[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

工序a，准备布线基板，其中，所述布线基板具有形成有多条焊接引线的上表面，在俯视观察时，所述上表面包括第一部分及第二部分，所述第一部分由第一宽度构成，所述第二部分与所述第一部分一体形成且在俯视观察时由比所述第一宽度小的第二宽度构成；

工序b，以半导体芯片的表面面向所述布线基板的所述上表面的方式将该半导体芯片配置到所述布线基板上，且将所述多条焊接引线和多个焊盘进行电连接的工序，其中，所述半导体芯片具有所述表面、形成于所述表面的所述多个焊盘、与所述多个焊盘接合的多个突起电极以及装载在所述多个突起电极的顶端面的多处第一焊锡；

其中，所述工序a中所准备的布线基板的所述多条焊接引线上预先形成有多处第二焊锡，所述工序b中，以所述多个突起电极分别与所述多条焊接引线的所述第二部分重合的方式将所述半导体芯片配置到所述布线基板上，而且，所述工序b中，通过对所述第二焊锡进行加热以熔化所述第二焊锡。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述工序a中，配置在所述多条焊接引线中的所述第二部分上的所述多处第二焊锡的厚度，比配置在所述多条焊接引线中的所述第一部分上的所述多处第二焊锡的厚度薄。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述工序a还包括以下工序，即：将焊锡涂布在所述多条焊接引线上后，对所述焊锡进行加热从而形成所述第二焊锡的工序。

4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在俯视观察时，所述突起电极的顶端面不与所述第一部分重合。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述多个突起电极通过将金属膜堆积在所述多个焊盘上而形成。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述多个突起电极以铜为主要成分。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述多处第一焊锡通过将锡膜堆积在所述多个突起电极的所述顶端面而形成。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述第二部分的所述第二宽度比所述多个突起电极的每一个的宽度小。

9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述第一部分的延伸方向的长度为所述第一宽度以上。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述第一部分的延伸方向的长度为50μm以上，且所述工序a还包括以下工序，即：在所述布线基板上形成布线后进行电性检查的工序，其中，在进行所述电性检查时，将所述第一部分用作测试用的焊垫。

11.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在俯视观察时，所述半导体芯片包括构成四边形的所述表面、位于所述表面相反侧的背面、以及位于所述表面和所述背面之间的侧面，

所述多个焊盘包括沿着所述侧面配置的多个第一列焊垫、以及配置于所述第一列焊垫和所述侧面之间的多个第二列焊垫，

所述多条焊接引线包括与所述多个第一列焊垫电连接的多条第一列焊接引线、以及与所述多个第二列焊垫电连接的多条第二列焊接引线。

12.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述工序b中，在俯视观察时，将所述多条第一列焊接引线的所述第一部分和所述多条第二列焊接引线的所述第一部分配置在以多列配置的所述多个突起电极之间，而且，所述第一部分的延伸方向的长度比所述第一宽度小。

13.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述工序b中，在俯视观察时，多列配置的所述多个突起电极配置在所述多条第一列焊接引线的所述第一部分和所述多条第二列焊接引线的所述第一部分之间。