[发明专利]一种沟槽型超结功率器件

权利要求书

1.一种沟槽型超结功率器件，其特征在于，包括：

n型漏区以及位于所述n型漏区之上的n型漂移区，所述n型漂移区内设有至少两个平行设置的p型柱状外延掺杂区，所述p型柱状外延掺杂区的顶部设有p型体区，所述p型体区内设有p型体区接触区、第一n型源区和第二n型源区；

位于所述p型体区接触区之上的导电层，所述导电层与所述p型体区接触区形成体区接触二极管结构，其中所述导电层为所述体区接触二极管的阴极，所述p型体区接触区为所述体区接触二极管的阳极；

位于相邻两个所述p型体区之间且凹陷在所述n型漂移区内的栅极沟槽，所述栅极沟槽内设有栅介质层、第一栅极和第二栅极；

位于所述p型体区内且介于所述第一n型源区与所述n型漂移区之间的第一电流沟道，所述第一栅极通过栅极电压来控制所述第一电流沟道的开启和关断；

位于所述p型体区内且介于所述第二n型源区与所述n型漂移区之间的第二电流沟道，所述第二栅极、第一n型源区、第二n型源区、导电层之间电性连接并均接源极电压，所述第二栅极通过源极电压来控制所述第二电流沟道的开启和关断。

2.如权利要求1所述的一种沟槽型超结功率器件，其特征在于，所述第一电流沟道的开启电压大于所述第二电流沟道的开启电压。

3.如权利要求1所述的一种沟槽型超结功率器件，其特征在于，所述导电层为位于所述p型体区之上的源极金属接触层，所述p型体区接触区的掺杂浓度低于所述p型体区的掺杂浓度的最大峰值，所述p型体区接触区与所述源极金属接触层形成肖特基势垒二极管结构。

4.如权利要求3所述的一种沟槽型超结功率器件，其特征在于，所述第二栅极、第一n型源区、第二n型源区之间通过所述源极金属接触层连接，所述源极金属接触层外接源极电压。

5.如权利要求1所述的一种沟槽型超结功率器件，其特征在于，所述导电层为位于所述p型体区之上的n型多晶硅层，所述n型多晶硅层与所述p型体区接触区形成硅基的体区接触二极管结构。

6.如权利要求5所述的一种沟槽型超结功率器件，其特征在于，所述n型多晶硅层与所述第二栅极、第一n型源区、第二n型源区接触连接，所述n型多晶硅层通过源极金属接触层外接源极电压。

7.如权利要求1所述的一种沟槽型超结功率器件，其特征在于，所述导电层为位于所述p型体区内的n型掺杂区，所述n型掺杂区与所述p型体区接触区形成硅基的体区接触二极管结构。

8.如权利要求7所述的一种沟槽型超结功率器件，其特征在于，所述第二栅极通过源极金属接触层与所述第一n型源区、第二n型源区、n型掺杂区连接，所述源极金属接触层外接源极电压。

9.如权利要求1所述的一种沟槽型超结功率器件，其特征在于，所述第一栅极和第二栅极设于所述栅极沟槽的内部两侧，所述第一栅极和第二栅极在所述栅极沟槽内由绝缘介质层隔离。

10.如权利要求1所述的一种沟槽型超结功率器件，其特征在于，所述栅极沟槽包括第一栅极沟槽和第二栅极沟槽，所述第一栅极沟槽内设有栅介质层和第一栅极，所述第二栅极沟槽内设有栅介质层和第二栅极，所述第一栅极沟槽和第二栅极沟槽由所述n型漂移区隔离。