[发明专利]半导体芯片的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体芯片制造技术领域，尤其涉及一种半导体芯片的制作方法。

背景技术

随着科技的发展，终端的输入键盘已逐渐从实体键盘向虚拟键盘发展，现有的虚拟键盘包括虚拟触摸键盘、虚拟激光键盘等。虚拟激光键盘内部的激光发射器件和/或接收器件都需要一个具有多级台阶图案的半导体芯片。当激光照射在该半导体芯片表面的不同台阶时，产生不同的信号。

现有技术中，在衬底表面的连续多级台阶图形的制作中每个台阶图案都是通过涂抹光刻胶、曝光、刻蚀来实现。图1为现有技术中采用光刻胶掩膜刻蚀工艺制作第一台阶的示意图。图2为现有技术中采用光刻胶掩膜刻蚀工艺制作第二台阶的示意图。如图2所示，现有技术在制作第二台阶图案时，由于光刻胶的流动性一般需涂抹较厚的光刻胶，以保证光刻胶可以完全覆盖不需要刻蚀的区域，但是过厚的光刻胶给曝光带来了困难，且曝光不均匀，以致最终刻蚀图案的精确度难以保证。因此目前，勉强制作一些台阶数较小，台阶高度较低的图形。

现有技术制作连续多级图案需要多次的光刻涂胶和曝光，由于光刻涂胶、曝光工艺能力受限使得制作的连续多级图案的精确度低。

发明内容

本发明提供一种半导体芯片的制作方法，以解决现有技术在衬底表面制作连续多级台阶图案细微尺寸和精确度难以保证的问题。

第一方面，本发明提供一种半导体芯片的制作方法，包括：

在衬底表面生长氧化保护层；

采用光刻胶掩膜刻蚀工艺，在所述氧化保护层和衬底中刻蚀形成第一台阶的图案；

在上述衬底表面生长侧墙保护层；

对所述侧墙保护层进行刻蚀，在所述第一台阶的侧壁保留侧墙保护层，以形成侧墙；

在所述氧化保护层和侧墙的掩膜下，对所述衬底进行刻蚀，形成第二台阶的图案；

去除所述氧化保护层和侧墙。

本发明提供的半导体芯片的制作方法，巧妙的利用氧化保护层和侧墙的保护，直接进行刻蚀，形成第二台阶图案，而无需再次涂抹过厚光刻胶，避免了由于光刻涂胶、曝光工艺对形成的台阶图案的影响，更好地保证连续多级图案的细微尺寸，提高多级图案的精确度。

附图说明

图1为现有技术中采用光刻胶掩膜刻蚀工艺制作第一台阶的示意图；

图2为现有技术中采用光刻胶掩膜刻蚀工艺制作第二台阶的示意图；

图3为本发明实施例一所提供的半导体芯片的制作方法的流程图；

图4为本发明实施例三所提供的半导体制作方法的流程图；

图5为本发明实施例三中步骤402形成的第一组台阶的示意图；

图6为本发明实施例三中步骤403生长的氮化硅层的示意图；

图7为本发明实施例三中步骤404刻蚀形成的第一侧墙的示意图；

图8为本发明实施例三中步骤405刻蚀形成的第二组台阶的示意图；

图9为本发明实施例三中步骤406刻蚀形成的氮化硅层的示意图；

图10为本发明实施例三中步骤407刻蚀形成的第二侧墙的示意图；

图11为本发明实施例三中步骤408刻蚀形成的第三组台阶的示意图；

图12为本发明实施例三中步骤409刻蚀形成的第三侧墙的示意图；

图13为本发明实施例三中步骤410刻蚀形成的第四组台阶的示意图；

图14为本发明实施例三中形成的具有4组连续台阶的图案的半导体芯片的示意图。

附图标记说明：

101、201、1302：光刻胶；

102、202：衬底；

501：二氧化硅层；

502、801、1101、1301：硅衬底；

601、901：氮化硅层；

701：第一侧墙；

1001、第二侧墙；

1201：第三侧墙。

具体实施方式

本发明实施例一提供一种半导体芯片的制作方法。图3为本发明实施例一所提供的半导体芯片的制作方法的流程图。如图3所示，该方法，包括：

步骤301、在衬底表面生长氧化保护层。

具体地，在衬底表面生长氧化保护层可以通过热氧化方式或射频溅射方式等获得。热氧化方式例如可以是将衬底置入充满氧气的加热炉中，形成氧化保护层。热氧化方式通常包括干氧法和湿氧法，所谓干氧法指的是以氧气作为氧化剂氧化衬底，以形成氧化保护层，所谓湿氧法指的是以氧气和水作为氧化剂氧化衬底，以形成氧化保护层。通常可以通过控制加热炉的温度、加热炉中的含氧量和/或加热的时间来控制该氧化保护层的厚度。