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[发明专利]用于高频印制板基材复介电常数的带状线谐振器测试系统-CN202111568804.8有效
发明人：刘立国;张永华;曲芳;刘吉;张涛;吴利;李成虎;石小传 -专利权人：无锡江南计算技术研究所
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开一种用于高频印制板基材复介电常数的带状线谐振器测试系统，包括：矢量网络分析仪、带状线测试夹具、高频探针、加压测压装置和计算微机，所述加压测压装置用于对带状线测试夹具施加测试压力，所述高频探针的一端可通过电缆与矢量网络分析仪连接，测试夹具包括：用于放置于加压测压装置的载台上的下压块、位于下压块正上方并用于与加压测压装置的加压螺杆挤压接触的上压块、安装于下压块上表面的下压板和安装于上压块下表面上的上压板，所述上压板与下压板之间用于放置谐振器图形卡和待测介质基片。本发明可以准确、高效的测量出不同规格厚度高频印制板基材的复介电常数，还可以在保护待测介质基片不受损伤的同时提高测试的精度。
用于高频印制板基材介电常数带状线谐振器测试系统

[发明专利]高压应用中的一种电流检测电路-CN202010444919.5有效
发明人：郑辰光 -专利权人：圣邦微电子（北京）股份有限公司
申请日： 2020-05-23 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：高压应用中的一种电流检测电路，通过在输出电压端OUT和电荷泵端Vcp均进行适配关闭信号OFF的结构改进，能够使电压输出端OUT上设置用于电流处理采样的第一节点VA电压不受Vout的影响，有利于持续限流应用中即输出恒流时能很好地满足Vout从输入电压Vin到地端范围的电流检测要求，同时处于关断状态时能断开输入电压端IN和输出电压端OUT之间直接的电连接。
高压应用中的一种电流检测电路

[实用新型]半导体器件测试装置和半导体器件测试系统-CN202320710495.1有效
发明人：刘怀超;于政;吴靖宇 -专利权人：北京炬玄智能科技有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种半导体器件测试装置和半导体器件测试系统，半导体器件测试装置包括了按压件、承载座体、复位件和测试组件。通过本申请实施例提供的半导体器件测试装置，测试组件可以很好地固定产品，同时能够增加与产品焊盘的接触面，减小接触电阻，保证测试过程中供电电流电压没有损失。相对于其他传统探针式测试装置，有更大的接触面，工作时不会对产品整体施加外部压力，保证产品在极低或极高的温度环境中能够进行更稳定的性能测试。同时该半导体器件测试装置可以在有限的空间内进行排列，能够实现设备自动化生产，中间可以不需要人工上下料，能够提升自动化生产效率。
半导体器件测试装置系统

[实用新型]一种半导体封装产品耐高温存储检测装置-CN202321053065.3有效
发明人：韦嘉仲;薛慧;敖彬;黄龙 -专利权人：惠州市科为联创科技有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体封装产品耐高温存储检测装置，涉及半导体领域，针对在半导体封装后存储过程中因空间密集，所以会产生一定的热量，热量太高则会对半导体造成损伤，若可将耐高温性能不同的半导体分类存储，则可防止高温损伤半导体的问题，现提出如下方案，其包括箱体，所述箱体的侧面设置有接收器，所述接收器的前面设置有显示屏，所述箱体的内部设置有封装盒，所述封装盒的上面设置有多个检测器，所述封装盒的内部移动连接有半导体，所述封装盒的下面设置有加热器。本实用新型该装置在半导体外侧安装了封装盒，可模仿封装后的半导体，且在封装盒下面安装了加热器，可模仿在存储时产生的高温。
一种半导体封装产品耐高温存储检测装置

[实用新型]一种瞬态二极管导通性检测装置-CN202320471248.0有效
发明人：周伟伟;韩石磊 -专利权人：南京维攀微电子有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种瞬态二极管导通性检测装置包括：基础架，以及安装在基础架上的检测部；检测部包括与基础架连接的底部导通位和顶部导通位；底部导通位包括：搭电部，安装在基础架上，包括与基础架连接的底部滑动架，以及与底部滑动架连接的底部导电弓；接触部，设置在底部滑动架上，包括与底部滑动架滑动连接的底部滑动板，与底部滑动板连接且与底部导电弓抵接的底部导电板，以及与底部导电板连通且设置在底部滑动板上方的底部导电座。本实用新型通过设计底部导通位和顶部导通位完成对瞬态二极管的检测工作，当底部导电弓与底部导电板抵接时，底部导电座才完成通电，进而完成对瞬态二极管的导通性检测工作。
一种瞬态二极管通性检测装置

[发明专利]一种功率管测试电路及测试方法-CN202310819817.0在审
发明人：闵晨;罗佳敏;高子健 -专利权人：杭州芯迈半导体技术有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：公开了一种功率管测试电路及测试方法，功率管测试电路，包括至少一级的测试单元，每一级测试单元包括：第一测试电路，第一测试电路包括第一测试位和第二测试位，第一测试位和第二测试位串联连接于第一测试电路的输入端和接地端之间；第二测试电路，第二测试电路包括第三测试位和第四测试位，第三测试位和四测试位串联连接于第二测试电路的输出端和接地端之间；每一级测试单元中的第一测试单元的输出端与该级测试单元中的第二测试电路的输入端连接，每一级测试单元中第二测试电路的输出端与下一级测试单元中的第一测试电路的输入端连接，第一级测试单元中的第一测试电路的输入端接入输入电压，最后一级测试单元中第二测试电路的输出端接入负载。
一种功率管测试电路方法

[发明专利]一种SiC MOSFET器件栅极退化监测方法及监测电路-CN202310888313.4在审
发明人：孙鹏菊;杨滢辉;李凯伟;马兴;杜雄;罗全明 -专利权人：重庆大学;国网重庆市电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽栅型SiC MOSFET器件栅极退化监测方法和监测电路。该方法利用SiC MOSFET器件第三象限零栅压、不同结温下的输出特性曲线交点处的体二极管压降作为特征量。在双脉冲电路中，下管待测SiC MOSFET器件的栅压始终保持零栅压；在电感电流通过下管待测SiC MOSFET器件续流时，侦测交点电流下待测SiC MOSFET器件的体二极管压降值，通过与全新器件在该交点电流下的体二极管压降值作对比以判断待测SiC MOSFET器件是否发生了栅极退化。本发明能够忽略结温的影响实现SiC MOSFET器件栅极退化的准确监测，且是一个很好的在线监测的候选方法，可以避免因停机检测造成的经济损失。
一种 sic mosfet 器件栅极退化监测方法电路

[发明专利]一种MOSFET器件动态特性参数快速提取方法-CN202310764283.6在审
发明人：毛锦进;黄志召;李宇雄 -专利权人：武汉羿变电气有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOSFET器件动态特性参数快速提取方法，包括：在示波器上对双脉冲实验数据进行调零并导出为表格形式；程序读取MOSFET器件的双脉冲电路实验表格数据并显示；根据实测开关过程选择MOSFET器件的关断和开通过程范围并得到对应开关范围的物理量稳态值；基于读取的实验数据和识别的关断开通过程用程序自动分析提取MOSFET器件的动态特性参数，并计算开通和关断损耗；最后导出结果并可视化显示。本方法改善了人工从示波器读取数值点计算动态参数的误差较大、时间低效的弊端，提高了工作效率，增强了结果准确性和可靠性。此外，本发明的程序内部参数可以根据不同厂家芯片动态参数的定义进行修改，并且可以将该方法转为多种编程语言，推广性和兼容性强。
一种 mosfet 器件动态特性参数快速提取方法

[发明专利]一种退饱和检测电路及应用-CN202310719174.2在审
发明人：刘自程;何杰伟;孙翔文;蒋栋 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种退饱和检测电路及应用，属于检测电路技术领域；本发明包括在消隐电容的第一端与待测开关管之间设置的电阻网络，在电阻网络的作用下，消隐电容的电压vDESAT与待测开关管的电压vDS之间存在可调节的线性关系，从而使得消隐电容器在FUL故障发生前具有较高电位，进而减小了在发生FUL故障时消隐电容器暂态过程的时间，提高了FUL故障下的检测速度，缩短了FUL故障下检测所需的时间。除此之外，本发明在检测电压阈值VREF固定的前提下，可以通过调整电阻网络中各电阻支路的阻值，来调整过流工况下的开关管阈值电压，以满足开关管特性曲线及实际应用要求，按需实现过流工况下的快速检测。
一种饱和检测电路应用

[发明专利]一种功率模块中键合界面最小剩余长度预测方法-CN202311129674.7在审
发明人：杨鑫;武新龙 -专利权人：湖南大学
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种功率模块中键合界面最小剩余长度预测方法，包括：在步骤（A1）、（A2）、（A3）中，分别令功率循环次数、开通时间、导通电流作为单一变量进行变化，分别拟合得到以功率循环次数、开通时间、导通电流为自变量的函数；将步骤（A1）、（A2）、（A3）得到的3个函数相乘后再乘以L0，利用N1组参数、N2组参数、N3组参数确定L0的值，从而得到对功率模块中键合界面最小剩余长度进行预测的公式。
一种功率模块中键合界面最小剩余长度预测方法

[发明专利]通过光激发增强电流注入LED电致发光性能检测系统-CN202111303466.5有效
发明人：严群;黄忠航;孙捷 -专利权人：严群
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过光激发增强电流注入LED电致发光性能检测系统，检测系统包括激发光源、外部电源、电极板、电介质层、待测的LED器件以及光参数探测系统，波长低于LED芯片发光波长的激发光源辐照在LED器件上，外部电源与电极板相连接并提供脉冲电压施加到电极板，电极板通过电介质层与LED器件的P型层、阳极或N型层即阴极接触以实现电容性和电导性电流注入，通过激发光源增加注入电流转化成载流子比例，以增强LED的电致发光性能；光参数探测系统主要由光学器件、光谱仪和探测器组成，同时采集LED光电性能，包括LED器件发光的亮度、波长和角分布。该检测系统有利于对LED外延片或LED芯片的光电性能进行非接触、快速检测。
通过激发增强电流注入 led 电致发光性能检测系统

[发明专利]基于短脉冲大电流SiC MOSFET模块热阻测量方法-CN202111482805.0有效
发明人：郭春生;丁珏文;崔绍雄;朱慧;冯士维 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了基于短脉冲大电流的碳化硅MOSFET模块热阻测量方法，可用于碳化硅MOSFET模块或者分立器件的热阻准确测量。所述测量方法的适用条件为，(1)给定了施加栅压的区间；(2)给定了加热栅压与测试栅压的施加条件；(3)给定了测试电流的选取范围；(4)给定了脉冲宽度的选取标准。首先，根据适用条件做出特定测试脉冲电流等级下的校温曲线，得到温敏系数K值，利用测试源表及散热平台先进行碳化硅MOSFET分立器件的热阻测量，通过数据手册上的热阻值验证该测试条件的可行性，并用碳化硅MOSFET模块进行热阻测量的验证。利用该适用条件，可在短脉冲大电流正向导通压降法的基础上，无需增加额外设备，即可实现碳化硅MOSFET模块结温及热阻的测量。
基于脉冲电流 sic mosfet 模块测量方法

[发明专利]一种经时击穿测试设备和方法-CN202110566345.3有效
发明人：王志强 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请提供了一种经时击穿测试设备和方法，该设备包括第一连接端和第二连接端，第一连接端和第二连接端分别用于连接待测结构的第一端和第二端，其中，第二连接端接地，第一连接端通过测试开关连接第一电压源，第一电压源用于提供测试电压，测试开关在对待测结构进行测试时导通，在待测结构被击穿后短路时限制电流，从而可以节约电能和测试时间，降低了设备的耗能成本和测试的时间成本，避免待测结构被击穿短路后还短接着电压源。
一种击穿测试设备方法

[发明专利]一种可靠性测试夹具-CN202310819787.3在审
发明人：廉哲;徐鹏嵩;黄建军;胡海洋 -专利权人：苏州联讯仪器股份有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种可靠性测试夹具，涉及半导体测试技术领域。本发明的可靠性测试夹具可以包括第一电路板和导电复合膜，其中，导电复合膜一侧面与第一电路板接触，另一侧与目标物接触；导电复合膜为内部设置多个相互分离的导电单元的硅胶薄膜，每一导电单元能够将导电复合膜一侧的电信号传递至另一侧，从而使得第一电路板上的多个电信号传递至目标物处，同时将反馈信号传递给第一电路板处。本发明的测试夹具由于导电复合膜是一薄膜，其在传递电信号的同时不会在目标物处形成压痕或划痕，避免对目标物造成不必要的损坏。
一种可靠性测试夹具

[发明专利]一种用于功率器件的dv/dt耐受能力测试电路及方法-CN202310938248.1在审
发明人：蒋华平;廖瑞金;胡浩伟;肖念磊 -专利权人：重庆大学
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于功率器件的dv/dt耐受能力测试电路及方法，它包括栅极大电流驱动电路和主电路；主电路包括MOS3、被测器件、驱动脉冲发生器VGS、电容C2、电阻RG和R4，以及高压直流电压源V2；栅极大电流驱动电路与MOS3的栅极连接，用于控制MOS3快速开通和关断，并将MOS3的栅极电压钳制在安全值，以及调节主电路dv/dt的大小；在MOS3开通的瞬间，电容C2的一端被强制接地，使得电容C2两端电压被迅速施加到被测器件两端，进而产生大的dv/dt脉冲电压。本发明可靠性更高，dv/dt脉冲电压大小可调节，间接测量的观测方式对测试设备的精度要求不高，可以大幅降低测试设备成本，可实现性高。
一种用于功率器件 dv dt 耐受能力测试电路方法