“魏汝省”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果56个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种掺杂碳化硅单晶制备设备-CN202321340706.3有效
发明人： 魏汝省;李天;毛栋梁;李斌;毛开礼;靳霄曦 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种掺杂碳化硅单晶制备设备，包括下保温层，下保温层上端滑动配合有上保温层，下保温层以及上保温层内均设置有保温腔，两个保温腔相互连通，保温腔内设置有坩埚体，坩埚体上端滑动配合有坩埚盖，坩埚盖下端面固定有周向分布的夹块座，本实用新型通过定位环定位坩埚体，从而便于进气插管插入导流管内，并将掺杂气体通过进气插管以及导流管直接导入晶体生长腔内，使掺杂气体同生长组分一起生长，实现均匀可控掺杂，进而获得高掺杂均匀性的单晶，同时周向分布的夹块座以及夹块，可快速固定籽晶，而且在晶体生长结束后可通过夹块座与夹块座之间的缺口快速取下晶体，以此提高晶体制备效率。
一种掺杂碳化硅制备设备

[发明专利]一种制备高纯度SiC多晶棒的装置和方法-CN202310668650.2在审
发明人：李斌;靳霄曦;马康夫;毛开礼;张继光;魏汝省;张辰宇 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备高纯度SiC多晶棒的装置和方法，装置包括底板和连接在底板上的多个门型石墨棒，每个门型石墨棒中间设置有石墨隔板，每个门型石墨棒的外部还罩设有石墨坩埚，石墨坩埚的外部罩设有外罩，外罩底部与底板相连接，底板上开设有第一进气孔，外罩的顶部开设有第一出气孔，石墨坩埚的底部边缘开设有第二进气孔，第一进气孔与第二进气孔相连通。本发明采用上述结构的一种制备高纯度SiC多晶棒的装置和方法，制备效率高，生长周期短，单炉产量可达200kg以上，碳化硅纯度达到99.99%以上，低投入，高产出，从根本上降低了制备SiC粉体的成本。
一种制备纯度 sic 多晶装置方法

[发明专利]一种降低碳化硅外延基平面位错的方法-CN202310012618.9在审
发明人：殷祥凯;侯晓蕊;李天;魏汝省;李斌;王光耀;杨牧轩;潘琳茹;田蕾;张峰;张馨丹;靳霄曦 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低碳化硅外延基平面位错的方法，属于碳化硅晶体材料技术领域；方法为：将碳化硅晶体衬底进行研磨、机械抛光工艺；之后将衬底表面覆盖一层碳膜之后进行退火处理或将衬底在氩气气氛中进行退火处理，释放厚度去除时所残留的加工应力；所述退火处理的保温时间为3‑4小时；退火后，覆盖碳膜的衬底将碳膜去除之后进行化学机械抛光；在氩气气氛中退火处理的衬底直接进行化学机械抛光；化学机械抛光之后进行外延；退火后的衬底经过外延基平面位错转化率达到100%，解决了外延后晶圆中心的基平面位错密度较高，外延过程中心基平面位错转化率低的问题。
一种降低碳化硅外延平面方法

[实用新型]一种碳化硅衬底抛光用陶瓷盘快速清洗工装-CN202120836542.8有效
发明人：马康夫;魏汝省;赵丽霞;李斌;张继光;张辰宇;李刚;方芃博;陈琪;许正;靳霄曦 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅衬底抛光用陶瓷盘快速清洗工装；涉及碳化硅衬底抛光设备辅助装置；具体包括旋转控制台、高压喷水装置和PVA毛刷；旋转控制台连接有驱动电机用于做圆周运动，旋转控制台上通过连接的吸附柱支撑有陶瓷盘，高压喷水装置的喷头设置在陶瓷盘上方，PVA毛刷设置在陶瓷盘上方并与陶瓷盘接触；PVA毛刷通过连接杆和支撑柱上端相连接，支撑柱下端通过轴承组件连接有底座；底座内设置有伺服电机，支撑柱与伺服电机的输出轴相连接；本实用新型结构简单，占地空间小，可在衬底加工各阶段加工工位上及时快捷将待清洗的陶瓷盘清洗干净，对各加工阶段使用的陶瓷盘均可清洗。
一种碳化硅衬底抛光陶瓷快速清洗工装

[实用新型]一种可区分晶面的碳化硅晶体-CN202120873834.9有效
发明人：戴鑫;魏汝省;李斌;毛开礼;李天;范云 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可区分晶面的碳化硅晶体，涉及碳化硅单晶制备技术领域；所述晶体的上或下表面为碳面，相对另一面为硅面；碳面和硅面之间为晶体本体，所述晶体本体的侧面设置有刻制的标识结构，所述标识结构的刻制深度为10‑50μm，标识结构用于区分碳面和硅面；本实用新型通过在晶体的侧面通过刻痕的形式设置标识结构，不易在生产加工的过程中消除或引入杂质污染，且可以方便快速的对晶锭或晶片两个晶面进行区分，提高了加工生产的效率；解决了碳化硅晶锭/片及加工过程中碳化硅晶锭/片晶面易混淆，无法识别的问题。
一种区分碳化硅晶体

[实用新型]一种无金属杂质引入的高纯碳化硅粉料破碎装置-CN202120837155.6有效
发明人：马康夫;魏汝省;李斌;张继光;张辰宇;李刚;方芃博;陈琪;许正;靳霄曦 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B02C1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无金属杂质引入的高纯碳化硅粉料破碎装置，涉及碳化硅粉料处理技术领域；具体是包括破碎装置壳体，破碎装置壳体的顶部设置有进料斗，进料斗下方连接有破碎腔室，所述破碎腔室内设置有半圆形的破碎颚板，所述破碎腔室底部连接有出料斗；所述进料斗和出料斗内壁均涂覆有非金属层，所述破碎腔室内表面覆盖有非金属板；所述破碎颚板材质为碳化硅单晶体；本实用新型对颗粒较大的碳化硅粉料进行有效破碎，提升碳化硅粉料颗粒均匀性；破碎过程无金属杂质引入，有效保证了高纯碳化硅粉料的纯度。
一种金属杂质引入高纯碳化硅破碎装置

[实用新型]一种用于低氮高纯碳化硅粉料合成的坩埚-CN202120836543.2有效
发明人：马康夫;魏汝省;赵丽霞;李斌;张继光;张辰宇;李刚;方芃博;陈琪;许正;靳霄曦 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于低氮高纯碳化硅粉料合成的坩埚，涉及碳化硅合成技术领域；具体是包括大坩埚和布置在大坩埚内的多个小坩埚，大坩埚的坩埚盖设置有多个第一贯穿孔道，所述大坩埚的坩埚壁上设置有多个第二贯穿孔道，多个小坩埚彼此相间隔，小坩埚的外周设有透气空间，所述原料粉体设置在小坩埚内；本实用新型可有效降低粉料合成过程中的氮浓度，提升粉料纯度；有效避免混合原料在粉料合成过程中逸出坩埚，提升粉料的反应效率。
一种用于高纯碳化硅合成坩埚

[实用新型]一种降低碳化硅单晶内部碳包体缺陷密度的装置-CN202120873923.3有效
发明人：毛开礼;魏汝省;李斌;戴鑫;李天;范云;靳霄曦 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种降低碳化硅单晶内部碳包体缺陷密度的装置，涉及碳化硅单晶制备技术领域；包括坩埚本体，坩埚本体上部设置有坩埚盖；坩埚盖内表面固定连接有籽晶托，籽晶托下表面固定有碳化硅籽晶，碳化硅籽晶用于生长碳化硅晶体；坩埚本体内设置有碳化硅隔板，碳化硅隔板上分布有若干的孔隙，坩埚本体内底部设置有物料区，物料区用于放置碳化硅粉料，碳化硅隔板用于将碳化硅晶体和碳化硅粉料隔离；本实用新型采用具有孔隙的碳化硅隔板将呈分散状的碳化硅粉料和碳化硅晶体相隔离，阻止粉料中的残余碳随气流的扬升，从而降低碳化硅单晶中的碳包体缺陷密度。
一种降低碳化硅内部碳包体缺陷密度装置

[发明专利]一种优化碳化硅晶片电阻率的辐照方法-CN202110867806.0有效
发明人：刘晓星;魏汝省;赵丽霞;张峰;李鹏;范云;靳霄曦;牛玉龙 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C30B33/04 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料加工技术领域，是一种优化碳化硅晶片电阻率的辐照方法；步骤包括：采用电子加速器对晶片进行辐照；先水平辐照晶片的小面区域；之后将晶片顺时针旋转90°，以晶片中轴线为界依次辐照中轴线一侧没有小面区域的区域和中轴线另一侧存在小面区域的区域；同时限定了电子加速器的输出功率、直流高压、电流、电子束流强度，以及辐照长度宽度、电子束出束口与辐照晶片的距离、辐照时间；本发明补偿了浅能级的非故意杂质缺陷，有效提升晶片的电阻率及晶片内与晶片间的电阻均匀性。
一种优化碳化硅晶片电阻率辐照方法

[发明专利]一种晶圆盒形变量的检测装置及方法-CN202211107280.7有效
发明人：王光耀;李斌;魏汝省;侯晓蕊;张继光;刘英斌;张峰;张馨丹;靳霄曦 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G01B11/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆盒形变量的检测装置及方法，属于半导体晶圆检测技术领域；解决现有技术中对晶圆盒形变检测准确性差、效率低的问题；解决该技术问题采用的技术方案为：包括检测平台，检测平台上设置有用于放置晶圆盒的限位基台，限位基台的两端分别装配在两个第二导轨上，垂直于第二导轨的方向上设置有第一导轨，第一导轨上设置有激光发射系统和激光光斑接收系统，通过激光发射系统和激光光斑接收系统可兼容对4inch、6inch、8inch标准晶圆盒的检测，同时可对晶圆盒各个表面的形变量进行检测；本发明应用于晶圆盒形变检测。
一种晶圆盒形变检测装置方法

[实用新型]一种用于平面磨床的多尺寸晶体固定装置-CN202222423049.0有效
发明人：李鹏;周金龙;魏汝省;张峰;于洋;牛玉龙 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： B24B41/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于平面磨床的多尺寸晶体固定装置，属于半导体材料制备技术领域；包括磁吸吸盘与真空吸盘，磁吸吸盘的一侧端面上设置有固定槽，真空吸盘的一端插接于磁吸吸盘内，固定槽的底面设置有吸附槽，磁吸吸盘的另一侧端面中心处设置有进气口，进气口与吸附槽相连通，真空吸盘的另一端端面上设置有阶梯槽，每个阶梯槽的内部底面均设置有吸气槽，最内侧的阶梯槽底面处设置有中心气孔，中心气孔的两端分别与吸气槽以及吸附槽相连通；在平面磨床上还设置有真空泵，真空泵通过导气管与磁吸吸盘上的进气口相连接；解决了目前晶体在平面磨床上的固定方式附着粘力小、调节不便的问题。
一种用于平面磨床尺寸晶体固定装置

[实用新型]一种用于碳化硅晶体生长辅助处理的感应真空热压炉-CN202221135024.4有效
发明人：刘英斌;赵丽霞;魏汝省;周立平;张继光;杨凯;靳宇;高伟志 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于碳化硅晶体生长辅助处理的感应真空热压炉，涉及碳化硅晶体技术领域；包括炉体，炉体内设置有加热盘，炉体底部设置有绝缘底座，绝缘底座与加热盘相连接；炉体外部设置有加热装置，加热装置包括感应线圈，感应线圈连接有调节机构，调节机构用于调节感应线圈与绝缘底座之间的距离；感应线圈连接有电源；解决真空热压炉电阻加热易造成加热不均、或加热丝烧断造成产品报废的问题。
一种用于碳化硅晶体生长辅助处理感应真空热压

[发明专利]一种半导体级石墨粉的纯化方法-CN202111311118.2有效
发明人：许正;赵丽霞;魏汝省;马康夫;方芃博;陈琪;李刚;张辰宇;靳霄曦;张馨丹 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C01B32/215 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体级石墨粉的纯化方法，属于半导体材料加工技术领域；该方法是将待纯化的石墨粉置于感应加热炉内，在1800‑2200℃的条件下将感应加热炉腔体抽气至真空状态，随后将氯化氢与氩气的混合气体通入腔体，通气至压力为700‑900 mbar，维持2‑4 h，使腔体内氯化氢气体与杂质充分反应，随后抽气将炉体压力降低至近真空状态；本发明解决了石墨粉中高沸点的金属单质及金属化合物杂质去除率较低的问题；降低了整个纯化过程的危险性。
一种半导体石墨粉纯化方法

[实用新型]一种提高晶体一致性的碳化硅单晶生长炉-CN202122962781.0有效
发明人：张继光;周立平;刘英斌;魏汝省;杨凯;刘慧强 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高晶体一致性的碳化硅单晶生长炉，属于晶体制备技术领域；具体是在托盘上设置旋转锁舌和位置传感器，旋转锁舌连接有第二驱动电机，炉体上设置有卡槽；位置传感器通过控制器与第二驱动电机联动，在托盘与炉体闭合后通过旋转锁舌卡入卡槽进行锁紧；托盘上设置有距离传感器，距离传感器通过控制器与感应线圈升降装置连接的第一驱动电机联动，用于调节坩埚与感应线圈的距离；本实用新型保证腔体密封性能，同时防止托盘意外下落；同时确保坩埚在热场中的相对位置，保证晶体生长性能的一致性。
一种提高晶体一致性碳化硅生长

[实用新型]一种原位退火可控的碳化硅单晶生长装置-CN202122968104.X有效
发明人：刘慧强;周立平;魏汝省;刘英斌;张继光;李天;王琪;李明 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种原位退火可控的碳化硅单晶生长装置，属于晶体制备技术领域；包括真空炉，真空炉包括真空腔体和腔体外部的加热装置，真空炉连接有送风管道和排风管道，排风管道通过风机与风冷换热装置的进风口相连接，送风管道与风冷换热装置的出风口相连接，风冷换热装置的换热介质进出管路上设置有流量控制阀；本实用新型可以实现晶体的稳定快速退火：通过加大风冷装置的冷水流量，使冷却风的温度降低，从而给中空腔快速降温；通过调整设备冷却系统冷却风的温度、风量，同时满足晶体的生长过程的安全冷却和快速退火过程中的快速冷却。
一种原位退火可控碳化硅生长装置

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 56 条