[发明专利]具有硅锗鳍片的半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体结构的方法，该方法包括：

在衬底上方形成硅锗超晶格；

在该硅锗超晶格内形成一组鳍片；

在该组鳍片中的各鳍片之间形成介电质；

在该组鳍片的第一部分及其之间的该介电质上方形成应变硅层；以及

在该组鳍片的第二部分及其之间的该介电质上方形成应变硅锗层。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述在该衬底上形成该硅锗超晶格包括：

形成交替的锗层与硅层。

3.如权利要求1所述的方法，其中，该硅锗超晶格包括约10纳米(nm)至约1000纳米的厚度。

4.如权利要求1所述的方法，其中，该硅锗超晶格的组成包括约25％的锗。

5.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述形成该硅锗超晶格以后以及在所述形成该组鳍片之前执行退火。

6.如权利要求5所述的方法，还包括：

在所述形成该应变硅锗层之前移除该应变硅层的一部分。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述形成该应变硅层包括在n型场效应晶体管(nFET)区域上方形成该应变硅层，以及所述形成该应变硅锗层包括在p型场效应晶体管(pFET)区域上方形成该应变硅锗层。

8.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述在该组鳍片中的各鳍片之间形成该介电质以后以及在所述形成该应变硅层之前执行退火。

9.如权利要求8所述的方法，还包括：

在所述执行该退火以后以及在所述形成该应变硅层之前移除该组鳍片中各鳍片的一部分。

10.如权利要求1所述的方法，其中，所述形成该硅锗超晶格包括形成松弛硅锗超晶格。

11.一种制造半导体结构的方法，该方法包括：

在衬底上形成第一应变硅锗层；

在该第一应变硅锗层中注入第一种类；

在该第一应变硅锗层中形成一组鳍片；

在该组鳍片中的各鳍片之间形成介电质；

退火该组鳍片；

移除各鳍片的一部分；

在该组鳍片的第一部分及其之间的该介电质上方形成应变硅层；以及

在该组鳍片的第二部分及其之间的该介电质上方形成第二应变硅锗层。

12.如权利要求11所述的方法，还包括：

在所述注入该第一种类之前在该第一应变硅锗层与该衬底之间形成硅锗碳层，

其中，所述注入该第一种类包括注入该种类至该硅锗碳层与该衬底的界面的深度。

13.如权利要求11所述的方法，还包括：

在所述注入该第一种类之前在该第一应变硅锗层内形成硅锗碳层，

其中，所述注入该第一种类包括注入该第一种类至该硅锗碳层与该衬底的界面的深度。

14.如权利要求11所述的方法，其中，所述形成该应变硅层包括在n型场效应晶体管(nFET)区域上方形成该应变硅层，以及所述形成该第二应变硅锗层包括在p型场效应晶体管(pFET)区域上方形成该应变硅锗层。

15.如权利要求11所述的方法，其中，所述注入该第一种类包括注入氢与氦的至少其中一种。

16.一种半导体结构，包括：

位于衬底上的一组鳍片，该组鳍片包括硅锗层；以及

位于该组鳍片中的各鳍片之间的介电质；

其中，n型场效应晶体管(nFET)区域中的各鳍片还包括位于该nFET区域中的各鳍片的该硅锗层上方的应变硅层；

其中，p型场效应晶体管(pFET)区域中的各鳍片还包括位于该pFET区域中的各鳍片的该硅锗层上方的应变硅锗层。

17.如权利要求16所述的半导体结构，其中，该硅锗包括约25％的锗。

18.如权利要求16所述的半导体结构，还包括：

硅锗碳层，位于该硅锗层与该衬底之间。

19.如权利要求16所述的半导体结构，还包括：

硅锗碳层，设于该硅锗层内。

20.如权利要求16所述的半导体结构，其中，该硅锗层包括约10纳米(nm)至约1000纳米的厚度。