[发明专利]一种封装结构的制作方法

说明书

本申请公开了一种封装结构的制作方法，将多个第一芯片间隔设置于散热板上，每个所述第一芯片上远离所述散热板的一侧设置第一凸点，将所述第一芯片塑封于所述散热板上形成第一封装层，并在每个所述第一凸点上设置RDL层，在所述第一封装层上设置第二芯片和转接板，所述第一芯片和所述第二芯片通过所述RDL层和所述转接板信号连接；将所述第二芯片和所述转接板塑封于所述第一封装层上以形成第二封装层。在本申请实施例中，采用将第一芯片、第二芯片和转接板堆叠设置，使得封装结构的结构更加紧凑，通过将第一芯片直接固定在散热板上，热量能够通过散热板快速散出，实现对封装结构内部的第一芯片和第二芯片进行快速降温的效果。

技术领域

本申请属于半导体封装技术领域，具体地，本申请涉及一种封装结构的制作方法。

背景技术

随着电子产品多功能化和小型化的潮流，高密度微电子组装技术在新一代电子产品上逐渐成为主流。在工业技术水平的发展下,人们对于电子元件的散热性能也提出了更为严格的要求,电子元件散热方式多种多样,需要综合考虑各类因素进行选取。如何选取高效适合的封装结构，是封装设计人员需要着重考虑的因素。

现有技术中对于热耗体积和密度都很高或者高温环境下的电子元件，散热方法一般都选择液体冷却法。对于芯片晶圆工艺，受限于芯片工艺及制作结构，很难在芯片内部增加散热结构，液体冷却法难以实现。所以封装结构无法实现散热功能，导致电子元件发热严重，使用寿命降低，同时使用过程中会产生系统卡顿甚至死机等情况的发生。

因此，有必要对封装结构的制作方法进行改进，解决现有技术中封装结构散热较差的问题。

发明内容

本申请的一个目的是提供一种封装结构的制作方法，以解决现有技术中封装结构散热较差的问题。

根据本申请的一个方面，提供了一种封装结构的制作方法，将多个第一芯片间隔设置于散热板上，每个所述第一芯片上远离所述散热板的一侧设置第一凸点，将所述第一芯片塑封于所述散热板上形成第一封装层，所述第一凸点裸露于所述第一封装层的表面，并在每个所述第一凸点上设置RDL层；

在所述第一封装层上设置第二芯片和转接板，所述第二芯片朝向所述RDL层一侧设置第二凸点，所述转接板上朝向所述RDL层的一侧设置第三凸点，所述第二凸点和所述第三凸点分别连接于所述RDL层上，所述第一芯片和所述第二芯片通过所述RDL层与所述转接板信号连接；

将所述第二芯片和所述转接板塑封于所述第一封装层上以形成第二封装层，所述转接板远离所述RDL层的一侧裸露于所述第二封装层的表面，并在所述转接板远离所述RDL层的一侧设置有第四凸点，所述第二芯片被所述第二封装层包裹。

可选地，形成所述第一封装层时，所述第一凸点被所述第一封装层包裹，研磨所述第一封装层远离所述散热板的一侧，至所述第一凸点裸露于所述第一封装层的表面。

可选地，形成所述第二封装层时，所述转接板被所述第二封装层所完全包裹，研磨所述第二封装层远离所述散热板的一侧，至所述转接板远离所述散热板的一侧裸露于所述第二封装层的表面。

可选地，所述转接板裸露于所述第二封装层的表面时，所述第二芯片均被所述第二封装层包裹。

可选地，所述第一芯片上设置至少两个所述第一凸点，所述第二芯片上设置至少两个所述第二凸点，每个所述第一凸点上均设置有所述RDL层，每个所述RDL层均与所述转接板信号连接，所述第二芯片上的两个所述第二凸点分别和两个不同的所述第一芯片上的任一所述RDL层相连。

可选地，所述第一芯片通过焊接固定于所述散热板上。

可选地，所述第一凸点、所述第二凸点、所述第三凸点和所述第四凸点由金、锡、银、铝或铜中的任意一种或几种导电材料构成。

可选地，第一封装层内，相邻的所述第一芯片之间填充有塑封材料；