[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一绝缘体；

所述第一绝缘体上的第一氧化物；

所述第一氧化物上的第二氧化物；

所述第二氧化物上的第一导电体及第二导电体；

所述第二氧化物上的第三氧化物；

所述第三氧化物上的第二绝缘体；

位于所述第二绝缘体上并与所述第三氧化物重叠的第三导电体；

与所述第一绝缘体上、所述第一氧化物的侧面、所述第二氧化物的侧面、所述第一导电体的侧面、所述第一导电体的顶面、所述第二导电体的侧面、所述第二导电体的顶面接触的第三绝缘体；以及

所述第三导电体、所述第二绝缘体、所述第三氧化物及所述第三绝缘体上的第四绝缘体，

其中，所述第四绝缘体与所述第三导电体、所述第二绝缘体及所述第三氧化物的每一个的顶面接触。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第三绝缘体和所述第四绝缘体都比所述第一绝缘体难以使氧及氢中的一方或双方透过。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，

其中所述第三绝缘体和所述第四绝缘体都比所述第二绝缘体难以使氧及氢中的一方或双方透过。

4.根据权利要求1至权利要求3中任一项所述的半导体装置，

其中所述第三绝缘体和所述第四绝缘体都是包含铝及铪中的一方或双方的氧化物。

5.根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的半导体装置，

其中所述第三绝缘体和所述第四绝缘体都是氧化铝。

6.根据权利要求1至权利要求5中任一项所述的半导体装置，

其中所述第一氧化物至所述第三氧化物具有In、元素M(M是Al、Ga、Y或Sn)及Zn。

7.一种包括晶体管的半导体装置，

其中，所述晶体管包括：

第一绝缘体；

所述第一绝缘体上的第一氧化物；

所述第一氧化物上的第二氧化物；

所述第二氧化物上的第一导电体及第二导电体；

所述第二氧化物上的第三氧化物；

所述第三氧化物上的第二绝缘体；以及

位于所述第二绝缘体上并与所述第三氧化物重叠的第三导电体，

在所述晶体管的沟道长度方向上的截面中，以所述第一绝缘体的底面的高度为标准，与所述第二氧化物重叠的区域中的所述第三导电体的底面的高度比所述第二导电体的顶面的高度低，

并且，在所述晶体管的沟道宽度方向上的截面中，以所述第一绝缘体的底面的高度为标准，不与所述第二氧化物重叠的区域中的所述第三导电体的底面的高度比所述第二氧化物的底面的高度低。

8.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成第一绝缘体；

在所述第一绝缘体上依次形成第一氧化膜及第一导电膜；

对所述第一氧化膜及所述第一导电膜进行加工来形成第一氧化物及导电体层；

以覆盖所述第一氧化物及所述导电体层的方式依次形成第一绝缘膜及第二绝缘膜；

通过在所述导电体层、所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜中形成使所述第一氧化物露出的开口，形成第一导电体、第二导电体及第二绝缘体；

进行第一加热处理形成第二氧化膜；

进行第二加热处理形成第三绝缘膜；

形成第二导电膜；

通过进行平坦化处理，直到所述第二绝缘膜的一部分露出为止去除所述第二氧化膜、所述第三绝缘膜及所述第二导电膜，来形成第二氧化物、第三绝缘体及第三导电体；

以覆盖所述第二绝缘膜、所述第二氧化物、所述第三绝缘体及所述第三导电体的方式形成第四绝缘膜；以及

进行第三加热处理。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，

其中在减压下依次进行所述第一加热处理及所述第二氧化膜的成膜。