去除光刻胶，即金属剥离与光刻胶去除是分开进行的，在金属剥离时保留完整的光刻胶能够对晶圆起保护作用，从而提高晶圆的IR良率和抗ESD能力。
一种金属剥离方法 led 制备

[发明专利]等离子体蚀刻方法-CN202211004556.9在审
发明人：依田悠;神户乔史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在内表面具有含铝物的处理容器内，使用含氯气体对Ti/Al/Ti叠层膜进行等离子体蚀刻时，抑制含铝物的消耗。本发明的等离子体蚀刻方法包括：向内表面的至少一部分由含铝物形成的处理容器内，搬入具有下层Ti膜、Al膜和上层Ti膜叠层而成的Ti/Al/Ti叠层膜、且在其上形成有图案化的抗蚀剂层的基板的工序；和生成包含含氯气体的蚀刻气体和氮气的等离子体，以抗蚀剂层为掩模，利用生成的等离子体对Ti/Al/Ti叠层膜进行等离子体蚀刻的蚀刻工序。
等离子体蚀刻方法

[发明专利]肖特基二极管及其制备方法-CN202210900661.4在审
发明人：王国峰;李京兵;呼彩霞 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请公开了一种肖特基二极管及其制备方法，涉及半导体芯片制造技术领域。该肖特基二极管制备方法在制备肖特基二极管时，首先提供肖特基二极管芯片，肖特基二极管芯片具有势垒层。之后，根据势垒层的位置形成剥离层，使剥离层的第一通孔的位置正对势垒层。如此，当在剥离层的第一通孔内形成第一金属层时，即可使第一金属层正对势垒层，从而使第一金属层作为肖特基二极管的阳极。其中，沿远离肖特基二极管芯片的方向第一通孔的直径线性减小。如此，可以减小剥离层与第一金属层之间的结合力，便于剥离层的剥离，从而提高肖特基二极管的制备速率。
肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]金属薄膜的制备方法-CN202210761872.4在审
发明人：康晓旭 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属薄膜的制备方法，包括：提供半导体结构层；在所述半导体结构层上依次形成若干层第一金属薄膜和一层第二金属薄膜，每次形成一层所述第一金属薄膜之后，均执行掺杂工艺在所述第一金属薄膜中形成合金颗粒，所述合金颗粒的尺寸小于所述第一金属薄膜中金属颗粒的尺寸，且位于所述第一金属薄膜的表面的合金颗粒的浓度最高，所述第二金属薄膜和所有所述第一金属薄膜构成所述金属薄膜；本发明降低了金属薄膜的表面的粗糙度。
金属薄膜制备方法

[发明专利]一种垂直高压JBS二极管及其制作方法-CN202210579748.6在审
发明人：刘国梁;樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开一种垂直高压JBS二极管及其制作方法，其中，该垂直高压JBS二极管的制作方法，包括以下步骤：提供衬底：衬底具有正面和背面；制作n型轻掺杂外延层：在衬底的正面上生长n型轻掺杂外延层；制作p型重掺杂区：在n型轻掺杂外延层的表面制作多个间隔布置的p型重掺杂区；制作正面金属电极：在n型轻掺杂外延层的表面上制作正面金属电极，正面金属电极与p型重掺杂区形成欧姆接触，正面金属电极还与n型轻掺杂外延层上p型重掺杂区以外的区域形成肖特基接触。肖特基接触结构具有正向低开启电压的特点，正向电压增加后，PN结开启，提高了工作电压范围；而受到反向电压时，p型重掺杂区反向时候势垒耗尽，防止肖特基接触结构击穿。
一种垂直高压 jbs 二极管及其制作方法

[发明专利]一种垂直高压高浪涌JBS二极管及其制作方法-CN202210579938.8在审
发明人：刘国梁;樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开一种垂直高压高浪涌JBS二极管及其制作方法，其中，垂直高压高浪涌JBS二极管包括以下步骤：提供衬底：衬底具有正面和背面；制作n型轻掺杂外延层：在衬底的正面上生长n型轻掺杂外延层；制作p型重掺杂区：在n型轻掺杂外延层的表面制作多个间隔布置的p型重掺杂区；制作欧姆接触结构：在p型重掺杂区的表面上制作金属层而形成欧姆接触结构；制作正面金属电极：在n型轻掺杂外延层的表面上制作正面金属电极，正面金属电极连接至金属层并与n型轻掺杂外延层上p型重掺杂区以外的区域形成肖特基接触结构。本发明通过在p型重掺杂区的表面上制作金属层而形成欧姆接触结构，然后制作肖特基接触结构，得到具有高浪涌特点的二极管。
一种垂直高压浪涌 jbs 二极管及其制作方法

[发明专利]在晶片上生长外延层的方法-CN202210272676.0在审
发明人：姜东昊;金根怜 -专利权人：爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：实施例提供在晶片上生长外延层的方法，所述方法包括以下步骤：(a)将至少一个晶片引入处理腔室中，(b)在使用升降杆支撑晶片的同时将晶片装载到与基座邻近的区域，(c)预加热晶片，以及(d)将晶片放入基座的袋中并加热晶片，以在晶片上沉积外延层，其中，步骤(a)和步骤(b)中的基座上方的第一灯的输出和基座下方的第二灯的输出被设置为与步骤(c)和步骤(d)中的第一灯的输出和第二灯的输出不同。
晶片生长外延方法