[发明专利]半导体器件的形成方法

说明书

在本发明提供的半导体器件的形成方法中，通过形成保护层，所述保护层覆盖所述核心区的所述第二介质层；然后去除所述高压区的所述第二介质层和部分厚度的所述第一介质层，并且所述高压区剩余的所述第一介质层的厚度小于所述第二介质层的厚度。接着去除所述高压区剩余的所述第一介质层、所述保护层以及所述核心区的第二介质层。由于所述高压区剩余的所述第一介质层的厚度小于所述第二介质层的厚度，由此在后续去除所述高压区剩余的所述第一介质层和所述核心区的所述第二介质层的过程中，减少了对所述核心区的所述第二介质层的刻蚀量，从而减少对靠近所述核心区的所述浅沟槽隔离形貌的损伤，进而改善器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体器件的形成方法。

背景技术

在现有的半导体器件的形成方法中，需要在所述半导体衬底上形成栅氧层，所述半导体衬底上形成有牺牲层，在形成栅氧层前，需要通过多次刻蚀去除所述牺牲层，多次刻蚀会对半导体衬底造成损伤，以及会对浅沟槽隔离结构的形貌造成一定的影响，进而影响器件的性能。因此，如何降低对于器件性能的影响成了本领域技术人员需要解决的一个问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件的形成方法，以解决半导体器件在形成过程中，影响浅沟槽隔离结构的形貌而导致影响器件性能的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体器件的形成方法，所述半导体器件的形成方法包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括依次堆叠的基底、第一介质层和第二介质层，所述基底、所述第一介质层和所述第二介质层中形成有浅沟槽隔离结构，所述基底包括分别位于所述浅沟槽隔离结构两侧的核心区和高压区；

形成保护层，所述保护层覆盖所述核心区的所述第二介质层；

去除所述高压区的所述第二介质层和部分厚度的所述第一介质层，并且所述高压区剩余的所述第一介质层的厚度小于所述第二介质层的厚度；

去除所述高压区剩余的所述第一介质层、所述保护层以及所述核心区的所述第二介质层，暴露出所述高压区的所述基底以及所述核心区的所述第一介质层；

在暴露出的所述基底和所述第一介质层上形成栅氧层。

可选的，在所述半导体器件的形成方法中，所述第一介质层包括氧化层和位于所述氧化层上的硅材料层。

可选的，在所述半导体器件的形成方法中，去除所述高压区的部分所述第一介质层包括：去除所述高压区的所述硅材料层以及部分所述氧化层。

可选的，在所述半导体器件的形成方法中，所述第二介质层的厚度小于或者等于所述氧化层的厚度。可选的，在所述半导体器件的形成方法中，所述高压区剩余的所述第一介质层的厚度为1nm-20nm。

可选的，在所述半导体器件的形成方法中，所述第二介质层为氧化硅层。

可选的，在所述半导体器件的形成方法中，通过干法刻蚀去除所述高压区的所述第二介质层和部分厚度的所述第一介质层。

可选的，在所述半导体器件的形成方法中，通过湿法刻蚀去除所述高压区剩余的所述第一介质层、所述保护层以及所述核心区的所述第二介质层。

可选的，在所述半导体器件的形成方法中，所述湿法刻蚀所采用的溶液为酸性溶液。

可选的，在所述半导体器件的形成方法中，所述保护层为光刻胶层。