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[发明专利]一种基于阴极短路结构晶闸管的结温监测系统及方法-CN202310522167.3在审
发明人：罗皓泽;蒙慧;陈忠;朱安康;杨为;管玮平 -专利权人：浙江大学;国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于阴极短路结构晶闸管的结温监测系统及方法，包括主电路单元，与被测的晶闸管直接相连；温控单元，用于调控晶闸管在结温标定和实际工作中的环境温度；栅极驱动和测量单元，与晶闸管的栅极和阴极直接相连；采样单元，与主电路单元和温控单元连接；结温检测单元，存储有栅极非触发电流情况下的栅极电压数据库和函数模型，与采样单元相连。由采样单元采集晶闸管的栅极电流和门极电压；结温监测单元根据采集到的栅极电流和门极电压，查询内部存储的数据库和函数模型，然后计算反推得到晶闸管的工作结温。本发明可以实时检测晶闸管工作结温，具有较高的精度和分辨率。
一种基于阴极短路结构晶闸管监测系统方法

[发明专利]界面缺陷密度的测试方法及测试电路-CN202310449897.5在审
发明人：黄汇钦 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种界面缺陷密度的测试方法及测试电路，其中，测试方法包括：通过在待测MOS管栅极施加脉冲电压，以获取待测MOS管漏极的电流曲线；根据电流曲线，确定待测MOS管的界面缺陷密度。本发明通过促使界面缺陷密度转换成可量测的栅极电压，或通过持续监测漏电流的变化来确定界面缺陷密度，从而能够快速且准确地测试出半导体器件的界面缺陷密度的高低，缩短半导体器件工艺开发的时程，也可以用来分辨半导体器件的电性是否优异。
界面缺陷密度测试方法电路

[发明专利]一种高精度焦面组件低温定标系统和方法-CN202310557466.0在审
发明人：鲁晓峰;曾议;桂利佳;张浩;闫格;林方;李浩然;叶帅;朱磊;汪世美;常振;司福祺 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开一种高精度焦面组件低温定标系统和方法。将CCD及焦面组件，电子学箱隔热安装固定在真空罐冷板上，分别在固定CCD焦面组件的工装、散热板、电子学箱盖板上粘贴加热片，对CCD在低温下工作温度补偿；在CCD及焦面组件、工装、散热板和电子学箱粘贴热敏电阻，对低温定标过程中温度监测；在KM2真空罐外的观测窗口旁放置积分球光源，在CCD焦面组件窗片与真空罐观测窗口之间架设一个黑色遮光筒，通过积分球光源对CCD定标；通过真空罐热沉降温和粘贴加热片方式对CCD及焦面组件、散热板、工装和电子学箱控温，模拟实际在轨工作环境温度，减少热噪声对CCD定标的影响，提高地面试验CCD定标精度。
一种高精度组件低温定标系统方法

[发明专利]一种半导体功率封装件测试夹具-CN202310933781.9在审
发明人：曾璨 -专利权人：深圳市惟和科技有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体功率封装件测试夹具，包括测试台、驱动组件、放置座和监测反馈球，本发明通过设计的半导体功率封装件测试夹具采用创新散热设计，可实现高效稳定的温控测试，监测反馈球采用弹性导热结构，方便将热量从半导体传递至冷却水，再由水冷系统进行带走。测试过程中，温度传感器实时检测反馈半球内温度，同时调节水冷系统参数，使半导体功率封装件始终维持在合理温度区间，当温度超标时，系统及时发出警报，可及时采取措施保护器件。结合直接测量与间接监测，同时验证半导体温度信息，进一步提高测量精度，能较好实现高效稳定的温控测试环境，有利于获得可靠的测试结果。
一种半导体功率封装测试夹具

[发明专利]一种探地雷达脉冲源用BJT雪崩三极管测试电路及方法-CN202310905340.8在审
发明人：徐晗;王晓东;陈子申;马添翅;时炜;程丹仪;魏欣 -专利权人：中煤（西安）地下空间科技发展有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种探地雷达脉冲源用BJT雪崩三极管测试电路及方法，涉及三极管性能测试领域，该电路中直流源与待测BJT三极管的集电极连接；信号源通过开关与待测BJT三极管的基极连接；待测BJT三极管的集电极还与信号输出端连接；信号输出端与示波器连接；直流源、信号源和示波器均与上位机连接；开关在每次测试时控制一个待测BJT三极管开启；上位机控制直流源的输出电压和信号源输出信号的频率，获取目标三极管的集电极‑发射极的雪崩击穿电压和雪崩击穿等效速度；根据雪崩击穿电压和雪崩击穿等效速度确定BJT三极管的性能。本发明能实现BJT三极管集电极‑发射极击穿性能参数的测试。
一种雷达脉冲 bjt 雪崩三极管测试电路方法

[发明专利]一种用于SIC功率循环测试的装置-CN202310706535.X有效
发明人：吴志刚;刘年富;陈益敏;魏徕;刘晖 -专利权人：杭州高裕电子科技股份有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于SIC功率循环测试的装置，包括测试架体、器件测试工装，器件测试工装包括固定支撑机构、测试升降驱动机构、绝缘座、绝缘压块，多个绝缘座分别固定在多工位水冷板上，绝缘座上固定有探针组A和探针组B，探针组A与待测器件的引脚相抵，多个绝缘压块间隔固定在压板的底部，绝缘压块上设有导通探针，动力组件推动压板带动绝缘压块下降时，导通探针的两端分别与待测器件的引脚以及探针组B相抵，使得待测器件的引脚夹在探针组A和导通探针一端之间，且通过导通探针的另一端与探针组B的相抵构成导通回路。本发明将多个SIC器件放置在多工位水冷板上，且利用绝缘座和绝缘压块夹持SIC器件引脚，满足长时间的大电流通过。
一种用于 sic 功率循环测试装置

[发明专利]适用于压接式功率半导体器件的测试装置-CN202111415479.1有效
发明人：孙元鹏;张文亮;宋志威;张军辉 -专利权人：山东阅芯电子科技有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种适用于压接式功率半导体器件的测试装置。其包括测试架体、器件测试抽屉组、压力测量装置以及测试升降驱动机构；通过测试升降驱动机构使得器件测试抽屉组内所有相邻的器件测试抽屉相互接触配合，对任意两个相互接触配合的器件测试抽屉，位于上方器件测试抽屉内的待测IGBT器件的上侧面与所在器件测试抽屉内的抽屉内加热器紧密接触，位于上方器件测试抽屉内的待测IGBT器件的下侧面与下方器件测试抽屉内的抽屉内加热器对应，以利用与待测IGBT器件两侧面正对应的抽屉内加热器对所述待测IGBT器件加热至所需的测试温度并同时提供所需的接触测试压力。本发明能有效实现对压接式IGBT器件测试，提高测试效率以及自动化程度，安全可靠。
适用于压接式功率半导体器件测试装置

[发明专利]一种功率半导体模块高温反偏测试的测试温度确定方法-CN202310952318.9有效
发明人：张贵军;刘玉国;高永兴 -专利权人：苏州英特模科技股份有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体模块高温反偏测试的测试温度确定方法，该方法先设置一个起始的温箱温度并在该温度下进行HTRB，然后根据测试结果调整温箱温度再进行HTRB，如此经过有限次温度调整和HTRB后即可得到HTRB测试温度。通过本发明的方法，可以快速确定功率半导体模块高温反偏测试的测试温度，用时少，效率高。
一种功率半导体模块高温测试温度确定方法

[实用新型]一种电气安全性能检测装置-CN202321230586.1有效
发明人：吴波;夏斯庆;段会雅 -专利权人：上海欣项电子科技有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电气安全性能检测装置，包括工作板和声光警示器，所述工作板的下表面固定安装有底座，且工作板的上表面固定安装有设备箱，并且设备箱的右侧固定安装有固定框，以及固定框与所述工作板为固定连接；还包括：马达，所述马达固定安装在所述固定框的上表面，且马达的输出端固定安装有连接轴，并且马达、控制器和所述监控头均为电信号连接。该电气安全性能检测装置，在使用时，将待检测的半导体原件安装在安装板上，再通过设备箱对其供电，通过监控头对其进行实时监测，而在电流过高，意外情况出现时，控制器启动马达，马达带动连接轴和风扇工作，风扇工作时，起到了降温的作用，保证了安全性。
一种电气安全性能检测装置

[发明专利]一种基于晶闸管开通延迟时间的晶闸管结温提取方法-CN202310772271.8在审
发明人：陈忠;杨为;朱太云;官玮平;赵恒阳;蒙慧;罗皓泽 -专利权人：国网安徽省电力有限公司电力科学研究院;浙江大学
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于晶闸管开通延迟时间的晶闸管结温提取方法，根据温敏电参数的晶闸管结温实验，探究晶闸管开通延迟时间‑温度模型，并建立晶闸管结温校准测试平台，进行离线校准实验，得到晶闸管开通延迟时间‑结温曲线，并据此构建电流‑开通延迟时间‑结温的三维曲线，通过三维曲线在已知电压、电流和开通延迟时间的情况下，反推晶闸管的结温。本发明可以基于晶闸管开通延迟时间来提取晶闸管结温，具有低侵扰、易获取的优点。
一种基于晶闸管开通延迟时间提取方法

[发明专利]一种影响SiC MOSFET阈值电压不稳定的陷阱表征方法-CN202310743955.5在审
发明人：郭春生;崔绍雄;朱慧;张亚民;张蒙;冯士维 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-06-24 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种影响SiCMOSFET阈值电压不稳定的陷阱表征方法，该方法可检测影响SiCMOSFET阈值电压漂移陷阱的时间常数，从而锁定该陷阱。包括：(1)选取测试条件，排除碳化硅材料陷阱的影响，获取IDS随时间的瞬态变化曲线；(2)利用贝叶斯反卷积的方法，分析IDS随时间的瞬态变化曲线，获取不同陷阱的时间常数以及定性代表陷阱量的幅值信息；(3)根据陷阱的时间常数，给定不同脉宽的填充栅压，测试阈值电压漂移，并与陷阱峰幅值变化对应；(4)给定不同间隔时间的选取标准，将阈值电压漂移与陷阱峰幅值变化进行对应，判断不同时间常数的陷阱对阈值电压漂移的影响。利用该方法，实现对影响SiCMOSFET阈值电压漂移的陷阱的无损表征。
一种影响 sic mosfet 阈值电压不稳定陷阱表征方法

[发明专利]基于开关管电激发光的电路自适应零电压开关控制方法、电激发光的检测电路及其模组结构-CN202310746315.X在审
发明人：胡博容;龙腾;姜云磊 -专利权人：南京能利芯科技有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于开关管电激发光的电路自适应零电压开关控制方法、电激发光的检测电路及其模组结构。自适应零电压开关控制方法使用电激发光效应来检测开关状态并自主控制器件的栅极开关，该方法在稳态和瞬态负载条件下都有效地实现了自适应零电压开关运行。检测电路以差分模式使用两个信号接收放大组件，以提高具有超高放大增益的电激发光检测电路的信噪比。第一信号接收放大组件的第一硅光电倍增管靠近嵌入式印刷电路板功率模块中的待检测开关管裸片放置，用于感测开关管裸片的电激发光；第二信号接收放大组件的第二硅光电倍增管位于电激发光传输区域之外，以消除由环境光和电磁干扰引起的潜在噪声。
基于开关激发电路自适应电压控制方法检测及其模组结构

[发明专利]功率器件动态导通电阻的测试装置和方法-CN202310769285.4在审
发明人：耿霄雄;马露露;王民鹏;陶磊;单剑宏 -专利权人：杭州长川科技股份有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请涉及一种功率器件动态导通电阻的测试装置和方法，第一电压源模块在阻断模块导通且待测功率器件处于关断状态时，对待测功率器件进行电压冲击，隔离模块在第一电压源模块对待测功率器件电压冲击时进行电压隔离。第二电压源模块在待测功率器件导通后，通过隔离模块输送电流至待测功率器件的第一极，电压采样模块和电流采样模块分别在第一电压源模块输送电流至待测功率器件的第二极时进行电压采集和电流采集，得到的电压采样数据和电流采样数据进一步可用作计算待测功率器件的动态导通电阻，实现动态导通电阻测试，且结构简单、成本低。
功率器件动态通电测试装置方法

[发明专利]一种半导体器件残次品智能检测系统-CN202310609241.5在审
发明人：陈炳贵 -专利权人：深圳龙芯半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件残次品智能检测系统，本发明涉及半导体技术领域。该一种半导体器件残次品智能检测系统，放料机构能够在检测过程中实现自动放料，利用导通检测机构对二极管进行导通检测后，利用外观检测机构对二极管外表面是否存在裂痕或者异常形变进行检测，本发明检测过程自动化程度高，能够实现对二极管的连续检测工作，提高了二极管的合格率。二极管装载机构能够在检测过程中利用齿轮和齿条的啮合，利用二极管和清洁辊之间的摩擦力作用能够实现二极管的三百六十度翻转，便于外观检测机构全方位的检测工作，并且二极管转动时利用清洁辊的摩擦作用，清除残留在外表面的污渍，从而能够便于后续发现污渍覆盖下的裂纹等缺陷。
一种半导体器件残次品智能检测系统

[发明专利]一种针对不同换流阀晶闸管级阻尼回路测试系统、方法-CN202310664388.4在审
发明人：邹洪森;孙璐;赵欣洋;陈瑞;刘博;韦鹏;王旭强;刘志远;黎炜;相中华;刘岩亮;马文长;车靖阳;杨子腾;任佳丽;吴保义 -专利权人：国网宁夏电力有限公司;国网宁夏电力有限公司超高压公司;中电普瑞电力工程有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种针对不同换流阀晶闸管级阻尼回路测试系统、方法，系统包括人机交互模块、阻尼回路测试模块、换流阀晶闸管级回路，所述人机交互模块用于执行测试指令；所述阻尼回路测试模块用于接收测试指令生成第一测试信号；所述阻尼回路测试模块包括处理器、模拟开关以及第二测试信号输出模块；处理器用于接收测试指令生成第一测试信号，将第一测试信号传输给模拟开关；模拟开关接收第一测试信号后输出第二测试信号，第二测试信号包括直流信号和不同频率的交流信号；第二测试信号输出模块接收第二测试信号后根据换流阀晶闸管级回路类型选择相应的接线方式以测试不同的回路中的均压电阻值、阻尼电阻值、阻尼电容值以及不同频率下的阻抗值。
一种针对不同换流晶闸管阻尼回路测试系统方法