[发明专利]半导体封装件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体封装件的制造方法。尤其是，本发明涉及在基材上的半导体装置的封装技术。

背景技术

以往，在移动电话或智能电话等的电子设备中采用在支承基板上搭载有集成电路(integrated circuit，IC)芯片等半导体装置的半导体封装件结构(例如日本特开2010-278334号公报)。在这种半导体封装件中，通常采用如下结构：在支承基材上通过粘接层接合IC芯片或存储器等的半导体装置，并通过利用密封体(密封用树脂材料)覆盖该半导体装置，来保护半导体器件。

作为用于半导体装置的支承基材，采用印刷基材、陶瓷基材等各种基材。尤其是，近年来，对于使用金属基材的半导体封装件的开发研究不断推进。在金属基材上搭载有半导体装置并通过再布线来扇出(fan-out)的半导体封装件具有电磁屏蔽性能、热性能优良的优点，作为高可靠性的半导体封装件而备受瞩目。这种半导体封装件还具有封装设计的自由度高的优点。

在支承基材上搭载半导体装置的结构的情况下，通过在大型支承基材上搭载多个半导体装置，能够利用同一工序来制造多个半导体封装件。在这种情况下，形成在支承基材上的多个半导体封装件，在制造过程结束之后被单片化，从而完成各个半导体封装件。像这种在支承基材上搭载有半导体装置的半导体封装件的结构具有生产率高的优点。

发明内容

如上所述，在考虑到使用大型金属基材为支承基材的量产方法的情况下，需要满足如下条件：对该金属基材配置半导体装置时的高对准精度、半导体装置与布线之间的良好的接触、或高成品率的半导体封装件的单片化等。

本发明是鉴于这些问题而提出的，其目的在于提供高成品率的半导体封装件的制造方法。

本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法，包括如下步骤：在基材上配置包括外部端子的至少一个半导体装置，使得所述外部端子不与所述基材对置；在设置有所述至少一个半导体装置的基材上形成用于包围所述半导体装置的周围的框体；以及在所述框体的内侧形成包含树脂绝缘材料、用于密封所述半导体装置的树脂绝缘层。

在配置所述半导体装置之前，还可以包括在所述基材上形成对准标记的步骤，其中，所述半导体装置配置于所述对准标记的内侧；所述框体形成于所述对准标记的外侧；还包括在所述对准标记与所述框体之间，对所述树脂绝缘层所密封的半导体装置进行单片化。

在所述基材上形成所述框体之前，还可以包括如下步骤：对除配置所述半导体装置的面之外的所述基材的表面进行蚀刻；以及在蚀刻了的所述基材的表面析出金属，在形成了所述树脂绝缘层之后，还可以包括如下步骤：在所述树脂绝缘层上形成第一导电层；在所述第一导电层和所述树脂绝缘层形成用于使所述半导体装置的所述外部端子露出的开口部；以及在所述基材的第一面和侧面部、所述第一导电层上及所述开口部内形成电镀层。

可以在所述基材上配置多个所述半导体装置，以包围所述多个半导体装置的各个的周围的方式形成所述框体。

可以在所述基材上配置多个所述半导体装置，以包围所述多个半导体装置的周围的方式形成所述框体。

在所述基材上形成所述框体之前，还可以包括如下步骤：对除配置所述半导体装置面之外的所述基材的表面进行蚀刻；以及在蚀刻了的所述基材的表面析出金属，在形成了所述树脂绝缘层之后，还可以包括如下步骤：在所述树脂绝缘层上形成第一导电层；在所述第一导电层和所述树脂绝缘层形成用于使所述半导体装置的所述外部端子露出的开口部；以及在所述基材的第一面和侧面部、所述第一导电层上及所述开口部内形成电镀层。

由于所述框体的厚度被设定成适合于第一树脂绝缘层的绝缘层厚度，因此可以比所述半导体装置的厚度厚，也可以比所述半导体装置的厚度薄。

所述框体可以包含环氧树脂。

根据本发明的半导体封装件的制造方法，能够提供高成品率的半导体封装件的制造方法。

附图说明

图1为本发明的一个实施方式的半导体封装件的剖面示意图。

图2为示出在本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，在支承基材形成对准标记的工序的图。

图3为示出在本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，在支承基材形成粘接层的工序的图。

图4为示出在本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，对支承基材的背面和侧面进行粗化的工序的图。

图5为示出在本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，去除粘接层的一部分的工序的图。