[发明专利]半导体器件的制造方法以及衬底处理装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，

包括薄膜形成步骤和等离子处理步骤，且反复进行预定次数的上 述薄膜形成步骤和上述等离子处理步骤，直到形成所希望厚度的膜，

其中，上述薄膜形成步骤是通过依次进行以下步骤而在基板上形 成薄膜：

向收容有衬底的处理室内供给第1反应物质，并使上述第1反应 物质吸附于上述衬底的表面的步骤；

从上述处理室除去剩余的上述第1反应物质的步骤；

向上述处理室内供给第2反应物质，并使其与吸附于上述衬底的 表面的上述第1反应物质发生反应，来形成至少1个原子层的薄膜的 步骤；以及

从上述处理室除去剩余的上述第2反应物质的步骤，

上述等离子处理步骤是在上述薄膜形成步骤之后，向上述处理室 内供给被等离子激励后的氢气。