[发明专利]半导体芯片的制作方法有效
| 申请号： | 201310306051.2 | 申请日： | 2013-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN104299888B | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 马万里;陈兆同 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100000 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 制作方法 | ||
1.一种半导体芯片的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底表面生长氧化保护层；
采用光刻胶掩膜刻蚀工艺，在所述氧化保护层和衬底中刻蚀形成第一台阶的图案；
在上述衬底表面生长侧墙保护层；
对所述侧墙保护层进行刻蚀，在所述第一台阶的侧壁保留侧墙保护层，以形成侧墙；
在所述氧化保护层和侧墙的掩膜下，对所述衬底进行刻蚀，形成第二台阶的图案；
去除所述氧化保护层和侧墙；
在所述去除所述氧化保护层和侧墙之前，还包括：
重复执行所述生长侧墙保护层、刻蚀侧墙和刻蚀第二台阶图案的步骤，以形成两个以上第二台阶；
在所述去除所述氧化保护层和侧墙之前，还包括：
在所述衬底上采用光刻胶掩膜刻蚀工艺，刻蚀形成至少两个第三台阶，所述至少两个第三台阶的宽度不等。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于:
所述衬底为硅衬底，所述氧化保护层的材料为二氧化硅，所述侧墙保护层的材料为氮化硅。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在上述衬底表面生长侧墙保护层包括：
在上述衬底表面生长厚度等于第二台阶宽度的侧墙保护层。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述侧墙保护层进行刻蚀，在所述第一台阶的侧壁保留侧墙保护层，以形成侧墙包括：
对氮化硅材料的侧墙保护层，采用三氟甲烷进行干法刻蚀，在所述第一台阶的侧壁保留侧墙保护层，以形成侧墙。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述氧化保护层的厚度为0.1～1.0um。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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