[发明专利]用于形成半导体器件的方法以及半导体器件

说明书

本申请涉及用于形成半导体器件的方法以及半导体器件。公开了一种用于形成半导体器件的方法。该方法包括：在半导体衬底上方形成绝缘材料层；以及在形成绝缘材料层之后，对绝缘材料层的表面的至少一部分进行改性。此外，该方法包括在对绝缘材料层的表面的至少一部分进行改性之后，在绝缘材料层的表面的至少一部分上形成导电结构。本申请还公开了一种半导体器件。

技术领域

实施方案涉及关于接合半导体管芯的研究，并且特别地涉及用于形成半导体器件的方法以及半导体器件。

背景技术

例如，铝引线(wire)借助针对功率电子器件中的半导体芯片的Al楔形接合(Alwedge bonding)来用于接触。其中，该引线材料限定了产品的负载循环能力。例如，在温度循环负载的情况下，故障的原因是来自芯片金属化的接合线剥离(所谓的剥离)以及在从接合脚到接合回路的过渡处的接合线的断裂/开裂(所谓的柱脚开裂(heel crack))。

发明内容

可能需要提供一种关于半导体器件的改进的研究，这可以允许增加半导体器件的可靠性和/或负载循环能力和/或接合良品率(bond yield)。

可以通过权利要求的主题来满足这样的需要。

一些实施方案涉及用于形成半导体器件的方法。该方法包括：在半导体衬底上方形成绝缘材料层；以及在形成绝缘材料层之后，对绝缘材料层的表面的至少一部分进行改性。此外，该方法包括在对绝缘材料层的表面的至少一部分进行改性之后，在绝缘材料层的表面的至少一部分上形成导电结构。

一些实施方案涉及半导体器件，该半导体器件包括位于半导体衬底上方的绝缘材料层。绝缘材料层包括至少一个接触孔。此外，半导体器件包括绝缘材料层的经改性的部分，该经改性的部分从接触孔侧向地延伸到距离该接触孔大于300nm的侧向距离并且从绝缘材料层的表面垂直地延伸到大于10nm的深度。经改性的部分包含大于1*10¹⁵cm-³的稀有气体原子浓度。另外，半导体器件包括相邻于绝缘材料层的经改性的部分布置的导电结构以及接合在导电结构上的引线。

附图说明

以下将仅通过示例的方式并且参照附图来描述装置和/或方法的一些实施方案，其中：

图1示出了用于形成半导体器件的方法的流程图；

图2A至图2F示出了在不同的制造阶段处半导体器件的示意性截面；

图3示出了半导体器件在制造期间的示意性截面；

图4示出了半导体器件的示意性截面；以及

图5示出了另一半导体器件的示意性截面。

具体实施方式

现在将参照附图来更全面地描述各种示例性实施方案，其中示出了一些示例性实施方案。在附图中，为了清楚起见，线、层和/或区的厚度可能被放大。

因此，虽然示例性实施方案能够具有各种修改和替代形式，但是其实施方案通过附图中的示例的方式示出，并且将在本文中详细描述。然而，应当理解，无意于将示例性实施方案限制为所公开的特定形式，而相反，示例性实施方案将覆盖落入本公开内容的范围内的所有修改、等同和替代方案。在附图的描述中，相同的附图标记指代相似或类似的元件。

应当理解，当元件被称为“连接”或“耦接”至另一元件时，其可以直接地连接或耦接至另一元件，或者可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接地连接”或“直接地耦接”至另一元件时，不存在中间元件。用于描述元件之间的关系的其他术语应当以类似的方式解释(例如，“在……之间”与“直接地在……之间”，“相邻”与“直接相邻”等)。