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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括保护膜的光掩模-CN202210503392.8在审
发明人： 河泰中 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G03F1/48 文献下载
摘要：提供了包括保护膜的光掩模。光掩模可以包括基板和保护膜，并且掩模图案可以设置在基板上。保护膜可以包括提供多个孔的碳纳米管膜。保护膜可以包括位于碳纳米管膜上的涂层。
包括保护膜光掩模

[发明专利]用于EUV光刻的相移掩模和该相移掩模的制造方法-CN202210003300.X在审
发明人： 河泰中 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本公开涉及用于EUV光刻的相移掩模和该相移掩模的制造方法。提供了一种用于极紫外光刻的相移掩模和制造该相移掩模的方法。该相移掩模包括基板、反射层、装置图案、框架图案或相移图案。框架图案是包括暴露反射层的部分的对准孔的图案。相移图案与装置图案交叠。
用于 euv 光刻相移制造方法

[发明专利]用于抑制热吸收的光掩模基板和光掩模-CN201910124028.9有效
发明人： 河泰中 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-02-04 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：一种光掩模基板和/或光掩模，包括：透光衬底；被设置在所述透光衬底上的高反射材料层；以及被设置在所述高反射材料层上的转移图案层。所述高反射材料层以预设的反射率反射光，以透过所述透光衬底。
用于抑制吸收光掩模基板光掩模

[发明专利]EUV光刻用表膜及其制造方法-CN202110986701.7在审
发明人： 河泰中 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本申请涉及EUV光刻用表膜及其制造方法。公开了一种极紫外EUV光刻用表膜及其制造方法。EUV光刻用表膜包括具有多个通孔的表膜膜片。表膜膜片包括芯层和覆盖并保护芯层的保护层。框架支撑表膜膜片。
euv 光刻用表膜及其制造方法

[发明专利]反射掩模及其制造方法-CN201510482805.9有效
发明人：李仁桓;丘善英;金瑞玟;金用大;金辰寿;李柄勋;林美晶;林昌文;河泰中;玄润锡 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：一种反射掩模，包括：第一反射层，布置在掩模衬底之上；第一覆盖层，布置在第一反射层之上；第二反射图案，布置在部分第一覆盖层之上，以及移相器，布置在第二反射图案与第一覆盖层之间，以引起从第一反射层反射的第一光线和从第二反射图案反射的第二光线之间的相位差。还提供了相关方法。
反射及其制造方法

[发明专利]用于抑制热吸收的光掩模基板和光掩模-CN201510058665.2有效
发明人： 河泰中 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-02-04 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：一种光掩模基板和/或光掩模，包括：透光衬底；被设置在所述透光衬底上的高反射材料层；以及被设置在所述高反射材料层上的转移图案层。所述高反射材料层以预设的反射率反射光，以透过所述透光衬底。
用于抑制吸收光掩模基板光掩模

[发明专利]用于抑制热吸收的光掩模基板和光掩模-CN201910121990.7在审
发明人： 河泰中 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-02-04 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：一种光掩模基板和/或光掩模，包括：透光衬底；被设置在所述透光衬底上的高反射材料层；以及被设置在所述高反射材料层上的转移图案层。所述高反射材料层以预设的反射率反射光，以透过所述透光衬底。
高反射材料透光衬底光掩模基板光掩模转移图案层反射光反射率热吸收预设

[发明专利]空白掩模和使用该空白掩模制造光掩模的方法-CN200810088419.1无效
发明人： 河泰中 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-03-26 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种空白掩模和使用该空白掩模制造光掩模的方法。光掩模使用包括碳层和氧化物层的空白掩模而形成于透明衬底的目标层上。所述碳层和氧化物层布置在蚀刻目标层上。氧化物层通过选择性地暴露所述蚀刻目标层的光刻而形成为氧化物层图案。碳层图案通过使用氧化物层图案蚀刻所述碳层而形成。蚀刻目标层图案通过使用所述碳层图案作为硬掩模蚀刻所述蚀刻目标层而形成。因此，碳层的足够的厚度可以使用采用所述氧化物层和碳层的蚀刻选择性特性的薄氧化物层图案而被蚀刻。此外，所述蚀刻目标层图案可以具有预定的垂直轮廓。碳层图案可以使用氧等离子体被去除而不损坏下面的蚀刻目标层图案。
空白使用制造光掩模方法

[发明专利]用于修复光掩模的桥接的方法-CN200710149700.7无效
发明人： 河泰中 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-09-13 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于修复光掩模中的桥接的方法，该方法包括：在透明基板上布置相位偏移层图案及光屏蔽层图案，其中该相位偏移层图案布置在该透明基板及该光屏蔽层图案之间；该光掩模的整个表面上形成抗蚀剂层，其中该光掩模具有在相位偏移层图案的相邻部分之间造成桥接的缺陷图案；通过蚀刻该抗蚀剂层来露出该缺陷图案；以及移除该露出的缺陷图案。
用于修复光掩模方法

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