[发明专利]EUV光刻用防护膜及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201810511606.X 申请日: 2018-05-25
公开(公告)号: CN109765752B 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 南基守;李昌焄;洪朱憙;朴铁均 申请(专利权)人: 思而施技术株式会社
主分类号: G03F1/48 分类号: G03F1/48;G03F1/22;G03F1/80;G03F1/76;G03F1/62
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 樊晓焕;金小芳
地址: 韩国大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开了一种极紫外(EUV)光刻用防护膜。该防护膜可以包括:支撑层图案,其通过蚀刻支撑层而形成;防护膜层,其形成在所述支撑层图案上;和蚀刻停止层图案,其形成在所述支撑层图案与所述防护膜层之间,并且在蚀刻所述支撑层时通过对停止蚀刻的蚀刻停止层进行蚀刻而形成。因此,本发明提供了一种EUV光掩模用防护膜,其在具有最小厚度的同时保持了高的EUV曝光光线透过率,并且机械强度和热特性优异。
搜索关键词: euv 光刻 防护 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种极紫外(EUV)光刻用防护膜,该防护膜包括:支撑层图案,其通过蚀刻支撑层而形成;防护膜层,其形成在所述支撑层图案上;和蚀刻停止层图案,其形成在所述支撑层图案与所述防护膜层之间,并且在蚀刻所述支撑层时通过对停止蚀刻的蚀刻停止层进行蚀刻而形成。
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