[发明专利]用于形成半导体器件的方法以及半导体器件

权利要求书

1.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体衬底上方形成绝缘材料层，其中所述绝缘材料层是基于硅氧化物的层、基于硅氮化物的层和基于铝氧化物的层中的至少一种；

在形成所述绝缘材料层之后，对所述绝缘材料层的表面的至少一部分进行改性；以及

在对所述绝缘材料层的所述表面的至少所述一部分进行改性之后，在所述绝缘材料层的所述表面的至少经改性的部分上形成导电结构，

其中所述绝缘材料层包括接触孔，所述导电结构通过所述接触孔垂直电连接至形成在所述半导体衬底中至少一个电元件，

其中对所述绝缘材料层的所述表面的至少所述一部分进行改性包括用离子对所述绝缘材料层的所述表面的至少所述一部分进行照射。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述离子是稀有气体离子、掺杂剂离子、氧离子或硅离子。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中通过包括大于1keV且小于200keV的能量的离子对所述绝缘材料层的所述表面的至少所述一部分进行照射。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中用大于1*10¹²cm^-2的离子剂量照射所述绝缘材料层的所述表面的至少所述一部分。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中对所述绝缘材料层的所述表面的至少所述一部分进行改性包括在所述绝缘材料层中形成多个沟槽。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述多个沟槽中的沟槽包括大于30nm且小于5μm的宽度。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述多个沟槽中的沟槽包括大于5nm且小于2μm的深度。

8.根据权利要求1或2所述的方法，还包括将引线接合在所述导电结构上。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其中形成所述导电结构包括直接在所述绝缘材料层的所述表面的至少经改性的部分上形成金属层或阻挡层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述阻挡层包括钛、钨、钛钨、钽、氮化钽、氮化钛、氮化钛钨、铬、硅化钛、硅化钽和硅化镍中的至少一种。

11.根据权利要求9所述的方法，其中形成所述导电结构包括在所述阻挡层上形成金属层。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述金属层包括铝、铜、硅化铝、铝硅铜、镍、镍磷、镍钼磷、钯、金和银中的至少一种。

13.根据权利要求9所述的方法，其中所述金属层包括大于400nm且小于80μm的厚度。

14.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述基于硅氧化物的层是二氧化硅SiO₂，或掺杂有磷、硼和/或砷的硅氧化物；基于硅氮化物的层是氮化硅Si₃N₄；以及基于铝氧化物的层是氧化铝Al₂O₃。

15.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述绝缘材料层包括大于100nm的厚度。

16.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述绝缘材料层的所述表面的至少经改性的部分从所述接触孔侧向地延伸到距所述接触孔大于300nm的距离。