[发明专利]基板处理装置以及半导体器件的制造方法有效

申请号：	201710116659.7	申请日：	2017-03-01
公开（公告）号：	CN107871653B	公开（公告）日：	2020-06-16
发明（设计）人：	吉野晃生;保井毅	申请（专利权）人：	株式会社国际电气
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/67
代理公司：	北京市金杜律师事务所 11256	代理人：	陈伟;闫剑平
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	处理装置以及半导体器件制造方法
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【说明书】：

本发明提供基板处理装置及半导体器件的制造方法，其目的为提高每个基板的处理均匀性。基板处理装置具有：处理基板的多个处理室；分别设于多个处理室且将基板加热至规定温度的加热部；与多个处理室连接的真空搬运室；设于真空搬运室且能够搬运多个基板的搬运机械臂；与真空搬运室连接的预真空锁室；设于预真空锁室内且支承在处理室处理后的基板的支承部；向预真空锁室供给非活性气体的非活性气体供给部；记录有冷却配方的存储装置；及控制部，在处理室中将基板加热处理至规定温度后使基板从处理室向预真空锁室搬运，并控制非活性气体供给部和存储装置，以从存储装置读出与基板温度对应的冷却配方并基于冷却配方向基板供给非活性气体来冷却基板。

技术领域

本发明涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质。

背景技术

作为半导体器件的制造工序的一道工序，存在利用多个装置进行在基板上形成含有硅(Si)等规定元素的氧化膜的处理的工序(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本特许第5947435号公报

要求提高每个基板的处理均匀性。

发明内容

因此，本发明提供一种能够提高每个基板的处理均匀性的技术。

根据一个方式，提供如下技术，基板处理装置具有：多个处理室，其对基板进行处理；加热部，其分别设置于多个处理室，将基板加热至规定温度；真空搬运室，其与多个处理室连接；搬运机械臂，其设置于真空搬运室，能够对多个基板进行搬运；预真空锁室，其与真空搬运室连接；支承部，其设置于预真空锁室内，对在处理室处理后的基板进行支承；非活性气体供给部，其向预真空锁室供给非活性气体；存储装置，其记录有冷却配方；以及控制部，在处理室中将基板加热处理至规定温度之后，使基板从处理室向预真空锁室搬运，以使得从存储装置读出与基板的温度对应的冷却配方并基于冷却配方向基板供给非活性气体而对基板进行冷却的方式对非活性气体供给部和存储装置进行控制。

发明效果

根据本发明的技术，能够提高每个基板的处理均匀性。

附图说明

图1是一个实施方式的基板处理系统的横截面的概要图。

图2是一个实施方式的基板处理系统的纵截面的概要图。

图3是一个实施方式的L/L室的剖视图的概要图。

图4是一个实施方式的工艺模块的气体供给系统和气体排放系统的概要图。

图5是一个实施方式的基板处理装置的概要结构图。

图6是一个实施方式的控制器的概要结构图。

图7是一个实施方式的L/L时序(sequence)的判断工序例。

图8是一个实施方式的基板的交替(swap)搬运例。

图9是一个实施方式的不进行基板的交替搬运的例子。