专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种降低半导体外延片翘曲度的方法-CN202210729428.4在审
  • 马爽;韩景瑞;李锡光;丁雄傑;邱树杰 - 东莞市天域半导体科技有限公司
  • 2022-06-24 - 2022-09-27 - C30B33/02
  • 本发明公开了一种降低半导体外延片翘曲度的方法,包括S1)沉积介质层:在外延片背面和正面分别沉积第一介质层和第二介质层,第一介质层和第二介质层的刚度大于外延片,第一介质层和第二介质层的热膨胀系数分别是α1、α2,第一介质层和第二介质层的厚度分别是T1、T2,第一介质层和第二介质层满足α1×T1=α2×T2;S2)高温退火;S3)去除第二介质层并磨抛清洗;S4)掺杂;S5)去除第一介质层并磨抛清洗。本发明预先在外延片的正面和背面均沉积一层刚度大于外延片的介质层,经过高温退火时正背面双介质层的协同热膨胀来降低外延片的翘曲度,然后再去除正面的介质层,保留背面的介质层,背面的介质层能够对外延片进行保护,维持其低翘曲,减少外延片进行热扩散或离子注入等掺杂工序时的翘曲或碎片等问题,以提高器件加工精度和降低碎片等风险。
  • 一种降低半导体外延曲度方法
  • [实用新型]一种晶体硅应力释放设备的输送结构-CN202220296750.8有效
  • 吴利德 - 吴利德
  • 2022-02-14 - 2022-09-23 - C30B33/02
  • 本实用新型公开了一种晶体硅应力释放设备的输送结构,涉及晶体硅的输送技术领域,用于解决现有技术中晶体硅输送机构的结构较为复杂,制造成本高的问题,本实用新型包括炉体,所述炉体的一端下部安装有输送电机,所述输送电机的电机轴上安装有主动链轮,所述炉体的另一端下部通过转轴安装有从动链轮,所述主动链轮和从动链轮间安装有链条,所述链条上安装有多个推动块,所述炉体内安装有可与推动块接触的托架,所述托架与炉体间安装有滑动机构。本实用新型通过上述技术方案可以更加便于对晶体硅进行输送,同时该输送机构只需要一个输送电机和一条链条,不需要多个滚轮,从而极大的简化了该输送机构的结构,降低了相应的制造成本。
  • 一种晶体应力释放设备输送结构
  • [实用新型]一种新型硅片用硅质舟-CN202221312598.4有效
  • 杨莉莉;刘定冕 - 西安希朗半导体科技有限公司
  • 2022-05-30 - 2022-09-23 - C30B33/02
  • 本实用新型涉及一种新型硅片用硅质舟,包括卡盘、滑槽、承台、卡槽、边条、栓杆、立柱,所述立柱共有四条,将两端分别嵌入两个卡盘表面的滑槽内,并使用两个边条由卡盘的左右两侧与承台先结合,将立柱封闭在滑槽内,且每个边条与承台之间均通过两个栓柱嵌入卡槽内进行固定。本实用新型将现有的硅片用硅质舟替换为可调节分解模块化硅质舟,解决原有一体式硅质舟在使用前需要根据生产要求选用相应的规格,无法随时进行调节的缺点,有效提高生产效率,并避免多种规格硅质舟占用过多空间的问题,并且本实用新型为模块化设计,在零部件无法满足生产需要或出现损坏时,无需使用工具即可进行快速分解或组装。
  • 一种新型硅片用硅质舟
  • [发明专利]晶片退火装置及晶片退火方法-CN202211010412.4在审
  • 李鑫宇;杨成慧 - 北京世维通科技股份有限公司
  • 2022-08-23 - 2022-09-20 - C30B33/02
  • 本发明公开了一种晶片退火装置及晶片退火方法,晶片退火装置包括:退火机构,所述退火机构包括退火单元以及至少一个加热单元,所述退火单元相对两端分别设置有第一开口和第二开口,所述第一开口和所述第二开口上均可拆卸连接有端盖,所述加热单元用于在所述退火单元内至少局部区域形成恒温区;装夹机构,所述装夹机构包括至少一个装夹单元;推拉机构,所述推拉机构与所述装夹机构连接,所述推拉机构能够推拉所述装夹机构沿着所述退火单元在所述第一开口和所述第二开口之间往复移动。本发明公开了一种晶片退火装置及晶片退火方法,来解决现有的晶片退火装置提供的恒温效果不理想的问题。
  • 晶片退火装置方法
  • [实用新型]一种用于单晶硅片的退火支架-CN202220967311.5有效
  • 杜珂;嵇星;张野 - 辽宁博芯科半导体材料有限公司
  • 2022-04-25 - 2022-09-16 - C30B33/02
  • 本实用新型公开了一种用于单晶硅片的退火支架,包括底座,底座的顶部中心处转动连接有底部支架,底座的内腔固定安装有电机,且电机的输出端与底部支架固定连接,底部支架通过调节机构连接装配有顶部支架,底部支架与顶部支架的相对侧壁均开设有夹持槽。通过底部支架带动单晶硅片进行旋转,对单晶硅片进行冷却降温,顶部支架的高度通过调节机构进行调节,方便对不同尺寸大小的单晶硅片进行夹持固定,同时在调节机构内设置有定位组件,通过定位组件可以保持对顶部支架调节后位置的稳定,在调节机构的固定轴内开设有辅助散热腔和散热槽,通过辅助散热腔与散热槽的配合,便于单晶硅片附近的空气流动,加强对单晶硅片的冷却效果。
  • 一种用于单晶硅退火支架
  • [发明专利]一种用于碳化硅单晶退火的装置-CN202210857263.9在审
  • 熊希希;杨祥龙;陈秀芳;胡小波;于国建;王垚浩 - 广州南砂晶圆半导体技术有限公司
  • 2022-07-20 - 2022-09-09 - C30B33/02
  • 本申请提供了一种用于碳化硅单晶退火的装置,包括石墨感应加热器,石墨感应加热器放置在感应加热线圈所围成加热区的中心位置,石墨感应加热器为中空的筒形结构,内部用于放置碳化硅单晶;沿石墨感应加热器的轴向方向,石墨感应加热器的侧壁分为第一感应加热部、第二感应加热部和第三感应加热部;第二感应加热部的壁厚大于第一、第三感应加热部的壁厚,并且第二感应加热部的壁厚或者第二感应加热部与设置在石墨感应加热器内部的石墨坩埚的壁厚之和大于石墨感应加热的趋肤深度。这样,可以在石墨感应加热器内部整个轴向方向上构建一个温度梯度小的温场,从而减小晶体轴向方向上的温差,进而能很大程度上消除碳化硅晶体内部残余应力。
  • 一种用于碳化硅退火装置
  • [实用新型]一种晶体生长用加热装置-CN202221428024.3有效
  • 王永净;陈基生 - 厦门华芯晶圆半导体有限公司
  • 2022-06-09 - 2022-09-06 - C30B33/02
  • 本实用新型公开了一种晶体生长用加热装置,涉及晶体生长加热技术领域,包括底座,所述底座顶端的外侧安装有多个支撑杆,且支撑杆的顶端安装有加热仓,所述底座的顶端中间位置处安装有第一气动推杆,且第一气动推杆的顶端延伸至加热仓的内部安装有保护壳,所述保护壳的内部设置有驱动电机,且驱动电机的输出端延伸至保护壳的上方安装有坩埚,所述加热仓内壁的底部安装有加热板。本实用新型通过对装置进行密封,避免热空气流失,并将以高压而排出的热空气导流至加热仓的外壁附近,使其减小加热仓外壁处的热量流失,能够对热量进行充分的利用,避免热资源的浪费。
  • 一种晶体生长加热装置
  • [实用新型]晶片退火炉炉门双向固定结构-CN202220382562.7有效
  • 肖迪;郑东 - 青岛嘉星晶电科技股份有限公司
  • 2022-02-24 - 2022-08-30 - C30B33/02
  • 本实用新型公开了晶片退火炉炉门双向固定结构,包括门板和固定框,竖条内部的两端均设置有第一锁紧螺栓,固定框顶部的两侧均设置有两个锁紧组件;锁紧组件包括安装片,安装片内部的两端均设置有第一固定螺栓,安装片远离固定框的一侧设置有连接环,连接环靠近门板的一侧设置有螺帽,螺帽的内部螺纹连接有第二锁紧螺栓。通过将固定框与门板之间由横向固定的方式改为竖向,并且在固定框的两侧均设置两个锁紧组件,加强了固定框与门板之间的连接效果,防止固定框外移使得门板中的耐火砖和保温棉间隙增大,从而避免漏热现象,减少漏热一小时可减少用电0.5度,一年每台炉节约用电3000度,并且增加了退火炉的使用寿命。
  • 晶片退火炉炉门双向固定结构
  • [发明专利]一种方便收料的晶硅电池高温低氧退火设备-CN202110087363.3有效
  • 王泉龙 - 徐州中辉光伏科技有限公司
  • 2021-01-22 - 2022-08-16 - C30B33/02
  • 本发明公开了一种方便收料的晶硅电池高温低氧退火设备,包括机身、传送带、支撑板、高温低氧退火炉、进风口、温度传感器、除尘机构、第一液压缸、卡环和收料机构,所述机身内部设有电机,所述传送带内部设有传送滚筒,所述支撑板与机身固定连接,所述高温低氧退火炉设置在传送带上方,所述风量调节装置设置在高温低氧退火炉内部,所述进风口设置在光源冷却装置和光源中间,所述温度传感器设置在加热装置下方,所述除尘机构设置在高温低氧退火炉右侧,所述第一液压缸设置在顶板下方。该方便收料的晶硅电池高温低氧退火设备,设置有除尘机构和收料机构,除尘机构能够有效除去晶硅电池表面灰尘,除尘效果较好,收料机构便于存放退火后的晶硅电池。
  • 一种方便电池高温低氧退火设备
  • [发明专利]用于导电型碳化硅晶片的电流加热装置-CN202210549425.2在审
  • 丁雄傑;韩景瑞;刘薇;邹雄辉;李锡光 - 东莞市天域半导体科技有限公司
  • 2022-05-20 - 2022-07-29 - C30B33/02
  • 本发明公开一种用于导电型碳化硅晶片的电流加热装置,包括电源控制模块、测温单元、第一电极、第二电极及托盘结构,托盘结构上设有容置槽,第一、第二电极分别对应于托盘结构的中心和边缘设置,且第一、第二电极分别电连接于电源控制模块的正负极,测温单元设于托盘结构的上方并电连接于电源控制模块,当容置槽内容纳碳化硅晶片时,碳化硅晶片使第一、第二电极导通从而形成加热电路,利用导电型碳化硅晶片的内部电阻发热来实现热退火,并根据测温单元的检测结果控制施加于第一、第二电极之间的电压以调节加热温度,该电流加热装置的升、降温速率远快于现有的炉腔加热装置,在小批量处理导电型碳化硅晶片时,具有较大时间成本和能耗成本优势。
  • 用于导电碳化硅晶片电流加热装置
  • [发明专利]提升卤化亚汞单晶体结晶性和光学透过率的处理方法-CN202011372197.3有效
  • 张国栋;刘琳;李荣臻;陶绪堂 - 山东大学
  • 2020-11-30 - 2022-07-26 - C30B33/02
  • 本发明涉及一种提升卤化亚汞单晶体结晶性和光学透过率的处理方法,它包括将卤化亚汞单晶体置于多温区真空退火炉中,升温至150‑180℃进行退火处理90‑120h;退火处理后的卤化亚汞单晶体缓慢降至室温,退火后处理卤化亚汞晶体的X射线单晶摇摆曲线半峰宽明显减小,晶体结晶性得到很大提高,晶体缺陷得到一定程度的消除,并且通过退火后处理,遇光暗化卤化亚汞晶体的光学透过率得到恢复,晶体透过率明显提升。并且该方法对温度要求较低,具有简单方便、易操控的优点。采用该方法可获得结晶性、光学透过率高的卤化亚汞晶体,这对于卤化亚汞晶体声光器件的制备及应用具有重要意义。
  • 提升卤化单晶体结晶光学透过处理方法
  • [实用新型]一种集中预热节能型球化退火炉-CN202220853596.X有效
  • 毛程凯;陆毅超;程毅 - 山翁工业炉(嘉善)有限公司
  • 2022-04-14 - 2022-07-19 - C30B33/02
  • 本实用新型公开了一种集中预热节能型球化退火炉,包括支撑板,所述支撑板顶部设有主体,所述主体顶部沿圆周方向设有若干个凹槽,所述主体的顶部设有盖板,所述盖板的底部设有若干个与所述凹槽相配合的框架,所述框架内部设有放置槽,所述放置槽内部设有保温隔热件,所述放置槽的内壁上设有若干个与所述保温隔热件相配合的夹持机构,所述框架带着所述保温隔热件贯穿至所述凹槽内,所述主体一侧连接有冷风机箱,所述主体另一侧设有收集箱,所述收集箱一侧连通有出料箱。有益效果:通过夹持机构的设计,从而可以对框架内的保温隔热件进行夹持固定,提高保温隔热件在框架内的稳定性。
  • 一种集中预热节能型退火炉

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