专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种网带退火炉-CN202121365991.5有效
  • 黄武岐 - 盛源(漳州)炉业有限公司
  • 2021-06-16 - 2022-01-11 - C30B33/02
  • 本申请公开了一种网带退火炉,涉及退火炉的技术领域,改善了工件容易移出网带外部的问题,其包括炉体,安装于炉体内的网带,以及驱动网带转动的驱动件;所述网带的两端延伸至炉体外部,所述网带的两侧边沿处均间隔设置有凸起部,所述凸起部上设置有缓冲部。本申请能够使得工件不易移出网带外,便于对工件进行运输。
  • 一种退火炉
  • [发明专利]单晶硅晶圆的制造方法及单晶硅晶圆-CN202080028464.7在审
  • 曲伟峰;井川静男 - 信越半导体株式会社
  • 2020-02-05 - 2022-01-07 - C30B33/02
  • 本发明为单晶硅晶圆的制造方法,其为适合于多层结构器件的单晶硅晶圆的制造方法,其中,通过使用氧浓度为12ppma(JEITA)以上的NV区域的单晶硅晶圆,并进行含氮氛围下且温度为1225℃以上的RTA处理、镜面抛光加工处理及BMD形成热处理,从而制造自单晶硅晶圆的表面起至少依次具有厚度为5~12.5μm的DZ层、及位于该DZ层正下方且BMD密度为1×1011/cm3以上的BMD层的单晶硅晶圆。由此,提供一种适合于多层结构器件的单晶硅晶圆的制造方法,该单晶硅晶圆能够在形成器件时在表层部正下方吸收硅晶圆表面受到的应力,用BMD层吸收应变引起的缺陷,可提升器件形成区域的强度并抑制表层中的位错的产生、伸长。
  • 单晶硅制造方法
  • [发明专利]一种硫酸钙晶须的后处理方法-CN201910641449.9有效
  • 王莹;武发德;王鹏起;谭丹君;尹东杰;何亮;简铭 - 北新集团建材股份有限公司
  • 2019-07-16 - 2022-01-07 - C30B33/02
  • 本发明提供了一种硫酸钙晶须的后处理方法。所述后处理方法包括如下步骤:首先,将通过涉及水的硫酸钙晶须的制备方法制得的硫酸钙晶须粗品进行抽滤,将抽滤后的硫酸钙晶须粗品放置在有机溶剂中,使得硫酸钙晶须完全粗品浸泡在有机溶剂中;其次,取出硫酸钙晶须粗品,对其进行抽滤,将抽滤后进行干燥;最后,将干燥后的硫酸钙晶须放入马沸炉中进行煅烧,煅烧后即得无水硫酸钙晶须。本发明的方法适用于合成硫酸钙晶须过程中有水参与晶须合成的方法,制得的硫酸钙晶须在干燥时都容易水化,采用本发明方法可以有效防止晶须水化。可减少煅烧时间,降低煅烧温度,节约煅烧成本。
  • 一种硫酸钙处理方法
  • [实用新型]一种晶硅电池高温低氧退火设备风量调节组件-CN202121654838.4有效
  • 王泽昊;王天齐;邹大恒 - 江苏华恒新能源有限公司
  • 2021-07-21 - 2022-01-07 - C30B33/02
  • 本实用新型公开了一种晶硅电池高温低氧退火设备风量调节组件,具体涉及晶硅电池生产技术领域,包括基座,所述基座的上表面贯穿开设有框口,所述基座的顶部设置有高温低氧退火箱主体,所述高温低氧退火箱主体的内部设置有自适应风量调节机构,所述自适应风量调节机构包括加强环。本实用新型通过设置有自适应风量调节机构,驱动马达带动斜板旋转,同时斜板旋转所产生的风力带动第一模板、第二模板和连接板旋转,以驱动马达旋转的速度,带动第一模板、第二模板和连接板同步旋转,以旋转的方式过渡多余的风量,同时使得斜板旋转时所产生的风力会直接与物料相接触,退火风量可控,方便工作人员使用。
  • 一种电池高温低氧退火设备风量调节组件
  • [发明专利]一种用于拉制单晶硅棒的拉晶炉-CN202111146606.2在审
  • 徐鹏;张婉婉 - 西安奕斯伟材料科技有限公司
  • 2021-09-28 - 2021-12-31 - C30B33/02
  • 本发明实施例公开了一种用于拉制单晶硅棒的拉晶炉,所述拉晶炉包括限定出热处理室的加热器,所述加热器在所述拉晶炉中设置成使得,所述单晶硅棒能够通过沿着拉晶方向移动而进入到所述热处理室中。通过使用本发明实施例的拉晶炉,在单晶硅棒被拉制出之后就继续在拉晶炉中对单晶硅棒进行热处理,由于热处理室就设置在拉晶炉内,不需要对硅棒进行转移运送,而且可以在拉晶炉内对整根单晶硅棒进行热处理,因此大大提高了热处理的效率,另外,由于是对单晶硅棒而非晶片进行热处理,因此避免了晶片热处理过程中的交叉污染以及由于晶片与晶舟接触可能造成的晶格滑移位错问题。
  • 一种用于拉制单晶硅拉晶炉
  • [实用新型]一种蓝宝石窗口片退火治具-CN202121825292.4有效
  • 聂均红;夏永光;王芳 - 台州星星光电科技有限公司
  • 2021-08-05 - 2021-12-31 - C30B33/02
  • 本实用新型提供了一种蓝宝石窗口片退火治具,属于治具技术领域。它解决了现有蓝宝石治具使蓝宝石存在受热不均的问题。本蓝宝石窗口片退火治具包括呈框状的存放架,存放架中具有至少一个存放层,每个存放层中均设置有若干根平行设置的存放条,存放条的侧部间隔设置有若干个供蓝宝石窗口片插入的存放槽,存放槽的槽底倾斜设置,且相邻两根存放条正对的侧部上的存放槽一一对应设置。本蓝宝石窗口片退火治具具有使蓝宝石窗口片受热均匀的优点。
  • 一种蓝宝石窗口退火
  • [发明专利]一种大尺寸钽酸锂晶体单畴化方法-CN202011104786.3有效
  • 张忠伟;徐秋峰;张鸿;陈晓强;张坚;顾建生 - 天通控股股份有限公司
  • 2020-10-15 - 2021-12-14 - C30B33/02
  • 本发明涉及压电晶体技术领域,尤其是一种大尺寸钽酸锂晶体单畴化方法,包括以下步骤:a)将钽酸锂晶体放于高温炉内,升温至1350℃,保温4h,完成晶体退火,降至常温;b)将碳酸锂原料粉末、粘结剂按1:0.8~1:1的比例混合制成极化浆液,涂抹于退火完钽酸锂晶体的极化两端,再把极化用黄金丝埋于极化浆液内,迅速烘干,制成极化晶帽;c)将退火完的钽酸锂晶体按50‑60℃/h的升温速率升温,并使用电阻测试仪记录钽酸锂晶体电阻变化,当温度超过600℃,电阻变化速率变小,达到2Ω/10℃时,暂停升温,PLC施加电流对钽酸锂晶体进行极化操作,当极化电流达到要求值时,停止加电流,保温4h,按50‑60℃/h的降温,当温度低于600℃时,关闭极化电流,继续降至常温。
  • 一种尺寸钽酸锂晶体单畴化方法
  • [发明专利]一种连续式晶体硅高效应力释放设备-CN202111168550.0在审
  • 吴利德 - 吴利德
  • 2021-09-30 - 2021-12-10 - C30B33/02
  • 本发明公开了一种连续式晶体硅高效应力释放设备,涉及晶体硅的应力释放技术领域,用于解决现有技术中在对晶体硅释放应力时,硅棒两端的硅渣容易掉入加热炉内而不便清理以及硅棒在炉内移动时容易错位和断裂的问题,本发明包括依次设置的进料输送机构、上料机构、加热炉、接料机构、水箱、滚轴箱体,所述滚轴箱体内安装有多个下滚筒;所述加热炉内安装有多个上滚筒,所述上滚筒上安装有多个移料托架,所述移料托架的顶面设有可让硅棒沿加热炉长度方向放置的多组放置组件;所述加热炉的前端和后端均安装有竖直换料机构。本发明通过上述技术方案使得硅棒两端的硅渣基本上不会掉落到加热炉内,从而更容易对掉落的硅渣进行清理。
  • 一种连续晶体高效应力释放设备
  • [发明专利]一种高效晶体退火装置及其退火方法-CN202010349412.1有效
  • 不公告发明人 - 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
  • 2020-04-28 - 2021-12-10 - C30B33/02
  • 一种高效的晶体退火装置及其退火方法,它属于晶体生长加工领域。本发明包括坩埚本体,坩埚盖,坩埚本体内底部设置有支架卡槽、粉料筒卡槽,支架卡槽连接组合支架,粉料筒卡槽连接粉料筒,坩埚本体顶端设置有坩埚盖,粉料筒底部设置有第一定位键,组合支架包括第一支架、第二支架,第一支架为凹型支架,第一支架的顶端两侧设置有键槽,第一支架的中部内侧设置有第一凹槽,第二支架为桥形支架,第二支架的底端两侧设置有第二定位键,第二支架的顶端中心位置设置有第二凹槽,4个支架卡槽呈正方形分布,粉料筒卡槽位于坩埚本体底部中心位置。本发明可有效去除晶体中存在的热应力及机械加工应力,避免后续切割工艺过程中产生晶片翘曲和开裂问题。
  • 一种高效晶体退火装置及其方法
  • [实用新型]一种晶体原位退火装置-CN202121231127.6有效
  • 王书杰;孙聂枫;徐森锋;孙同年;刘惠生 - 中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 2021-06-03 - 2021-12-07 - C30B33/02
  • 一种晶体原位退火装置,属于晶体制备领域,具体涉及晶体生长完成后实现原位退火的装置,设置在主炉体内,所述装置包括上密封罩、上密封罩驱动装置、下密封罩、下密封罩驱动装置,上密封罩下部开口形成上密封罩主体,下密封罩上部开口,上密封罩主体外设置上密封罩加热丝,下密封罩上部开口外设置下密封罩加热丝;在上密封罩驱动装置和下密封罩驱动装置驱动下,密封罩主体和下密封罩的上部开口部分重叠,形成退火空间。采用本实用新型提出的退火装置,可以在合适的空间内实现晶体的原位退火,尤其是需要在特定气氛下退火时,保证气体不外露、不凝结,维持良好的退火环境,保证晶体质量。
  • 一种晶体原位退火装置
  • [实用新型]一种锗晶体退火设备-CN202121182992.6有效
  • 刘怀成;李怀宇;裴洁;裴泽轩 - 保定晶泽光电技术有限公司
  • 2021-05-28 - 2021-12-03 - C30B33/02
  • 本实用新型公开了一种锗晶体退火设备,包括退火箱体,所述退火箱体的顶部通过铰链活动连接有箱盖,退火箱体的内部设有退火坩埚,退火坩埚的外部设有内保温层,内保温层远离退火坩埚的一侧设有加热圆筒,加热圆筒与内保温层之间设有第一传热间隙,加热圆筒远离内保温层的一侧设有外保温层,加热圆筒的底部设有加热底盘,加热底盘和内保温层之间设有第二传热间隙。本锗晶体退火设备,可以减慢加热圆筒直接对退火坩埚的热传递,可使加热圆筒外壁向退火坩埚传热时更均匀,更稳定,有效减少了退火坩埚内的径向温度梯度,使得晶体退火后,晶体各项性能在径向上的差异减小,使得炉内各点温度趋于一致,退火后的锗晶体在切割过程中的合格率更高。
  • 一种晶体退火设备
  • [实用新型]一种新型快速退火冷却系统-CN202120991901.7有效
  • 刘洋;姜洪斌;李强 - 青岛精诚华旗微电子设备有限公司
  • 2021-05-11 - 2021-12-03 - C30B33/02
  • 本实用新型提供一种新型快速退火冷却系统,包括机柜、加热体、台面板、石英管、固定法兰组件、升降模组、支撑组件、石英舟、散热门组件、热交换器、轴流风扇、过滤门组件、高效过滤器、保温门组件,所述加热体位于机柜中部台面板上部,所述加热体内部安装有石英管,所述石英管下部有固定法兰组件,所述固定法兰组件固定于机柜中部台面板下表面,与现有技术相比,本实用新型具有如下的有益效果:能够实现硅片做完退火工艺后的快速冷却,冷却速度较传统退火炉提高很多,大大提高了产品的性能。
  • 一种新型快速退火冷却系统
  • [实用新型]一种单晶硅片退火冷却箱-CN202023298566.7有效
  • 饶海峰;沈传进;许天红;张峰;孙小龙;陈兆民 - 金寨嘉悦新能源科技有限公司
  • 2020-12-30 - 2021-12-03 - C30B33/02
  • 本实用新型公开了一种单晶硅片退火冷却箱,包括冷却箱本体,冷却箱本体内开设有冷却槽,冷却槽的内壁沿竖直中垂线对称开设有两个滑槽,滑槽内滑动连接有滑板,两个滑板之间固接有支撑板,滑板上设置有夹持机构,夹持机构用于夹持位于支撑板上方的单晶硅片,冷却箱本体上转动连接有用于密封的连接盖。本实用新型通过设置滑槽,滑板插入滑槽的过程中,驱动块接触并下压固定块,使得固定块下降并带动连接板、夹板下降,达到快速夹持硅片的效果,此时通过风机对硅片的两侧进行冷却,达到便于工作的效果,通过设置弹簧,冷却后将支撑板滑出,此时驱动块与固定块分离,弹簧的弹力会将固定块顶出,从而使得夹板远离硅片,达到快速拆卸的效果。
  • 一种单晶硅退火冷却
  • [发明专利]一种蓝宝石玻璃面板的退火方法-CN202111012139.4在审
  • 聂均红;夏永光;王芳 - 台州星星光电科技有限公司
  • 2021-08-31 - 2021-11-30 - C30B33/02
  • 本发明涉及一种蓝宝石玻璃面板的退火方法,为了解决现有的退火产品强度不佳的问题,提供一种蓝宝石玻璃面板的退火方法,该方法包括将蓝宝石玻璃面板放入退火炉,控制升温速率升温至250℃~300℃后进行第一段保温处理;再控制升温速率继续升温至500℃~800℃后进行第二段保温处理;再控制升温速率升温至1100℃~1500℃后进行第三段保温处理;再控制升温速率升温至1600℃~1650℃后进行第四段保温处理;后控制降温速率降温至1500℃~1100℃后进行第五段保温处理;再进行分级降温处理降温至出炉。本发明能够提高产品的强度性能,且大大的简化操作,且蓝宝石玻璃面板的表面微裂纹消除,静压强度高的效果。
  • 一种蓝宝石玻璃面板退火方法

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