[发明专利]半导体封装、封装堆叠结构及其上封装

权利要求书

1.一种封装堆叠结构，包括：

上封装，包括具有第一边缘和与所述第一边缘相反的第二边缘的上封装基板，所述上封装基板具有靠近所述第一边缘布置的第一区和靠近所述第二边缘布置的第二区，所述上封装包括叠置在所述上封装基板上面的第一上半导体器件；以及

下封装，具有下封装基板和下半导体器件，所述下封装通过多个封装间连接器连接到所述上封装，所述封装间连接器包括：

第一封装间连接器，配置为传输数据信号；

第二封装间连接器，配置为传输地址/控制信号；

第三封装间连接器，配置为提供用于地址/控制电路的电源电压；以及

第四封装间连接器，配置为提供用于数据电路的电源电压，

其中所述第一封装间连接器和所述第二封装间连接器的大部分设置在所述第一区中，并且

其中所述第三封装间连接器的大部分设置在所述第二区中。

2.如权利要求1所述的封装堆叠结构，其中所述第四封装间连接器的大部分设置在所述第一区中。

3.如权利要求1所述的封装堆叠结构，其中所述第一上半导体器件包括：

第一接合焊盘，配置为传输所述数据信号，并且电连接到所述第一封装间连接器；

第二接合焊盘，配置为传输所述地址/控制信号，并且电连接到所述第二封装间连接器；

第三接合焊盘，配置为提供用于所述地址/控制电路的所述电源电压；以及

第四接合焊盘，配置为提供用于所述数据电路的所述电源电压。

4.如权利要求3所述的封装堆叠结构，其中所述第一接合焊盘的大部分设置为靠近所述第一边缘，并且所述第二接合焊盘的大部分设置为靠近所述第二边缘。

5.如权利要求3所述的封装堆叠结构，其中所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘的大部分设置为靠近所述第一边缘。

6.如权利要求5所述的封装堆叠结构，其中所述第三接合焊盘的大部分定位为靠近所述第二边缘，并且

其中所述第四接合焊盘的大部分定位为靠近所述第一边缘。

7.如权利要求3所述的封装堆叠结构，其中所述上封装还包括邻近所述第一上半导体器件的第二上半导体器件，

其中所述第二上半导体器件包括：

第一接合焊盘，配置为传输所述数据信号，并且电连接到所述第一封装间连接器；

第二接合焊盘，配置为传输所述地址/控制信号，并且电连接到所述第二封装间连接器；

第三接合焊盘，配置为提供用于所述地址/控制电路的所述电源电压；以及

第四接合焊盘，配置为提供用于所述数据电路的所述电源电压。

8.如权利要求7所述的封装堆叠结构，其中所述第一上半导体器件和所述第二上半导体器件的所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘的大部分设置为靠近所述第一区，并且所述第一上半导体器件和所述第二上半导体器件的所述第三接合焊盘的大部分设置为靠近所述第二区。

9.如权利要求8所述的封装堆叠结构，

其中所述下半导体器件包括靠近所述上封装基板的所述第一区设置的存储器控制电路，

其中在所述第一上半导体器件和所述第二上半导体器件的所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘与所述存储器控制电路之间形成单个信号通道，以对所述第一上半导体器件和所述第二上半导体器件一起进行控制。

10.如权利要求7所述的封装堆叠结构，其中所述上封装基板具有设置在所述第一边缘和所述第二边缘之间的第三边缘以及与所述第三边缘相反的第四边缘，

其中所述第二上半导体器件的所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘的大部分设置为靠近所述第三边缘，并且其中所述第二上半导体器件的所述第三接合焊盘的大部分设置为靠近与所述第三边缘相反的所述第四边缘。