[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，

第一栅极电极和第二栅极电极，在所述半导体衬底的第一主表面中沿着第一方向间隔开，

第一栅极绝缘膜，形成于所述第一栅极电极与所述半导体衬底之间，

第二栅极绝缘膜，形成于所述第二栅极电极与所述半导体衬底之间，

第一帽绝缘膜，形成于所述第一栅极电极之上，

第二帽绝缘膜，形成于所述第二栅极电极之上，

第三栅极电极，被布置成跨所述第一栅极电极而与所述第二栅极电极相对并且与所述第一栅极电极相邻，

第四栅极电极，被布置成跨所述第二栅极电极而与所述第一栅极电极相对并且与所述第二栅极电极相邻，

第三栅极绝缘膜，形成于所述第三栅极电极与所述半导体衬底之间和所述第一栅极电极与所述第三栅极电极之间，并且具有在其内部中的第一电荷积累部分，以及

第四栅极绝缘膜，形成于所述第四栅极电极与所述半导体衬底之间和所述第二栅极电极与所述第四栅极电极之间，并且具有在其内部中的第二电荷积累部分，

其中所述第一栅极电极、所述第一栅极绝缘膜、所述第一帽绝缘膜、所述第三栅极电极和所述第三栅极绝缘膜形成第一存储器单元，

其中所述第二栅极电极、所述第二栅极绝缘膜、所述第二帽绝缘膜、所述第四栅极电极和所述第四栅极绝缘膜形成第二存储器单元，

其中在所述第一主表面中，在所述第二栅极电极侧上在所述第一帽绝缘膜的顶表面处的末端处于比所述第一栅极电极的在所述第二栅极电极侧上的侧表面更接近所述第三栅极电极侧，

其中在所述第一主表面中，在所述第三栅极电极侧上在所述第一帽绝缘膜的顶表面处的末端处于比所述第一栅极电极的在所述第三栅极电极侧上的侧表面更接近所述第二栅极电极侧，

其中所述第三栅极电极经由所述第三栅极绝缘膜形成于所述第一帽绝缘膜的在所述第三栅极电极侧上的侧表面处和所述第一栅极电极的在所述第三栅极电极侧上的侧表面处，

其中所述第三栅极电极由第一硅膜形成，

其中第一金属硅化物层形成于所述第三栅极电极的顶表面处，并且

其中所述第一金属硅化物层的一部分在与所述半导体衬底的表面垂直的方向上与设置在所述第一栅极电极与所述第三栅极电极之间的所述第三栅极绝缘膜重叠。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中在所述第一主表面中，在所述第一栅极电极侧上在所述第二帽绝缘膜的顶表面处的末端处于比所述第二栅极电极的在所述第一栅极电极侧上的侧表面更接近所述第四栅极电极侧。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中所述第一帽绝缘膜的在所述第二栅极电极侧上的侧表面从所述第一栅极电极的在所述第二栅极电极侧上的侧表面向后设置，并且

其中所述第二帽绝缘膜的在所述第一栅极电极侧上的侧表面从所述第二栅极电极的在所述第一栅极电极侧上的侧表面向后设置。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中所述第一帽绝缘膜的在所述第三栅极电极侧上的侧表面从所述第一栅极电极的在所述第三栅极电极侧上的侧表面向后设置，

其中所述第二帽绝缘膜的在所述第四栅极电极侧上的侧表面从所述第二栅极电极的在所述第四栅极电极侧上的侧表面向后设置，并且

其中所述第四栅极电极经由所述第四栅极绝缘膜形成于所述第二帽绝缘膜的在所述第四栅极电极侧上的侧表面处和所述第二栅极电极的在所述第四栅极电极侧上的侧表面处。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中所述第四栅极电极由第二硅膜形成，

其中第二金属硅化物层形成于所述第四栅极电极的顶表面处，并且

其中所述第二金属硅化物层的一部分在与所述半导体衬底的表面垂直的方向上与设置在所述第二栅极电极与所述第四栅极电极之间的所述第四栅极绝缘膜重叠。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中在所述第一栅极电极的顶表面与所述第一栅极电极的在所述第二栅极电极侧上的侧表面之间的拐角部分已经被斜切，并且

其中在所述第二栅极电极的顶表面与所述第二栅极电极的在所述第一栅极电极侧上的侧表面之间的拐角部分已经被斜切。