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[发明专利]一种提高氮化铝晶片紫外透过率的方法-CN202110850988.0有效
发明人：吴亮;李哲;王琦琨;雷丹;黄嘉丽;张刚;赵寅廷 -专利权人：奥趋光电技术（杭州）有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高氮化铝晶片紫外透过率的方法，包括如下步骤：在待处理氮化铝晶片的上下表面覆盖至少一层保护材料，形成夹层组合结构；将所述夹层组合结构装配至容器中，并将所述容器置于高温炉中；将所述高温炉抽真空，升温后充入保护气体，达到预设保温温度和低压环境后保温预设时间；降温至室温，从高温炉中取出容器，去除所述夹层组合结构中的保护材料并取出氮化铝晶片。本发明的方法，采用高温低压热处理的方式提升AlN晶片的紫外光透过率，改善了非故意掺杂引起的晶片颜色及光学性能的均匀性。
一种提高氮化晶片紫外透过方法

[发明专利]一种纯化单晶金刚石的方法-CN202211287253.2在审
发明人：甘长银 -专利权人：海南众元碳素科技有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种纯化单晶金刚石的方法，包括以下步骤：步骤一：先对加热炉进行清洁；步骤二：接着对金刚石进行清洁；步骤三：然后再将烘干后的待纯化的单晶金刚石放到加热炉内，将加热炉抽真空至1000Pa以下，通入氩气保持压力在0.03‑0.05MPa；步骤四：最后按照不同的温度范围对单晶金刚石进行热解处理。本发明可一次性对多块单晶金刚石边缘处的多晶进行去除，使得单晶金刚石保留的面积较为完整，多晶去除的较为干净，所花费的时间较少，效率较高，利于对大批量的单晶金刚石进行加工。
一种纯化金刚石方法

[实用新型]一种井式退火炉-CN202222941329.0有效
发明人：吴敦元 -专利权人：合肥瀚特普热工技术有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种井式退火炉，包括由若干个上下串联设置的子退火炉组成的退火炉主体，所述子退火炉包括外部托架，所述外部托架内固定有由保温材料制成的子炉体，所述子炉体为上端面和下端面均为开口，所述子炉体的内壁设有多个电阻丝加热器，相邻的子炉体之间的连接处设有保温棉层。本实用新型通过将退火炉主体分为干个上下串联设置的子退火炉，每个子退火炉的电阻丝加热器分三组，而在在使用的过程中当其中一个子退火炉上的电阻丝加热器故障不能工作时，可通过临时短接的方式将其相邻的两组电阻丝加热器连接起来，保持继续加热，待生产结束后将该子炉体拆下，对其损坏的电阻加热器进行更换，而无需自上而下的将各子退火炉的电阻丝加热器一组一组的取下；既不影响产品生产，同时有效提高了更换效率。
一种退火炉

[发明专利]一种制备碳化硅晶体用分隔式保温方法-CN202211338658.4在审
发明人：管家辉;杨振华;杨阳 -专利权人：无锡上机数控股份有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备碳化硅晶体用分隔式保温方法，属于炭黑检测领域，一种制备碳化硅晶体用分隔式保温方法，包括以下步骤：S1：将生长后的碳化硅晶体放置在坩埚内；S2：利用保温模块进行保温；S3：采用测温模块对碳化硅晶体温度实时监测；S4：通过控制单元对碳化硅晶体控温，所述S1中，将生长后的碳化硅晶体依次码放在坩埚中，晶体与坩埚埚壁之间保留间隙，且间隙距离保持在2‑5cm；每层晶体之间采用耐热高分子材料(聚酰亚胺)进行分隔，它可以实现，根据坩埚内部温度变化，自动调整温度升降，大大节省了电能损耗，同时可远程监测控制坩埚内部温度信息。
一种制备碳化硅晶体分隔保温方法

[实用新型]一种炉管气路连接组件-CN202222251134.3有效
发明人：周航;耿伟;顾少俊;余珺 -专利权人：鑫德斯特电子设备 (安徽)有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种炉管气路连接组件，包括第一接口，所述第一接口端部连接有第一阀盖，所述第一阀盖端部连接有第一阀体，所述第一阀体端部设有流量控制机构，所述流量控制机构包括移动块，所述移动块上设有封堵头，所述封堵头端部设有第二阀体，所述第二阀体端部连接有第二阀体，所述第二阀体端部连接有第二阀盖，所述第二阀盖端部连接有第二接口；本实用新型结构简单，设计新颖，组件连接气路的同时可直接手动旋转流量控制机构，省时省力。
一种炉管连接组件

[发明专利]一种碳化硅二段退火工艺及碳化硅片-CN202211066901.1在审
发明人：林骞;余雅俊;占俊杰;徐良;刘建哲 -专利权人：浙江富芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅新材料技术领域，具体涉及一种碳化硅二段退火工艺及碳化硅片。退火工艺包括以下步骤：S1：将洗净烘干的碳化硅片放置在平铺于退火炉腔室内部的石墨纸上；S2：对退火炉腔室进行抽真空处理直至达到预设压力值；S3：开启退火炉的升温模式并同时向其腔室内通入氮气，温度达到1550‑1600℃时停止通入氮气而开始向其腔室内通入氢气，继续升温直至温度达到2000℃时停止加热并控温保持一段时间，以对碳化硅片进行退火处理；S4：退火完成后，打开经降温通气处理的退火炉的炉门并取出碳化硅片。通过上述工序，不仅可以实现碳化硅片的退火，还可以有效抑制碳化硅片表面发生的碳化反应，确保退火出来之后的片子仍具有很好的质量。
一种碳化硅二段退火工艺碳化硅片

[发明专利]一种基于激光加热的SiC晶圆片翘曲修复方法-CN202211325626.0在审
发明人：黎磊;詹祖日 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于激光加热的SiC晶圆片翘曲修复方法，涉及SiC器件制造技术领域。该SiC晶圆片翘曲修复方法包括：将待修复的SiC晶圆片在激光退火装置中固定；获取该待修复的SiC晶圆片的翘曲度；根据所述翘曲度，确定该待修复的SiC晶圆片内部的加热面积和加热位置；根据所述加热面积和加热位置，确定所述激光退火装置的加热参数，根据所述加热参数对所述待修复的SiC晶圆片进行加热。本发明的SiC晶圆片翘曲修复方法，耗时短，能够有效提高生产效率，可以在保留膜层，且不影响膜层的前提下，达到修复翘曲的目的。
一种基于激光加热 sic 晶圆片翘曲修复方法

[发明专利]一种第二代镍基单晶高温合金的连续升温热处理工艺-CN202211265336.1在审
发明人：樊江昆;宋岳林;李金山;王军;唐斌;袁睿豪;王毅;寇宏超 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种第二代镍基单晶高温合金的连续升温热处理工艺，通过在低温段采取多级阶梯式升温，高温段采取缓慢连续升温的方法，对工业传统热处理制度进行优化，并提高了峰值热处理温度，有效的减小了Re、W等难溶元素的偏析。同时，高温段的连续升温工艺可以有效避免因提高峰值热处理温度而导致的初熔现象，改善热处理组织，从而提高产品的力学性能和成品率。
一种第二代镍基单晶高温合金连续升温热处理工艺

[发明专利]晶体材料的重结晶方法-CN202211318594.1在审
发明人：何力;骆军委;温书育;朱元昊 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体材料的重结晶方法，包括：在晶体材料的表面沉积一层覆盖层；使用脉冲激光对所述晶体材料沉积有覆盖层的一面进行辐照，使所述晶体材料受热冷却结晶，在所述晶体材料靠近所述覆盖层的一侧形成重结晶层；刻蚀掉所述晶体材料表面的覆盖层，露出所述重结晶层。本发明通过向晶体材料表面预沉积覆盖层并使用脉冲激光退火处理晶体材料，实现晶体材料的高质量再生并有效抑制掺杂原子损失问题。
晶体材料重结晶方法

[发明专利]一种宽COP free和DZ深度硅退火片的制备方法-CN202111398486.5有效
发明人：叶绍凤 -专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽COP free和DZ深度硅退火片的制备方法，本发明涉及晶片加工技术领域。该宽COP free和DZ深度硅退火片的制备方法，通过放置组件的设置，当输送钢带运行的同时，能够通过传动组件以及放置盘等组件之间的配合，将放置的硅片输送至机体内部的同时进行转动，当两侧的挡片通过顶面开设的弧形面插入输送架底部两侧开设的矩形槽内部时，能够将两侧对应的传动齿板向上顶起，使得若干个弹簧体收缩的同时输送架停止移动，当输送架停止移动的同时，其顶面放置盘内部放置的硅片仍能够通过输送钢带的运行持续转动，使内部放置的硅片能够保证受热效果，使得能够更好的控制硅片退火时间的同时保证其受热的均匀性，提升了退火效果。
一种 cop free dz 深度退火制备方法

[发明专利]一种蓝宝石单晶体热处理装置-CN202211366198.6在审
发明人：侯绍刚;宋旭波;魏超;王亚东;韩冬 -专利权人：山东新升光电科技有限责任公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝宝石单晶体热处理装置及其方法，包括热处理装置本体，所述热处理装置本体的一侧固定连接有降温组件，且降温组件包括侧板、定位螺栓、安装架、固定架、安装板和散热风机，所述热处理装置本体的内部开设有热处理腔。该蓝宝石单晶体热处理装置设置有侧板、定位螺栓、安装架、固定架、安装板和散热风机，通过将安装架进行卡在侧板上进行限位，并且依靠定位螺栓进行安装固定，进而可对降温组件进行安装固定，并且在需要对蓝宝石晶体进行冷却时，可将蓝宝石晶体进行取出，并且可通过启动安装板上的散热风机，可使得散热风机可以好的对蓝宝石晶体进行散热，满足人们的日常使用需要，提高对蓝宝石晶体的散热效率。
一种蓝宝石单晶体热处理装置

[发明专利]一种硅棒用高频线圈加热退火装置及其退火方法-CN202211388398.1在审
发明人：刘波 -专利权人：九江市庐山新华电子有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及原生多晶退火技术领域，且公开了一种硅棒用高频线圈加热退火装置，包括安装基座，所述安装基座顶部的后方放置有高频感应电源，所述高频感应电源的正面设置有高频感应线圈，所述安装基座的顶部固定安装有防护套管，且防护套管的中部活动套装有硅棒，所述高频感应线圈套装于防护套管的外部，且高频感应线圈可对防护套管内部的硅棒进行高频加热。该硅棒用高频线圈加热退火装置及其退火方法，利用高频加热可对电导体加热的方式，设置位于高频感应线圈内部的防护套管，通过第一输送机构、第二输送机构带动硅棒在防护套管中移动，通过高频感应线圈对硅棒进行加热退火，消除硅棒中的应力，细化组织，改善切削加工性能。
一种硅棒用高频线圈加热退火装置及其方法

[发明专利]一种通过纳米压痕/划痕调控拓扑铁电畴构型的方法-CN202211209318.1在审
发明人：王学云;高子岩;洪家旺 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过纳米压痕/划痕调控拓扑铁电畴构型的方法，包括：原始片状单晶通过粘结剂固定于基底上；采用纳米压头在第一载荷下压入原始片状单晶的第一表面形成压痕；转移至加热台进行升温至80℃～120℃，将原始片状单晶与基底分离；将原始片状单晶转移至坩埚中，采用多晶粉末进行包埋，并将坩埚置于箱式炉内；将温度从室温升到1450℃～1500℃，保温5min～10min，对原始片状单晶进行热处理；恢复至室温，从坩埚中获取目标片状单晶，目标片状单晶的铁电畴在压痕附近呈六重对称涡旋型分布。通过室温下的纳米压痕/划痕在六角锰氧化物片状单晶中引入应力/应变，能够精确局域控制单晶自发形成的拓扑保护铁电畴构型。
一种通过纳米压痕划痕调控拓扑铁电畴构型方法

[实用新型]一种大尺寸单晶的退火设备-CN202221364070.1有效
发明人：刘景峰 -专利权人：北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大尺寸单晶的退火设备，包括炉体、保温层、分体坩埚、加热器组件、坩埚移动架和移动架升降机构；所述分体坩埚由上下两部分嵌合而成，分别设置在保温层侧壁中部及底部坩埚移动架上。所述加热器组件由上部加热器、中部加热器和底部加热器组成。本实用新型大尺寸单晶的退火设备增设底部加热器，使用大容积分体坩埚，设置碎晶料排放和收容结构；使得退火时，晶体的环境温梯分布更细密；有效改善大尺寸单晶退火完成后的应力分布，减少晶体缺陷。
一种尺寸退火设备

[实用新型]一种批量高温退火碳化硅晶体装置-CN202222270784.2有效
发明人：朱如忠;皮孝东;王蓉;张玺;张序清;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种批量高温退火碳化硅晶体装置，包括石墨支撑和石墨管，石墨支撑包括底座、与底座的上端相连的支架，支架内沿轴向平行放置有若干用于摆放碳化硅晶体的石墨盒，支架的一侧开放用于石墨盒的取放，石墨管套设在支架外侧，石墨管的下端可拆卸安装在底座上，石墨管的上端可拆卸安装有封盖。本实用新型具有碳化硅晶体的取放方便，防止晶体表面被污染，实现碳化硅晶体的批量退火等优点。
一种批量高温退火碳化硅晶体装置