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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体封装件及制造半导体封装件的方法-CN202210263720.1在审
发明人：町田纮一;北野一彦 -专利权人：安靠科技日本公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供高成品率的半导体封装件的制造方法。半导体封装件的制造方法包括如下步骤：对包含至少一种金属且具有第一面和与所述第一面对置的第二面的基材的所述第一面及位于所述第一面与所述第二面之间的侧面部进行蚀刻，且在所述第一面及所述侧面部附着与所述金属不同的其他金属；在所述基材的所述第二面配置包括外部端子的半导体装置，使得所述外部端子不与所述第二面对置；形成用于覆盖所述半导体装置的树脂绝缘层；在所述树脂绝缘层上形成第一导电层；在所述第一导电层和所述树脂绝缘层形成用于使所述半导体装置的所述外部端子露出的开口部；以及在所述基材的所述第一面和侧面部、所述第一导电层上及所述开口部内形成镀层。
半导体封装制造方法

[发明专利]半导体封装件及半导体封装件的制造方法-CN202210347036.1在审
发明人：竹原靖之;北野一彦 -专利权人：安靠科技日本公司
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供用于获得在将半导体装置配置于基材时的高对准精度的半导体封装件的制造方法。半导体封装件具有：基材，设置有凹部；半导体装置，配置于基材的设置有凹部的面一侧；以及树脂绝缘层，覆盖半导体装置。半导体封装件还可以具有在基材与半导体装置之间的粘接层。粘接层具有用于露出凹部的开口部，树脂绝缘层可以与开口部的侧壁相接触。
半导体封装制造方法

[发明专利]半导体封装件及半导体封装件的制造方法-CN201710227962.4有效
发明人：竹原靖之;北野一彦 -专利权人：安靠科技日本公司
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供用于获得在将半导体装置配置于基材时的高对准精度的半导体封装件的制造方法。半导体封装件具有：基材，设置有凹部；半导体装置，配置于基材的设置有凹部的面一侧；以及树脂绝缘层，覆盖半导体装置。半导体封装件还可以具有在基材与半导体装置之间的粘接层。粘接层具有用于露出凹部的开口部，树脂绝缘层可以与开口部的侧壁相接触。
半导体封装制造方法

[发明专利]半导体封装件的制造方法-CN201710456829.6有效
发明人：町田纮一;北野一彦 -专利权人：安靠科技日本公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供高成品率的半导体封装件的制造方法。半导体封装件的制造方法包括如下步骤：对包含至少一种金属且具有第一面和与所述第一面对置的第二面的基材的所述第一面及位于所述第一面与所述第二面之间的侧面部进行蚀刻，且在所述第一面及所述侧面部附着与所述金属不同的其他金属；在所述基材的所述第二面配置包括外部端子的半导体装置，使得所述外部端子不与所述第二面对置；形成用于覆盖所述半导体装置的树脂绝缘层；在所述树脂绝缘层上形成第一导电层；在所述第一导电层和所述树脂绝缘层形成用于使所述半导体装置的所述外部端子露出的开口部；以及在所述基材的所述第一面和侧面部、所述第一导电层上及所述开口部内形成镀层。
半导体封装制造方法

[发明专利]MI元件的制造方法及MI元件-CN201880079165.9在审
发明人：山本正美;北野一彦;太田宪宏;坂井滋树;沼田清 -专利权人：日本电产理德股份有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：MI元件1的制造方法包括：绝缘步骤，在非晶线2的外周形成绝缘体层3；无电解镀敷步骤，在绝缘体层3的外周面形成无电解镀敷层4；电解镀敷步骤，在无电解镀敷层4的外周面形成电解镀敷层5；抗蚀剂步骤，在电解镀敷层5的外周面形成抗蚀剂层R；曝光步骤，以激光对抗蚀剂层R进行曝光，而在抗蚀剂层R的外周面形成螺旋状的沟道部GR；以及蚀刻步骤，将抗蚀剂层R作为遮盖材而进行蚀刻，去除沟道部GR中的无电解镀敷层4及电解镀敷层5，从而由残存的无电解镀敷层4及电解镀敷层5形成线圈6。
mi 元件制造方法

[发明专利]半导体封装件的制造方法-CN201710446500.1在审
发明人：荒木诚太;北野一彦 -专利权人：株式会社吉帝伟士
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供高成品率的半导体封装件的制造方法。本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法包括如下步骤在基材上配置包括外部端子的至少一个半导体装置，且使所述外部端子不与所述基材对置；在设置有所述至少一个半导体装置的基材上形成用于包围所述半导体装置的周围的框体；以及在所述框体的内侧形成包含树脂绝缘材料、并用于密封所述半导体装置的树脂绝缘层。
半导体封装制造方法

[发明专利]半导体封装件及半导体封装件的制造方法-CN201710231755.6在审
发明人：丸谷尚一;甲斐稔;北野一彦 -专利权人：株式会社吉帝伟士
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：本发明提供降低了维护频度的半导体封装件的制造方法。半导体封装件的制造方法包括如下步骤在基材上配置多个半导体装置；形成覆盖多个半导体装置的树脂绝缘层；在树脂绝缘层形成包围所述多个半导体装置的各个的槽；以及在与槽相对应的区域中，通过向基材照射激光来分离所述多个半导体装置的各个。槽可以达到基材，也可以在形成槽时，以与形成槽的位置相对应的方式在基材上形成凹部。
半导体封装制造方法

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