[发明专利]用于在硅衬底上形成钽沉积膜的反应腔及其应用有效
| 申请号： | 201210494037.5 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103031526A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 韩晓刚;陈建维;张旭昇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/16;C23C14/06;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 衬底 形成 沉积 反应 及其 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于在硅衬底上形成钽沉积膜的反应腔，包括反应腔本体，其特征在于，所述反应腔本体的腔室内侧壁上设有一空腔，所述空腔内设有固定支架，所述固定支架具有伸缩部件，固定支架在所述伸缩部件带动下伸出空腔，所述固定支架可伸出空腔一端设有钽环。
2.根据权利要求1所述的反应腔，其特征在于，所述固定支架并联入机台控制系统。
3.一种使用上述反应腔进行沉积薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，将硅衬底置于反应腔中，将钽材料沉积到硅衬底的表面；
步骤2，置于空腔内的钽环随着固定支架伸直而伸出空腔，用氩气离子轰击硅衬底表面和钽环表面，使得硅片沟槽底部的钽材料反溅射到沟槽侧壁上；
步骤3，将钽环收到空腔内，再次在硅衬底表面沉积钽材料。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述钽材料包括氮化钽、金属钽。
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