[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在暴露在工件上的源极/漏极开口中的源极/漏极特征的顶表面以及所述源极/漏极开口的侧壁之上共形地沉积电介质层；

各向异性地蚀刻所述电介质层，以暴露所述源极/漏极特征；

对所述电介质层进行注入工艺；以及

在执行所述注入工艺之后，对所述工件执行预清洁工艺，

其中，所述注入工艺包括非零倾斜角度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电介质层包括氮化硅、碳氮化硅、或硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述注入工艺包括使用氙或氩。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非零倾斜角度在10°至85°之间。

5.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述注入工艺导致所述电介质层的氧化，以形成所述电介质层的氧化部分，

其中，所述预清洁工艺去除所述电介质层的氧化部分。

6.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述注入工艺导致对所述电介质层的损伤，以形成所述电介质层的受损部分，

其中，所述预清洁工艺去除所述电介质层的受损部分。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述注入工艺之前，对所述工件执行预硅化物注入工艺，

其中，所述预硅化物注入工艺用锗来注入暴露的源极/漏极特征。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述预硅化物注入工艺包括零度倾斜角度。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

接收工件，所述工件包括：

第一栅极结构，

第二栅极结构，

源极/漏极开口，所述源极/漏极开口位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间，以及

源极/漏极特征，所述源极/漏极特征在所述源极/漏极开口中暴露；

在所述源极/漏极开口的侧壁和所述源极/漏极特征的顶表面之上共形地沉积电介质层；

各向异性地蚀刻所述电介质层，以暴露所述源极/漏极特征；

对暴露的源极/漏极特征执行第一注入工艺；

在执行所述第一注入工艺之后，对所述电介质层执行第二注入工艺以形成经处理部分；以及

在执行所述第二注入工艺之后，对所述工件执行预清洁工艺，

其中，所述预清洁工艺以比蚀刻所述电介质层更快的速率来蚀刻所述经处理部分。

10.一种制造半导体器件的方法，包括：

接收包括源极/漏极特征的工件，所述源极/漏极特征在被限定在两个栅极结构之间的源极/漏极开口中暴露；

在所述源极/漏极开口的侧壁和所述源极/漏极特征的顶表面之上共形地沉积电介质层；

各向异性地蚀刻所述电介质层，以暴露所述源极/漏极特征；

对所述电介质层执行注入工艺，以形成所述电介质层的经处理部分；

在执行所述注入工艺之后，对所述工件执行预清洁工艺；

在所述源极/漏极特征之上形成硅化物层；以及

在所述硅化物层之上形成金属插塞，

其中，所述注入工艺注入氙或氩。