[发明专利]成膜载板及太阳能电池的生产方法有效
申请号: | 200810239693.4 | 申请日: | 2008-12-15 |
公开(公告)号: | CN101748378A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 李永军 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/24 | 分类号: | C23C16/24;C23C16/513;C23C16/455;H01L31/18;H01L21/00 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人: | 赵镇勇 |
地址: | 100016 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 成膜载板 太阳能电池 生产 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种成膜技术,尤其涉及一种成膜载板及太阳能电池的生产方法。
背景技术
在多晶硅太阳能制造设备中,PECVD(等离子增强化学气相淀积)设备用来实现多晶硅表 面减反射层氮化硅的沉积,等离子能量增加了反应粒子的活性,在400℃~500℃温度下使 工艺气体实现解离、反应、沉积等工艺。
如图1所示,现有技术中的PECVD设备的工艺腔室结构包括气体进入孔1、气体匀流板及 上电极2、等离子体发生源3、工艺腔室4、载板5、加热板及下电极6等。
工艺气体通过气体进入孔1、气体匀流板2进入工艺腔室4,保证工艺气体均匀分布在 载板5的上方,并形成等离子体,进行氮化硅薄膜沉积等成膜工艺。在PECVD成膜过程中, 影响膜质量的工艺参数主要有等离子体分布均匀性,温度均匀性以及气流均匀性等,对于 大尺寸设备来说,工艺参数的均匀性尤其重要。
如图2所示,现有技术中的载板5为实心平板状,载板5的上方设有多块基片7,工艺气 体在载板5的上方反应成所需薄膜沉积在基片7的上方。
上述现有技术至少存在以下缺点:
由于载板5为实心平板,工艺气体由气体匀流板2运动至载板5时,会流向载板5的四 周,使载板5四周的气体浓度大于载板5中心位置的气体浓度,无法在基片7的上方获得均匀 的工艺气体,影响了膜的均匀性。
发明内容
本发明的目的是提供一种能使工艺气体均匀的成膜载板及太阳能电池的生产方法。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
本发明的成膜载板,该成膜载板上开有多个通孔。
本发明的太阳能电池的生产方法,包括薄膜沉积工艺,将太阳能电池基片放在上述的 成膜载板上,进行所述薄膜沉积工艺。
由上述本发明提供的技术方案可以看出,本发明所述的成膜载板及太阳能电池的生产 方法,由于成膜载板上开有多个通孔,使工艺气体可以从成膜载板的四周及通孔中均匀通 过,提高气体在成膜载板上方的均匀性,从而提高成膜的均匀性。
附图说明
图1为现有技术中的PECVD设备的的结构示意图;
图2为现有技术中的载板的结构示意图;
图3为本发明的成膜载板的具体实施例一的结构示意图;
图4为本发明的成膜载板的具体实施例二的结构示意图;
图5为本发明的成膜载板的具体实施例三的结构示意图;
图6a为本发明中的通孔的结构示意图一;
图6b为本发明中的通孔的结构示意图二;
图6c为本发明中的通孔的结构示意图三。
具体实施方式
本发明的成膜载板,其较佳的具体实施方式是,该成膜载板上开有多个通孔,多个通 孔可以在成膜载板上纵向布置一排或多排,并横向布置一排或多排。纵、横布置的多排通 孔将成膜载板分割成多个区域,每个区域可以放置成膜的基片。在成膜工艺中,工艺气体 可以从成膜载板的四周及通孔中均匀通过,提高气体在成膜载板上方的均匀性,从而提高 成膜的均匀性。
具体实施例一,如图3所示,纵向布置的一排通孔9和横向布置的一排通孔9分别设于 成膜载板8的横向和纵向中心线处,将成膜载板8分割成4个区域,每个区域可以放置一块基 片7。
具体实施例二,如图4所示,上例中的每个区域可以放置4块基片7。根据需要每个区 域也可以放置2、3、6块等多块基片7。
具体实施例三,如图5所示,纵向布置的两排通孔9和横向布置的两排通孔9将成膜载 板8分割成9个区域,每个区域可以放置一块基片7。同样,根据需要,每个区域也可以放置 多块基片7.
多个通孔9的布置方式及基片7的布置方式不限于上述三个实施例中的布置方式,也可 以采用其它的布置方式。
如图6a、6b、6c所示,通孔9的形状根据需要可以为圆孔、方孔或喇叭形孔等,也可 以是其它形状的孔。
通孔9的横向最大尺寸可以小于或等于成膜载板的厚度的两倍。用于保证等离子体不 能通过通孔9。
本发明的太阳能电池的生产方法,其较佳的具体实施方式是,将太阳能电池基片放在 上述的成膜载板上,进行薄膜沉积工艺。
如在硅太阳能电池的制作工艺中,可以将成膜载板用于在多晶硅层上沉积氮化硅减反 射层,或其它的薄膜层等。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810239693.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 制作HIT硅电池的等离子气相沉积装置-201821892220.X
- 范继良 - 黄剑鸣
- 2018-11-16 - 2019-10-29 - C23C16/24
- 本实用新型公开一种制作HIT硅电池的等离子气相沉积装置,包括等离子气体、射频电源、真空泵、设有入口及出口的真空室及容纳于真空室内的气盒、电离栅格、导流槽及硅基体,气盒连通真空室的入口,等离子气体通过真空室的入口进入气盒,气盒朝向真空室内的端面设有若干通孔;电离栅格固定于气盒的下方;气盒与电离栅格均为导电体,射频电源射频电极连接气盒,其地电极连接电离栅格;硅基体设于电离栅格的下方,竖直立于导流槽上方;导流槽设于真空室出口处,连通真空泵与真空室内。通过本实用新型的装置制作的HIT硅电池完全走干工艺,不涉及化学液的处理,干净卫生,而且完全是全自动化生产,减少人力物力,减省工序。
- 多晶硅薄膜的制造方法、多晶硅薄膜以及声学传感器-201910487384.7
- 吴健兴;钟晓辉;吴伟昌;黎家健 - 瑞声科技(新加坡)有限公司
- 2019-06-05 - 2019-09-27 - C23C16/24
- 本发明提供一种多晶硅薄膜的制造方法、多晶硅薄膜以及声学传感器,其中,多晶硅薄膜的制造方法包括:提供基材,基材包括基片和与基片层叠设置的多晶硅基膜;在多晶硅基膜中非原位掺杂硼元素、磷元素和砷元素中的一种制得多晶硅薄膜半成品;对多晶硅薄膜半成品进行热激活后退火制得多晶硅薄膜。本发明提供的多晶硅薄膜的制造方法通过在多晶硅基膜中非原位掺杂硼元素、磷元素和砷元素中的一种,并对多晶硅薄膜半成品进行热激活,制得的多晶硅薄膜的晶粒的生长和均匀性好,可以有效降低多晶硅薄膜表面的粗糙度,同时由该方法制得的多晶硅薄膜具有较优的机械强度,适用于机械强度要求较高的场合,且吹气实验的成活率较高。
- 制造硅异质结太阳能电池的方法与设备-201710537333.1
- S·盛;L·张;Z·袁;R·王;A·佐 - 应用材料公司
- 2012-10-19 - 2019-09-27 - C23C16/24
- 本申请公开了制造硅异质结太阳能电池的方法与设备。一种在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备内制造半导体层的方法。该PECVD设备包括界定处理区域的数个壁;基板支座;遮蔽框架;气体分配喷洒头;气源,该气源与该气体分配喷洒头及该处理区域流体连接;射频电源,该射频电源耦接至该气体分配喷洒头;以及一或多个VHF接地片,该一或多个VHF接地片电耦接至数个壁中的至少一个。VHF接地片于该数个壁中的至少一个以及遮蔽框架或基板支座的至少一个之间提供低阻抗电流路径。该方法进一步包括输送半导体前体气体与掺杂剂前体气体以及输送非常高频(VHF)功率,以产生等离子体,而于该一或多个基板上形成第一层。
- 一种多晶硅薄膜的沉积方法-201710772326.X
- 郭帅;吴俊;王家友 - 长江存储科技有限责任公司
- 2017-08-31 - 2019-09-13 - C23C16/24
- 本发明提供一种多晶硅薄膜的沉积方法,采用垂直管式炉以硅烷为反应气体进行多晶硅薄膜的沉积,在沉积时,最底部的喷嘴和最顶部喷嘴的气体流量基本相同且流量大于中部喷嘴的气体流量,中部喷嘴的气体流量自下至上依次增大。由于反应气体自下而上流动且在流动中被逐步消耗,中部喷嘴的气体流量依次增大,对流动过程中消耗的气体进行了补偿,使得晶片之间的均匀性提高,此外,增大最顶端的气体流量,降低反应产生的氢气带来的分压,进一步提升顶部晶片内多晶硅薄膜的均匀性,从而,使得晶片之间以及晶片内的多晶硅薄膜的均匀性得到全面的提高。
- 一种制备碳碳复合产品的装置-201822025473.3
- 李海成;周国平 - 保山隆基硅材料有限公司
- 2018-12-04 - 2019-06-25 - C23C16/24
- 本实用新型涉及一种制备碳碳复合产品的装置,包括下封气盘、限气筒、引气管、上封气盘,所述下封气盘位于限气筒的底部,上封气盘位于限气筒的顶部,所述上封气盘的中心设有承孔,所述引气管位于限气筒内部,所述引气管顶部与上封气盘的承孔间隙配合,所述引气管上还设置若干气孔。还包括若干碳纤维织物,所述若干碳纤维织物堆叠于限气筒内部,与所述下封气盘、限气筒、引气管、上封气盘同轴。本实用新型采用的设计使进入限气筒的气体形成狭缝流,提高沉积效率,缩短了沉积周期,降低了生产成本,提高了装炉量,提高了单炉产量、提高了成品率。
- 在热分解反应器中利用反射能管理温度分布的设备和方法-201580070261.3
- 蒂莫西·特劳特曼;布赖恩·J·洛什恩;乔·鲁斯凯蒂 - 瑞科硅公司
- 2015-12-22 - 2019-06-18 - C23C16/24
- 本发明公开了用于热分解反应器中的反射表面和包含反射表面的反射器的实施方式。还公开了利用所述反射表面、或包含所述反射表面的反射器来管理在所述热分解反应器中生长的硅棒中的温度分布的方法。所述反射表面被构造成接收从化学气相沉积期间在硅丝上生长的伸长多晶硅体的能量发射区发射的辐射热能并将至少一部分所接收的辐射热能反射到所述伸长多晶硅体的反射能接收区或第二伸长多晶硅体的反射能接收区,从而向所述反射能接收区增加辐射热能。
- 一种用于晶体硅异质结太阳电池制作的HWCVD设备-201821326540.9
- 黄海宾;周浪 - 黄海宾
- 2018-08-17 - 2019-05-31 - C23C16/24
- 一种用于晶体硅异质结太阳电池制作的HWCVD设备,包括本征非晶硅薄膜沉积的HWCVD腔体I、掺杂非晶硅薄膜沉积的HWCVD腔体I、过渡加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积的HWCVD腔体II、掺杂非晶硅薄膜沉积的HWCVD腔体II等腔体;所用的载板在装载硅片的位置采用镂空设计。本实用新型可使晶体硅异质结太阳电池两面非晶硅全过程不暴露空气,减少了硅片薄膜的氧化和污染,提高了产品的性能;省却了现有技术两套装备的方案中的部分真空腔体,以及设备之间的传递装置和下上料装置,大大减少设备的复杂性,缩短了工序和工时;可实现硅片的两面镀膜,避免PECVD镀膜过程中的绕镀问题,提高生产效率。
- 一种封闭式镀膜系统-201821420783.9
- 朱广东;上官泉元;喻大伟;赵慧超;庄正军;侯岳明 - 常州比太科技有限公司
- 2018-08-30 - 2019-05-31 - C23C16/24
- 本实用新型公开了一种封闭式镀膜系统,包括依次线性循环设置的上料端、缓存台、加热腔、正表面镀膜腔一、加热腔、缓冲腔、正表面镀膜腔二、缓冲腔、卸载腔、缓存台、载板移载机构、硅片翻转机构、缓存台、加热腔、缓冲腔、背表面镀膜腔一、缓冲腔、加热腔、缓冲腔、背表面镀膜腔二、缓冲腔、卸载腔、缓存台及下料端。本实用新型具有产能高、成本投入低、硅片无卡点印痕、外界环境对硅片表面的污染少及系统通用性高等优点。
- 基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法及装置-201610840597.X
- 刘文柱;陈仁芳;吴卓鹏;张丽平;孟凡英;刘正新 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 2016-09-21 - 2019-04-05 - C23C16/24
- 本发明提供一种基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法及装置,生长方法包括以下步骤:1)提供沉积衬底及磁场生成单元,将所述沉积衬底置于所述磁场生成单元生成的磁场内,且保证所述磁场生成单元生成的磁场与所述沉积衬底的表面相平行;2)将所述沉积衬底及所述磁场生成单元置于反应室内,采用化学气相沉积法在所述沉积衬底表面形成非晶硅。在非晶硅生长过程中,通过引入与沉积衬底表面相平行的磁场,磁场可以偏转反应气体中的高速带电粒子,降低所述高速带电粒子对非晶硅生长表面的刻蚀,实现了非晶硅生长速率的大幅提升;同时,非晶硅的微观结构、带隙和折射率与不加磁场干扰时一致。
- 一种纳米金刚石表面硅烷真空热解沉积设备-201610900669.5
- 邓福铭;邓雯丽 - 中国矿业大学(北京)
- 2016-10-17 - 2019-03-29 - C23C16/24
- 一种纳米金刚石表面硅烷真空热解沉积设备,包括:机械泵(1)、扩散泵(2)、四通阀(3)、真空管式炉(4)、石英管(5)、载物台(7)、硅烷进气口(8)、氩气进气口(9)、流量计(10)、复合真空计(11)、放气阀(12)。高真空状态下的纳米金刚石表面杂质官能团热解吸附,室温下硅烷气体充分渗入纳米金刚石粉体间,与纳米金刚石表面悬键形成单分子或多分子饱和吸附层,弥散于纳米金刚石表面。随后吸附物惰性气体原位热解,纳米金刚石表面形成原子级硅镀层。本发明实现了纳米金刚石的净化保存问题,可解决购买ALD镀覆设备价格昂贵,镀覆技术难度大、成本高、效率低,以及纳米金刚石大批量Si原子镀覆产业化的问题。
- 手术缝合针表面的等离子体前处理方法及处理装置-201710489223.2
- 田修波;李大同;陆广恒;陆立冬;莫晗;张利闯 - 淮阴医疗器械有限公司
- 2017-06-24 - 2019-03-29 - C23C16/24
- 本发明公开了一种手术缝合针表面的等离子体前处理方法及处理装置,该方法包括如下步骤:a.将未处理的手术缝合针放在小转盘(5)上;b.对腔室抽真空;c.当腔室的真空度达到10‑3Pa以上时,通过进气系统(3)向腔室通入氩气和氧气,打开放电电源及偏压电源,腔室中的混合气体开始放电;d.停止通入氧气,并增加氩气的通气量以保持腔室中的气压与步骤c中的气压相同;e.向腔室通入氢气;f.充入含硅有机物;g.停止通入气体及含硅有机物,当处理后的手术缝合针冷却后,将其取出。该方法可有效去除手术针表面的有机污染物,同时对表面进行微结构构造,并通过含硅有机物来改变表面的化学结构和能量状态,以提高后续浸油效果。
- 低压化学气相沉积设备-201821487966.2
- 陈腾飞;孟宪宇;吴宗祐;林宗贤 - 德淮半导体有限公司
- 2018-09-11 - 2019-03-29 - C23C16/24
- 本实用新型涉及半导体加工设备技术领域,公开了一种低压化学气相沉积设备,用于沉积多晶硅,包括底座、外管以及内管,外管设置在底座上,内管设置于外管的内部且用于提供沉积空间,在外管的内壁上形成有缓冲层。通过在外管的内壁上形成有缓冲层,使得沉积过程中形成的多晶硅不是直接形成在内壁上,而是形成在缓冲层上。在低压高温的LPCVD工艺中,形成在缓冲层上的多晶硅层因热膨胀所带来的应力集中作用到缓冲层上,减小外管所受的应力大小,外管不易产生裂痕。在每一次的设备维护和保养的过程中,无需更换外管,而只需将旧的缓冲层去除、再在外管的内壁上形成新的缓冲层,即可重复进行LPCVD工艺。外管不用报废,能够循环使用,减少浪费,大大降低了成本。
- 机械增韧碳基固体润滑薄膜及其制备方法和应用-201910011219.4
- 强力;张俊彦;张斌;高凯雄;白常宁 - 中国科学院兰州化学物理研究所
- 2019-01-07 - 2019-03-15 - C23C16/24
- 本发明公开了一种机械增韧碳基固体润滑薄膜,该机械增韧碳基固体润滑薄膜包括若干层的碳薄膜,各层所述的碳薄膜中均埋有丝网,且相邻的两碳薄膜层中的丝网网线夹角为15~30º。可通过包括以下步骤制得(1)将一丝网放置在基体上,然后沉积一层碳薄膜;(2)再将一丝网放置在碳薄膜上,然后继续沉积一层碳薄膜;(3)重复步骤(2)。与现有碳薄膜相比,本发明的机械增韧碳基固体润滑薄膜在较大法向应力作用下未发生明显脆性断裂,从而可以确保持久润滑特性。
- 多晶硅沉积方法及用于其的沉积装置-201610575931.3
- 徐祥准 - 成均馆大学校产学协力团
- 2016-07-20 - 2019-03-01 - C23C16/24
- 本发明涉及一种利用模组移动方式的多晶硅沉积方法及用于所述多晶硅沉积方法的沉积装置。
- 一种封闭式镀膜系统-201811003398.9
- 朱广东;上官泉元;喻大伟;赵慧超;庄正军;侯岳明 - 常州比太科技有限公司
- 2018-08-30 - 2018-11-23 - C23C16/24
- 本发明公开了一种封闭式镀膜系统,包括依次线性循环设置的上料端、缓存台、加热腔、正表面镀膜腔一、加热腔、缓冲腔、正表面镀膜腔二、缓冲腔、卸载腔、缓存台、载板移载机构、硅片翻转机构、缓存台、加热腔、缓冲腔、背表面镀膜腔一、缓冲腔、加热腔、缓冲腔、背表面镀膜腔二、缓冲腔、卸载腔、缓存台及下料端。本发明具有产能高、成本投入低、硅片无卡点印痕、外界环境对硅片表面的污染少及系统通用性高等优点。
- 将原位涂层沉积至用于生产高纯度多晶硅的流化床反应器的热承载和化学承载部件上的方法-201780005673.8
- S·佩德龙 - 瓦克化学股份公司
- 2017-02-23 - 2018-10-23 - C23C16/24
- 本发明涉及一种涂覆用于生产高纯度粒状多晶硅的流化床反应器的热承载和化学承载部件的方法,其中在600至1400℃的平均管壁温度和1至15巴绝对压力的压力下,用反应性气体混合物将不含床材料或基本不含床材料的所述流化床反应器冲洗1小时至8天的时段,从而借助于CVD工艺向所述反应器的温度高于600℃的表面提供Si和/或SiC和/或Si3N4的原位涂层。
- 一种改善低压化学气相淀积多晶硅薄膜质量的方法-201711286582.4
- 施炜青;贺贤汉 - 上海申和热磁电子有限公司
- 2017-12-07 - 2018-06-12 - C23C16/24
- 随着加工设备的老化,现有工艺无法高质量地制备多晶硅薄膜,针对现有技术存在的问题,本发明提供一种改善低压化学气相淀积多晶硅薄膜质量的方法,采用SiH4在610~630℃的温度下进行热分解淀积,能够解决当前工艺条件下多晶硅薄膜雾点的质量问题。
- 卤硅烷化合物和组合物以及用于使用其沉积含硅膜的方法-201680034649.2
- 雷新建;李建恒;J·F·莱曼;A·C·库珀 - 弗萨姆材料美国有限责任公司
- 2016-06-14 - 2018-04-06 - C23C16/24
- 本文描述了卤硅烷化合物、用于合成卤硅烷化合物的方法、包含卤硅烷前体的组合物以及用于使用卤硅烷前体沉积含硅膜(例如硅、无定形硅、氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、掺杂硅膜和金属掺杂氮化硅膜)的方法。本文所述的卤硅烷前体化合物的实例包括但不限于一氯乙硅烷(MCDS)、一溴乙硅烷(MBDS)、一碘乙硅烷(MIDS)、一氯丙硅烷(MCTS)和一溴丙硅烷(MBTS)、一碘丙硅烷(MITS)。本文还描述了用于在约500℃或更低的一个或多个沉积温度下沉积含硅膜(例如但不限于硅、无定形硅、氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、掺杂硅膜和金属掺杂氮化硅膜)的方法。
- 一种在硅钢表面激光制备梯度涂层的方法-201610710574.7
- 迟述义 - 迟述义
- 2016-08-24 - 2018-03-09 - C23C16/24
- 一种在硅钢表面激光制备梯度涂层的方法,按以下步骤进行(1)将热轧无取向低硅钢表面清洗干净后,喷砂处理;(2)置于真空条件下,持续通入氩气和硅烷,在激光聚焦条件下,制备出沉积涂层;(3)置于真空条件下,加热至700~1100℃,保温2~6h。本发明的方法提高了渗硅效率,实现了快速渗硅;采用无氯硅源避免FeCl2的生成造成铁的损失并改善材料表面质量;对渗硅过程进行局部化约束来减少和避免尾气对原料气的稀释和污染。
- 具有底部密封布置的硅沉积反应器-201580071050.1
- 迈克尔·V·斯潘格勒;马修·J·米勒;杰弗里·A·汉森 - 瑞科硅公司
- 2015-06-25 - 2017-11-28 - C23C16/24
- 本发明公开了用于制造高纯度硅包覆粒子的流化床反应器系统。容器具有外壳、所述外壳内向的绝缘层、所述外壳内向的同心内壳、和定位在所述内壳的内向并限定反应器室的同心衬里。所述内壳和衬里在它们的底部由O形环密封布置密封在一起,以防止所述反应器室中的气体进入所述内壳和所述衬里之间的空间。中央入口喷嘴在所述反应器室中产生竖直的气体羽流。
- 硅膜的成膜方法以及成膜装置-201310741893.0
- 大部智行;宫原孝广;永田朋幸 - 东京毅力科创株式会社
- 2013-12-27 - 2017-11-14 - C23C16/24
- 本发明提供一种硅膜的成膜方法以及成膜装置,所述成膜方法在基底上形成包含硅膜的膜,其具备将该基底加热,在加热了的基底表面上供给氨基硅烷系气体,在基底表面上形成晶种层的工序;以及,将基底加热,在加热了的基底表面的晶种层上供给不含氨基的硅烷系气体,在晶种层上形成硅膜的工序,前述晶种层的形成工序所使用的氨基硅烷系气体的分子中包含2个以上的硅。
- 石英外管组件及炉管装置-201720174656.4
- 汪剑勇;陈正敏;周冬成;宋凯峰;吴兵 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 2017-02-24 - 2017-10-20 - C23C16/24
- 本实用新型提供一种石英外管组件,所述石英外管组件包括石英外管,至少所述石英外管底部开口;保护部,所述保护部的一侧与所述石英外管内壁贴合,所述保护部的底部与所述石英外管的底部位于同一平面上,其高度小于所述石英外管管壁的高度。通过上述方案,本实用新型提供的石英外管组件可以保护石英外管在多晶硅薄膜的淀积过程中底部不受损伤;可以防止石英外管顶部有粉尘凝结,以免其掉落在晶舟和晶圆上,从而造成损伤。
- 机械式流化沉积系统和方法-201580075951.8
- 马克·W·达塞尔;乌韦·克冉特;大卫·A·布莱斯勒 - 斯泰克有限责任公司;马克·W·达塞尔
- 2015-12-23 - 2017-10-13 - C23C16/24
- 允许高效、有成本效益地生产硅的机械式流化系统和构成。可将微粒提供到被加热的盘或锅,该盘或锅振荡或振动以得到反应表面。微粒在盘或锅中向下迁移,并且随着反应产物达到所期望状态,反应产物在盘或锅中向上迁移。排放的气体可重新循环。
- 多晶硅棒的制造方法-201710117230.X
- 祢津茂义;黑泽靖志;星野成大 - 信越化学工业株式会社
- 2013-02-19 - 2017-07-14 - C23C16/24
- 本发明涉及多晶硅棒的制造方法。在钟形玻璃罩(1)内所配置的两对牌坊型的硅芯线(12)之间设置的电路(16)的串联/并联的切换是通过开关(S1~S3)进行的。电流从供给低频率电流的一个低频电源(15L)或供给具有2kHz以上的频率的频率可变的高频电流的一个高频电源(15H)被供给到该电路(16)。若关闭开关(S1)且打开开关(S2)以及(S3)从而将两对牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))串联连接,并将开关(S4)切换到高频电源(15H)侧,则能够对串联连接的牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))供给2kHz以上的频率的高频电流而进行通电加热。
- 非晶体硅膜的成膜方法和成膜装置-201410478548.7
- 长谷部一秀;村上博纪;柿本明修 - 东京毅力科创株式会社
- 2011-04-27 - 2017-04-12 - C23C16/24
- 本发明提供一种能够进一步改善表面粗糙度的精度、且能够应对接触孔、线等的微细化的进展的非晶体硅膜的成膜方法。在处理室内连续进行下述工序将基板1收容在处理室内的工序;对处理室内的基板进行加热的工序;对处理室内进行排气,调整压力的工序;在氨基硅烷系气体不热分解的条件下,向处理室内供给氨基硅烷系气体,氨基硅烷系气体被吸附而在基板上形成晶种层3的工序;在不含氨基的硅烷系气体热分解的条件下,向处理室内供给不含氨基的硅烷系气体而在晶种层3上形成非晶体硅膜4的工序;以及形成晶种层3的工序和形成非晶体硅膜4的工序。
- 用于沉积材料的制造设备和用于其中的托座-201380036021.2
- 马修·迪格;D·希拉布兰德;威廉·拉尔森 - 赫姆洛克半导体公司
- 2013-07-09 - 2017-03-15 - C23C16/24
- 本发明涉及一种制造设备,所述制造设备将材料沉积在承载体上。所述制造设备包括壳体,所述壳体限定腔室。所述壳体限定入口以用于将包含所述材料或其前体的沉积组合物引入所述腔室。所述壳体还限定出口,所述出口穿过所述壳体以用于从所述腔室排出所述沉积组合物。电极穿过所述壳体而设置,其中所述电极至少部分地设置在所述腔室内。托座具有外表面并连接到所述腔室内的所述电极以用于接纳所述承载体。剥离涂层设置在所述托座的所述外表面上以促进所述托座与所述承载体及其上沉积的所述材料的分离,从而收获所述承载体。
- 用于非晶硅沉积的炉管底座-201310407964.3
- 沈建飞;陈腾宏 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 2013-09-09 - 2017-02-08 - C23C16/24
- 本发明揭露了一种用于非晶硅沉积的炉管底座,所述底座包括从下依次往上叠加设置的密封盖、磁流体、基座支架以及基座,所述磁流体连接密封盖与基座支架,基座支架与基座连接,还包括支架盖板和固定块,所述支架盖板位于所述基座和基座支架之间,遮盖住所述基座支架的上表面和侧面,所述固定块位于基座内,覆盖基座底部的开口,所述支架盖板和固定块均为碳化硅材质。本发明提供的用于非晶硅沉积的炉管底座,可以改善非晶硅沉积工艺中薄膜剥落状的颗粒缺陷的产生,提高产品良率。
- 硅薄膜的制备方法-201410419021.7
- 邬苏东;叶继春;高平奇;杨映虎;韩灿 - 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 2014-08-22 - 2016-11-16 - C23C16/24
- 本发明公开了一种硅薄膜的制备方法,使用中压等离子体设备制备硅薄膜,包括以下步骤:将衬底清洗后放入沉积腔室的样品台上;将所述沉积腔室抽真空;在等离子体喷枪的腔体中通入第一气体,所述第一气体在所述等离子体喷枪的腔体中生成等离子体;在所述等离子体喷枪的腔体中通入第二气体,所述第二气体在所述等离子体喷枪的腔体中分解为包含硅原子的气体粒子;所述硅原子在所述等离子体的携带下进入沉积腔室,并沉积在所述衬底上形成硅薄膜;在所述硅薄膜的沉积过程中,所述沉积腔室中的压力为0.1kPa~10kPa,且所述压力值恒定。上述方法可实现较低温度下硅薄膜的快速生长。
- 成膜装置-201410478007.4
- 长谷部一秀;村上博纪;柿本明修 - 东京毅力科创株式会社
- 2011-04-27 - 2016-11-02 - C23C16/24
- 本发明提供一种非晶体硅膜的成膜方法和成膜装置。该成膜方法包括如下工序:对基底进行加热,使氨基硅烷系气体流经加热后的基底,在基底的表面形成晶种层;对基底进行加热,向加热后的基底的表面的晶种层供给不含氨基的硅烷系气体,使不含氨基的硅烷系气体热分解,从而在晶种层上形成非晶体硅膜。
- 用于在光伏应用中沉积微晶材料的方法和设备-201610101963.X
- M.克林德沃特;M.库皮希 - 瑞士艾发科技
- 2011-04-14 - 2016-08-24 - C23C16/24
- 本申请涉及用于在光伏应用中沉积微晶材料的方法和设备。提供了一种用于生产光伏电池的沉积方法和系统。该方法包括在半导体材料沉积的至少一部分期间在反应室内保持负压。将第一和第二电极分离的距离D用mm来表示,并且大于或等于约10mm但小于或等于约30mm。在半导体材料沉积的至少一部分期间建立按体积计至少百分之五十(50%)的工艺气体中的含半导体气体的浓度。
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的