[发明专利]半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

在衬底上形成的竖直有源区，包括沿竖直方向依次设置的第一源/漏区、沟道区和第二源/漏区；

绕沟道区的外周形成的栅堆叠；

第二源/漏区上方到第二源/漏区的第一接触部，其中，第一接触部外周与第二源/漏区外周对准；

其中第一接触部自对准于第二源/漏区；

其中，第一源/漏区包括延伸超出其上方的有源区部分的横向延伸部分，

该半导体器件还包括：第一源/漏区的横向延伸部分上方到第一源/漏区的第二接触部，

其中，第二接触部包括依次叠置在衬底上且在竖直方向上彼此对准的第一部分和第二部分，

其中，第一部分包括低电阻的半导体材料和/或金属半导体化合物。

2. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

第一接触部的外周与第二源/漏区的外周重合；或者

该半导体器件还包括在第二源/漏区的表面上形成的金属半导体化合物层，其中，第一接触部的外周与第二源/漏区的表面上形成的金属半导体化合物层的外周重合。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一接触部和/或第二接触部包含金属Cu、Co、W、Ru及其组合。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

第二接触部的第二部分包括与第一接触部相同的材料，且与第一接触部在竖直方向上的厚度相同，第二接触部的第一部分包括半导体材料和/或金属半导体化合物材料。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述第二接触部的第一部分包括的所述半导体材料中的元素至少部分与所述第一源/漏区或沟道区或第二源/漏区中的部分半导体元素相同。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，第二接触部还包括包围第一部分和第二部分外周的金属层。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述包围第二接触部的第一部分和第二部分外周的金属层包含金属Cu、Co、W、Ru或其中任意几个的组合。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

到栅堆叠中的栅导体层的第三接触部。

9. 根据权利要求8所述的半导体器件，其中，

第三接触部与栅导体层是一体的；或者

第三接触部包括与第一接触部相同的材料。

10.一种半导体器件，其包括：

衬底；

在衬底上形成的竖直有源区，包括沿竖直方向依次设置的第一源/漏区、沟道区和第二源/漏区；

绕沟道区的外周形成的栅堆叠；

在栅堆叠上方且在有源区的侧壁形成的隔离墙；

在栅堆叠上方且在隔离墙侧壁上形成的自对准金属接触部。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括在所述自对准金属接触部上方形成的与所述自对准金属触部自对准的第三接触部。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括在栅堆叠上方且在隔离墙的侧壁保形地形成的扩散阻挡层；

在扩散阻挡层上方保形地形成的金属接触层；

在金属接触层的侧壁保形地形成的薄电介质层；

由扩散阻挡层和金属接触层形成的自对准金属触部；

在自对准金属触部上形成的与自对准金属触部自对准的第三接触部。

13.根据权利要求10或11所述的半导体器件，其中，自对准金属触部和/或第三接触部包含金属Cu、Co、W、Ru及其中任意几个的组合。