[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一源极层；

至少一个第二源极层，所述第二源极层大体形成在所述第一源极层中；

多个导电层，所述多个导电层大体层叠在所述第一源极层之上；

沟道层，所述沟道层穿通所述多个导电层且与所述第二源极层耦接；以及

至少一个第三源极层，所述第三源极层大体形成在所述第二源极层中，其中，所述第三源极层穿通所述第二源极层且与所述第一源极层耦接。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电层中的至少一个最下层导电层被配置为下选择线，至少一个最上层导电层被配置为上选择线，其余的导电层被配置为字线。

3.如权利要求1所述的半导体器件，还包括存储器层，所述存储器层大体包围所述沟道层的外表面和所述第二源极层的外表面。

4.如权利要求1所述的半导体器件，还包括至少一个缝隙，所述至少一个缝隙位于彼此相邻的沟道层之间，其中，所述缝隙穿通所述导电层、所述第二源极层，且延伸到所述第一源极层。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第三源极层大体填充所述第一缝隙的下部且与所述第一源极层直接耦接。

6.如权利要求1所述的半导体器件，还包括第二缝隙，所述第二缝隙位于彼此相邻的多个第二源极层之间，其中，所述第二缝隙中的每个具有延伸穿过所述多个导电层的深度。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二源极层大体包围所述第三源极层，并且所述第二源极层包括至少一个第一开口和至少一个第二开口，所述至少一个第一开口在所述第二源极层的下表面中大体呈岛的形式，所述第二开口在所述第二源极层的上表面中大体呈线的形式。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第三源极层包括：

平板层，所述平板层大体形成在所述至少一个第二源极层中；以及

突出层，所述突出层大体从所述平板层的下表面突出且穿过所述第一开口与所述第一源极层耦接，其中，所述突出层大体呈岛的形式。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二源极层大体包围所述第三源极层，并且所述第二源极层包括至少一个第一开口和至少一个第二开口，所述至少一个第一开口在所述第二源极层的下表面中大体呈线的形式，所述至少一个第二开口大体在所述第二源极层的上表面中呈线的形式。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第三源极层包括：

平板层，所述平板层大体形成在所述第二源极层中；以及

至少一个突出层，所述至少一个突出层从所述平板层的下表面突出且穿过所述第一开口与所述第一源极层耦接，其中，所述突出层大体呈线的形式。

11.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一接触插塞，所述第一接触插塞与所述多个导电层耦接；以及

至少一个第二接触插塞，所述至少一个第二接触插塞与所述第三源极层耦接。

12.一种半导体器件，包括：

绝缘层；

至少一个第一源极层，所述至少一个第一源极层大体形成在所述绝缘层中；

多个导电层，所述多个导电层大体层叠在所述绝缘层之上；

沟道层，所述沟道层穿通所述多个导电层且与所述第一源极层耦接；以及

第二源极层，所述第二源极层大体形成在所述第一源极层中。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其中，所述导电层中的至少一个最下层导电层被配置为下选择线，至少一个最上层导电层被配置为上选择线，其余的导电层被配置为字线。

14.如权利要求12所述的半导体器件，还包括存储器层，所述存储器层大体包围所述沟道层的外表面和所述第一源极层的外表面。

15.如权利要求12所述的半导体器件，还包括至少一个第一缝隙，所述至少一个第一缝隙位于彼此相邻的沟道层之间，其中，所述第一缝隙穿通所述导电层且延伸到所述第一源极层。

16.如权利要求12所述的半导体器件，还包括至少一个第一缝隙，所述至少一个第一缝隙位于彼此相邻的沟道层之间，其中，所述第一缝隙穿通所述导电层、所述第一源极层，且延伸穿过所述绝缘层，所述第二源极层大体填充所述第一缝隙的下部。