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[发明专利]一种金红石TiO2-CN202010062486.7在审
发明人：杨冰洁;李志鹏;李坊森;程飞宇 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明属于单晶表面处理领域，尤其涉及一种金红石型110取向TiO2单晶的处理工艺，步骤为：S1)将金红石型110取向TiO2单晶安装在样品架上，进行预处理；S2)对红石型110取向TiO2单晶进行除气；S3)对经过S2)处理后的金红石型110取向TiO2单晶进行超高真空内退火，得到拥有氧空位的金红石型110取向TiO2单晶。本发明的有益效果是：由于采用上述技术方案，该方法能够能解决TiO2单晶不导电的问题，为后续扫描隧道显微镜等对样品质量和导电性要求很高测试提供条件。
一种金红石 tio base sub

[发明专利]一种节能环保型天然气退火炉-CN201811300082.6在审
发明人：翁益连 -专利权人：扬州金辰不锈钢制造有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及天然气退火炉技术领域，且公开了一种节能环保型天然气退火炉，包括炉体，所述炉体的内底壁固定安装有支撑座，所述支撑座的顶部活动连接有集渣箱，所述炉体的上下两侧内壁均通过隔板固定连接，两个所述隔板的内部开设有出渣孔，所述炉体的内壁固定安装有固定板，所述固定板的内部固定安装有通风管，所述固定板的底部且位于通风管的左右两侧均固定连接有支杆，两个所述支杆的底端均通过收集板固定连接，所述通风管的底端贯穿并延伸至收集板的底部，所述固定板的顶部且位于通风管的左右两侧均固定连接有连接杆。该节能环保型天然气退火炉，回收热量，加以利用，节省能源。
一种节能环保天然气退火炉

[发明专利]一种安放稳固的天然气退火炉-CN201811300244.6在审
发明人：翁益连 -专利权人：扬州金辰不锈钢制造有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，且公开了一种安放稳固的天然气退火炉，包括退火炉主体，所述退火炉主体的正面固定安装有控制箱，所述退火炉主体的右侧固定安装有支撑座。该安放稳固的天然气退火炉，通过连接座和支撑柱上分别设置有螺纹孔与限位孔，螺杆通过贯穿螺纹孔与限位孔将支撑柱固定在连接座的内部，支撑柱上设置有八个限位孔，使用者可以根据地形调整每一个支撑柱的位置，调整好后通过螺杆和螺帽将支撑柱和连接座固定好，使退火炉主体可以在多种地形稳固安放，通过四个支撑脚的表面均设置有四个固定孔，便于使用者通过向固定孔打膨胀螺丝，加强与地面的固定，到达了安放稳固的效果。
一种安放稳固天然气退火炉

[实用新型]一种有机半导体材料溶剂退火炉-CN201921192358.3有效
发明人：李明亮;李硕;王国治;魏峰 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了有机半导体材料加工技术领域的一种有机半导体材料溶剂退火炉。所述退火炉由溶剂退火炉密封盖和溶剂退火炉主体两部分组成。其中，溶剂退火炉密封盖包括上、下连接的容器密封层和容器固定层，容器固定层底侧设置基底固定凹槽，用于固定样品基底，溶剂退火炉主体为四个侧板和一个底板围成的立方体，四个侧板中的一个或多个的外表面标有溶剂体积刻度。本实用新型可以对使用旋涂法沉积在基底表面的有机半导体分子在溶剂气氛下退火，进行分子构象和排布方面的优化，并精确控制退火条件获得更加优异的半导体性能。本实用新型操作简单、安全，尤其在有机半导体材料实验室研发和工业化生产等方面具有较大商业价值。
一种有机半导体材料溶剂退火炉

[实用新型]一种退火炉炉底用钢辊-CN201920934535.4有效
发明人：孔建新;李振川 -专利权人：青岛元鼎集团有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种退火炉炉底用钢辊，属于退火炉技术领域，包括辊体、分别安装在辊体两端的轴头，其中，辊体和轴头之间螺纹连接，辊体和轴头的连接处焊接有铆钉，铆钉沿辊体的截面圆的圆周方向设置，也即本实用新型实施例的钢棍取消了过渡套环和焊接工艺，其轴头和辊体之间采用过盈螺纹连接并配合焊接铆钉加固，可以极大地缩短了工期，降低了材料成本和时间成本，并且可以避免已有技术中的退火炉炉底用钢辊的焊缝极其容易开裂的缺陷，提高退火炉炉底用钢棍的成品率，降低其制造成本和使用风险。
一种退火炉炉底用钢辊

[发明专利]含有固体碳的材料的加工体和其制造方法-CN201880052809.5在审
发明人：西林良树;辰巳夏生;滨木健成 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：这种含有固体碳的材料的加工体的制造方法包括：准备所述含有固体碳的材料的步骤，所述含有固体碳的材料至少具有由固体碳构成的表面；和加工所述含有固体碳的材料的步骤。加工所述含有固体碳的材料的步骤包括：通过对所述含有固体碳的材料的所述表面中的所述固体碳进行热处理而形成非金刚石碳的子步骤；和去除所述非金刚石碳的至少一部分的子步骤。
含有固体材料加工制造方法

[实用新型]一种缩短了退火周期罩式退火炉-CN201921178971.X有效
发明人：孙晟;韩新明;高庆利;谢长青;陆晨超 -专利权人：天津市三木森电炉股份有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种缩短了退火周期罩式退火炉，包括底座，所述底座顶壁固定连接有冷却罩，底座顶壁活动连接有转动杆，所述转动杆外壁的底部固定连接有把手，把手的外部边缘贯穿设有限位杆，所述转动杆外壁的顶部固定连接有套筒，所述套筒外壁的左、右两侧均固定连接有连接杆，所述连接杆远离套筒的一端底壁固定连接有电动绞盘，所述冷却罩的内顶壁固定连接有水冷却机构，所述内罩的外壁开设有沟槽。本实用新型涉及热处理设备技术领域。该缩短了退火周期罩式退火炉，通过设置有转动杆和限位杆，可以很便捷的实现加热罩和冷却罩的调换以及位置的固定，通过设置有水冷却机构以及沟槽，散热效果更好，大大缩短了退火周期。
一种缩短退火周期退火炉

[实用新型]一种具有降温功能的合成晶体加工烧结炉用排气管-CN201921328351.X有效
发明人：林志高 -专利权人：福建鑫磊晶体有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有降温功能的合成晶体加工烧结炉用排气管，包括外管主体、左连接头和右连接头，所述外管主体的下方左侧安装有左连接头，且外管主体的下方右侧固定有右连接头，并且左连接头和右连接头均贯穿外管主体分别与缠绕管的左右两端相连接，所述缠绕管缠绕在内管主体的外侧，且内管主体的上方固定有上固定柱，并且内管主体的下方安装有下固定柱。该具有降温功能的合成晶体加工烧结炉用排气管设置有缠绕管，通过缠绕管缠绕在内管主体的外侧，使得外界冷却降温装置内的冷却水通过左连接头进入到缠绕管内，再从缠绕管底端的右连接头流进冷却降温装置内进行循环流动，进而使得缠绕管与内管主体很好的接触，提高整个排气管的降温效果。
一种具有降温功能合成晶体加工烧结炉排气管

[发明专利]一种超薄硅单晶切片热处理强化工艺-CN201911259122.1在审
发明人：陶术鹤;李聪;李志远;张伟才 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种超薄硅单晶切片热处理强化工艺，本热处理强化工艺通过将硅切片在特定温度下恒温1小时，然后随炉冷却至室温，使得硅切片的强度从未热处理时的1.12lbf升高到热处理后的2.52lbf。升温速率为15℃/min，恒温温度为650℃±20℃，恒温时间为1小时。相比未热处理硅切片，热处理后硅切片强度提升125%，极大降低了后道加工工序如：倒角、研磨的碎片率。
一种超薄硅单晶切片热处理强化工艺

[实用新型]一种防破裂型碳素晶体加热装置-CN201921335577.2有效
发明人：方灿榆 -专利权人：江苏贝莱尔电气有限公司
申请日： 2019-08-17 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防破裂型碳素晶体加热装置，包括封边和安装在封边内侧的加热垫主体，所述封边的一端设置有拉链，所述加热垫主体包括碳素晶体发热膜安装架、依次安装在碳素晶体发热膜安装架上侧的铝膜导热层、缓冲垫、毛绒层和依次安装在碳素晶体发热膜安装架下侧的隔热层、珍珠棉层和防水层，所述碳素晶体发热膜安装架包括架体、固定安装在架体两端的滑动侧板、盖在架体上侧的架盖和安装在架体一侧的弹性连接带；通过设计的碳素晶体发热膜安装架，把碳素晶体发热膜安装在安装架内，在出现损坏时把碳素晶体发热膜安装架抽出即可对损坏的碳素晶体发热膜进行更换，使碳素晶体发热膜在更换时更加方便快捷。
一种破裂碳素晶体加热装置

[发明专利]一种改善锗单晶内应力及内部缺微陷的热处理方法-CN202010005328.8在审
发明人：韩帅民;崔丁方;李恒方;彭明清;子光平;杨康;李双坐;张仕波;赵国灿;史桂平 -专利权人：云南驰宏国际锗业有限公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：一种改善锗单晶内应力及内部缺微陷的热处理方法，包括以下步骤：S1：将需要进行退火的锗单晶截断成合适的长度并标明编号放入炉中；S2：按照设备操作规程，将炉子抽真空后再充入氩气，然后重复两次；第二次充入氩气时，保持炉室内氩气为常压，氩气持续通入一定的气流量；单晶在氩气氛围中升温；S3：升温与降温过程包括：S31升温至100℃；S32：升温至350℃；S33：升温至450℃；S34：恒温处理；S35：降温冷却至25℃。本发明，热处理顶点温度450℃，在该温度点作为热处理顶点温时，能够有效消除锗单晶内应力与内部微缺陷。同时，根据不同直径尺寸的单晶设置了不同的升降温方案，在保证热处理效果的同时提升了生产效率。
一种改善锗单晶内应力内部缺微陷热处理方法

[实用新型]一种线材生产退火炉-CN201921125473.9有效
发明人：宫明江;王彦全;于茂来 -专利权人：天津华源线材制品有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种线材生产退火炉，涉及退火炉技术领域。该线材生产退火炉，包括装置炉，装置炉的右侧滑动连接有装置板，装置板的底部焊接有支腿，装置板的顶部焊接有锁死机构，锁死机构的正表面通过合页旋转连接有盖板，盖板的左侧焊接有线柱，锁死机构包括装置壳，装置壳内壁的正表面焊接有安装柱。该线材生产退火炉，当装置炉发生意外移动的时候，装置炉带动退火后的线材反向移动，退火后的线材带动绕线轮反向旋转，使齿块带动卡轮反向移动，卡杆将支撑杆进行卡住，使支撑杆无法反向旋转，使卡轮将齿块卡住，使绕线轮无法旋转，使退火后的线材无法反向移动，可以将退火后的线材进行固定，防止退火炉发生意外造成退火后的线材造成损伤。
一种线材生产退火炉

[发明专利]一种碳化硅晶体二次退火方法-CN201911096313.0在审
发明人：张岩;葛明明;李龙远;刘兵;李晋;赵然;赵子强;陈菲菲 -专利权人：中科钢研节能科技有限公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅晶体再处理方法领域，公开了一种碳化硅晶体二次退火方法。所述方法包括：将碳化硅晶体(6)放入石墨坩埚(4)后，在碳化硅晶体(6)周围填充碳化硅粉末原料(5)，之后将石墨坩埚(4)放入石墨毡缠制得到的保温筒(3)中，得到保温热场，再将保温热场放入退火设备中进行抽真空，之后通入惰性气体或氮气，在惰性气体或氮气保护氛围下，对退火设备进行升温，调整线圈(1)与石墨坩埚(4)的相对位置，使得上测温仪(8)和下测温仪(7)的温差绝对值小于30℃，优选为小于20℃，进一步优选为小于5℃，对退火设备进行降温，降至室温后，取出碳化硅晶体(6)。采用本发明所述的方法，使得碳化硅晶体在二次退火过程中始终处于相对均匀的热场中，进而可以降低碳化硅晶体的应力。
一种碳化硅晶体二次退火方法

[发明专利]一种蓝宝石晶片退火工艺-CN201910946943.6在审
发明人：丁云海;卢东阳;余胜军;张京伟 -专利权人：淮安澳洋顺昌集成电路股份有限公司
申请日： 2019-10-07 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明属于晶片加工制作技术领域，提供了一种蓝宝石晶片退火工艺，多级退火处理如下：第一步，退火炉升温，由室温升温至1000℃，梯度2.5‑3℃/min，并恒温30‑60min；第二步，升温至1450℃，梯度2.5‑3℃/min，恒温8‑12h；第三步，缓慢降温至1200℃，降温梯度1.5‑2℃/min，并恒温2‑3h；第四步，继续降温至600℃，降温梯度1.5‑2℃/min，并继续恒温2‑3h；退火炉停止工作，将晶片自然降温至室温。通过本发明可以将切割、研磨的warp进行分类退火，达到应力释放，并使得蓝宝石晶片warp较一致。
一种蓝宝石晶片退火工艺

[发明专利]一种提高多晶硅锭成晶率的退火工艺-CN201710254026.2有效
发明人：李旭敏;周晓康;陈发勤;梁学勤;李普;李宏;张军 -专利权人：宜昌南玻硅材料有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高多晶硅锭成晶率的退火工艺，涉及多晶硅铸锭领域，用于改善硅锭退火过程中的杂质扩散等问题，其在硅锭凝固完全后不需升高炉温而直接进行降温，避免了升温过程中杂质的扩散，使硅锭头尾及四周低少子寿命区域面积更小，降低了硅锭内部杂质，提高了硅锭的成晶率，从而提高了硅锭质量。
一种提高多晶硅锭成晶率退火工艺