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[发明专利]预测OLED器件寿命的方法及系统-CN202110004309.8有效
发明人：李灏;颜志敏;孟辉辉;刘强;刘俊伟 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请提供了一种预测OLED器件寿命的方法及系统，该方法包括：对多个OLED器件分别施加对应的温度和电流进行点亮处理，其中，至少部分所述OLED器件对应的温度和/或电流不同；响应于至少部分所述OLED器件的亮度衰减至目标值，获取多个所述OLED器件对应的时间与亮度形成的第一曲线；利用多条所述第一曲线拟合获得与温度以及电流相关的亮度衰减函数。通过上述设计方式，本申请能够降低预测OLED器件寿命的误差。
预测 oled 器件寿命方法系统

[实用新型]一种功率器件电应力冲击电路及多工位电路-CN202320195493.3有效
发明人：陈宏亮;刘惠鹏 -专利权人：北京华峰测控技术股份有限公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种功率器件电应力冲击电路及多工位电路，该功率器件电应力冲击电路包括驱动电路、充电电路、电流源电路、储能电路、负载电路和电压测量电路。通过本实用新型实施例的功率器件电应力冲击电路，充电电路为储能电路充电，存储电能，负载电路在储能电路作用下使被测器件在导通过程中形成源极和漏极之间的电应力冲击脉冲电流，实现功率器件导通时电压和电流交叠，模拟完成功率器件真实的导通和关闭的状态，激发出功率器件真实的电流崩塌效应特性，以便于准确获得实际应用中功率器件的动态特性，从而准确评估器件导通特性。
一种功率器件应力冲击电路多工位

[实用新型]一种具有示波功能的多功能晶体管测试仪-CN202320664157.9有效
发明人：贝创涛 -专利权人：深圳市菲尼瑞斯科技有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开一种具有示波功能的多功能晶体管测试仪，涉及测量仪器技术领域，包括：波形检测单元和晶体管测试仪本体；波形检测单元包括:耦合电路、一次衰减电路、二次衰减电路和偏置放大电路；耦合电路与一次衰减电路连接，用于对输入信号进行耦合，得到耦合信号；一次衰减电路与二次衰减电路连接，用于缩小耦合信号的幅值，得到一次衰减信号；二次衰减电路与偏置放大电路连接，用于缩小耦合信号的幅值，得到二次衰减信号；偏置放大电路与晶体管检测仪本体连接，用于对二次衰减信号进行偏置放大，得到输出信号；晶体管测试仪本体用于接收并显示输出信号。本实用新型的晶体管测试仪具有示波器功能，功能齐全。
一种具有功能多功能晶体管测试仪

[发明专利]车辆中结温估算参数的确定方法、装置和车辆-CN202310813076.5在审
发明人：刘佳男;潘彦全;刘志强;王斯博;岳云峰 -专利权人：中国第一汽车股份有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种车辆中结温估算参数的确定方法、装置和车辆。其中，该方法包括：获取车辆中功率器件在不同工况下的工况数据，其中，工况数据用于表示功率器件在不同工况下的工作状态，工况数据包括以下至少之一：运行数据、损耗数据和温度数据；对工况数据进行拟合，得到功率器件的初始结温估算参数；对初始结温估算参数进行修正，得到功率器件的结温估算参数。本发明解决了确定结温估算参数难度较大的技术问题。
车辆中结温估算参数确定方法装置

[发明专利]一种功率模块故障检测方法、装置及其介质-CN202310890768.X在审
发明人：匡斯建;罗云;李晨东;朱文杰 -专利权人：长沙市英威腾电气技术有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请公开一种功率模块故障检测方法、装置及其介质，涉及功率模块的自检电路技术领域，用于检测功率模块的故障状态，针对目前依赖拆机测试效率低等问题，提供一种功率模块故障检测方法，通过控制各功率管的通断状态以复现上述电气特征的出现环境，并通过检测各半桥电路的过零信号、母线电流值和各下功率管的电压值以识别是否出现上述的电气特征。若出现相应的电气特征，即说明对应功率管出现了对应的故障，从而实现在不拆机的前提下，对各半桥电路的上主功率管或下主功率管进行开路以及短路故障检测，相比于传统的拆机检测方案要大大提高了检测效率以及检测的准确性，同时也减少了因为拆机操作导致产品损坏的可能，更好地满足用户需求。
一种功率模块故障检测方法装置及其介质

[发明专利]一种功率碳化硅开关器件损耗特性的测试方法-CN202310863194.7在审
发明人：徐真;王寒节;李银银;周训平;李可欣 -专利权人：湖北德普电气股份有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率碳化硅开关器件损耗特性的测试方法，具体包括以下步骤：S1、设定直流供电模块的目标输出电压值、目标温度值和目标测试电流值，并通过测量模块检测被测单元的直流母线电压、温度状态和负载电流，S2、生成时间‑电流‑温度曲线图，S3、生成时间‑电压‑温度曲线图，S4、电流测试，S5、电压测试，本发明涉及电气测试技术领域。该功率碳化硅开关器件损耗特性的测试方法，可实现在测试过程中直接生成连续型测试曲线图，来供测试人员快速分析测试结果，很好的达到了既快速又方便进行测试的目的，通过采用连续式测试方法，来大大简化了测试方法，且测试结果更加直观，无需测试人员花费大量的时间进行测试结果的分析。
一种功率碳化硅开关器件损耗特性测试方法

[发明专利]一种用于IGBT温敏电参数在线矫正的方法-CN202310893146.2在审
发明人：陈忠;杨为;官玮平;胡迪;罗皓泽 -专利权人：国网安徽省电力有限公司电力科学研究院;浙江大学
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于IGBT温敏电参数在线矫正的方法，建立热网络方程对变流器中IGBT的热行为进行描述；根据热网络方程，在变流器启动时的时间阈值内，抓取一组温敏电参数和散热器温度；等待下一次变流器启动，判断变流器启动前是否停机超过停机时间阈值，如果未超过则放弃该次变流器启动，继续等待；如果超过，则再次在变流器启动时的时间阈值内，抓取一组温敏电参数和散热器温度；直至获得至少3组数据对，且散热器的温度差超过温度差阈值；最后根据获得的数据，对数据进行拟合，建立结温与温敏电参数的关系式，完成IGBT温敏电参数在线矫正。本发明实现非侵入式的温敏电参数与结温关系的在线矫正，具有简单方便，结果准确的优点。
一种用于 igbt 温敏电参数在线矫正方法

[发明专利]基于测试时间成本动态调整的分项测试方法及装置-CN202310826406.4在审
发明人：詹文法;郝凯明;潘盼;章礼华;郑江云;张庆平;蔡雪原;梁琦;吴兆旺;余储贤;胡心怡 -专利权人：安庆师范大学
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了基于测试时间成本动态调整的分项测试方法及装置，所述方法包括：根据当前批次所有测试单元的总测试时间以及测试单元的排序预测下一批次测试时所有测试单元的总测试时间以及测试单元的排序，若预测的下一批次所有测试单元的总测试时间大于等于当前批次总测试时间，则当前测试单元的排序不变，若预测的下一批次所有测试单元的总测试时间小于当前批次总测试时间，则采用预测的下一批次测试单元的排序对所有测试单元进行重新排序；本发明的优点在于：减少测试时间，提高测试效率。
基于测试时间成本动态调整方法装置

[发明专利]一种毫米波电路器件测试夹具-CN202310594480.8在审
发明人：庄乾萌;杨国;刘雨辰 -专利权人：南京微毫科技有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请提供了一种毫米波电路器件测试夹具，涉及毫米波电路器件测试领域。其包括：基座，所述基座的顶部固定设置有支撑筒，所述支撑筒与所述基座之间设置有稳固组件，所述基座的顶部固定设置有第一板和第二板，所述第一板与所述第二板之间设置有夹持机构，以用于对不同尺寸的基片进行夹持。本申请具有提高测试效率的效果。
一种毫米波电路器件测试夹具

[发明专利]一种双头探针测试装置-CN202210321193.5在审
发明人：胡咏兵 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种双头探针测试装置，包括探针部、盖合在探针部上表面的盖板部、以及连接在探针部下表面的电路板；探针部的开设有用于放置待测器件的测试凹槽，测试凹槽底部开设有若干探针通孔，探针通孔贯穿测试凹槽底部和探针部的下表面；在各探针通孔内设有双头探针；电路板的上表面上设有若干与探针通孔一一对应的焊盘；双头探针的第一端向测试凹槽的底部上方延伸出来，以使待测器件在测试凹槽内时压紧双头探针的第一端，双头探针的第二端抵住对应的焊盘。本发明实施例提供的双头探针测试装置，通过设计组合式的盖板部、探针部和电路板，优化了测试装置的具体结构，完善了探针的正常使用与更换过程，进而保障了半导体封装测试的精度与效率。
一种探针测试装置

[发明专利]一种晶体管老化测试箱-CN202210360619.8在审
发明人：曹佶;赵宝忠;林向前 -专利权人：浙江杭可仪器有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体管老化测试箱，包括机架和设置在所述机架上的控制组件、用于调节测试信号的插接面板、电源组件和设置在所述机架外部的测试组件，所述插接面板、所述测试组件和所述电源组件均与所述控制组件电性连接，所述测试组件包括多个支撑台和设置在所述支撑台上的水冷板，所述支撑台包括操作箱和设置在所述操作箱上的第一接口组和调节开关，所述第一接口组与所述控制组件电性连接，所述水冷板设置在所述操作箱的上端，所述水冷板上设置有多个老化板和用于插接晶体管的安装孔，所述老化板与所述第一接口组电性连接，待测晶体管通过所述安装孔分别与所述老化板和所述插接面板信号连接。其很容易给晶体管散热，且节约电能。
一种晶体管老化测试

[发明专利]高压直流输电用晶闸管寿命评估方法、装置、设备及介质-CN202310883029.8在审
发明人：徐阳;谢天喜;李群;杨景刚;陶风波 -专利权人：国网江苏省电力有限公司电力科学研究院;国网江苏省电力有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及高压直流输电技术领域，尤其涉及一种高压直流输电用晶闸管寿命评估方法、装置、设备及介质，包括：获取晶闸管出厂时可循环次数模型，及可循环次数模型中因子的值；获取晶闸管计算时的漏电流和晶闸管的标准漏电流阈值，计算漏电流因子；获取晶闸管计算时的反向恢复电荷、晶闸管出厂时反向恢复电荷和晶闸管寿命终止时的反向恢复电荷设计值，计算反向恢复电荷因子；根据晶闸管当前运行年限，获得晶闸管在特征循环负载下的负载循环周次；根据可循环次数模型，计算晶闸管的剩余寿命。本发明中，通过动态静态结合的多维度评估，来准确的计算出晶闸管的剩余寿命。对于快接近寿命的晶闸管可以进行提前更换，从而保证高压直流输电的可靠性。
高压直流输电晶闸管寿命评估方法装置设备介质

[发明专利]一种用于描述器件性能特征的版图结构、制作及测试方法-CN202310893598.0在审
发明人：陈燕宁;王凯;杨欣欢;桑倩倩;刘芳;王传政;马文哲 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;杭州电子科技大学
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于描述器件性能特征的版图结构、制作及测试方法。本发明设计的版图结构能够在12个pad中放下14个器件，解决同时提供高测量精度并节省布局空间的问题。本发明布局满足如下条件：①使用相同焊盘B；②版图结构中NMOS1、NMOS3、NMOS5、NMOS7、NMOS9、NMOS11和NMOS13共享相同的一个sourcepadS1和一个gatepadG1；③版图结构中的NMOS2、NMOS4、NMOS6、NMOS8、NMOS10、NMOS12和NMOS14共享相同的另一个sourcepadS2和另一个gatepadG2；④NMOS1和NMOS2共享相同的一个drainpadD1。同时本发明通过测量IdVg和IdVd，消除版图结构中产生的寄生电阻的方法。本发明解决了同时提供高测量精度并节省布局空间。
一种用于描述器件性能特征版图结构制作测试方法

[发明专利]一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置-CN202210175725.9有效
发明人：程万坡;张兴杰;王荣元 -专利权人：江苏韦达半导体有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明属于电子元件生产领域，尤其是一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置，针对现有的双极型晶体管在生产过程中，没有设置相关的击穿检测装置，还需人工进行检测，比较浪费时间，使得生产效率低下的问题，现提出如下方案，其包括底座，所述底座的顶部固定安装有安装架，且安装架的顶部固定安装有放置罩，所述放置罩内设有晶体管，所述安装架的顶部内壁上对称固定安装有插接组件，且插接组件的数量为两个，本发明通过对晶体管进行卡装定位，之后可对晶体管进行正向和反向电流测试，以此能够对晶体管进行性能测试和逆向击穿测试，因此相较于传统的检测方式，本技术方案具有良好的方便性，因此能够提高晶体管的生产效率。
一种检测击穿电压双极型晶体管制造装置

[发明专利]一种晶圆级高速信号测试装置-CN202210683591.1有效
发明人：何菊;梁建;罗雄科 -专利权人：上海泽丰半导体科技有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆级高速信号测试装置，涉及半导体测试技术领域。装置包括：PCB板、支撑板和可导电软板，所述可导电软板可弯折成凸起结构，使所述可导电软板整体呈梯形体；还包括高速连接器，所述高速连接器固定在所述支撑板上，所述高速连接器的电气接口与所述可导电软板的边缘电性连接；所述PCB板的中心开设通孔，所述支撑板位于所述PCB板底部，使所述高速连接器内置于所述通孔中，所述可导电软板位于所述通孔上方；所述可导电软板的梯形体上底面上设置植针区域。本发明能够降低高速互连结构的复杂性，有效改善信号的质量，实现晶元级的67GHz以内的高频测试性能。
一种晶圆级高速信号测试装置