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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于制备一氢三卤代硅烷的方法-CN201580064766.9有效
发明人： P·J·哈德;T·斯温森;D·威廉姆斯 -专利权人：美国陶氏有机硅公司;赫姆洛克半导体公司
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制备包含一氢三卤代硅烷的产物的方法。所述方法包括以下步骤：1)首先向反应器中装入包含新鲜硅和回收的接触物质两者的接触物质，其中所述回收的接触物质是从用于制备一氢三卤代硅烷的无机直接法反应的制备阶段期间或之后获得的；以及此后，2)向所述反应器中供入卤化氢和另外的新鲜硅，从而形成所述产物。
制备三卤代硅烷接触物质反应器回收卤化氢直接法新鲜装入

[发明专利]用于沉积材料的制造设备和用于其中的托座-CN201380036021.2有效
发明人：马修·迪格;D·希拉布兰德;威廉·拉尔森 -专利权人： 赫姆洛克半导体公司
申请日： 2013-07-09 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造设备，所述制造设备将材料沉积在承载体上。所述制造设备包括壳体，所述壳体限定腔室。所述壳体限定入口以用于将包含所述材料或其前体的沉积组合物引入所述腔室。所述壳体还限定出口，所述出口穿过所述壳体以用于从所述腔室排出所述沉积组合物。电极穿过所述壳体而设置，其中所述电极至少部分地设置在所述腔室内。托座具有外表面并连接到所述腔室内的所述电极以用于接纳所述承载体。剥离涂层设置在所述托座的所述外表面上以促进所述托座与所述承载体及其上沉积的所述材料的分离，从而收获所述承载体。
用于沉积材料制造设备中的托座

[发明专利]感应加热设备-CN201480024787.3有效
发明人：蒂莫西·阿姆斯特朗;马修·迪格;詹尼弗·拉里默;威廉·拉尔森;K·麦科伊;迈克尔·约翰·莫尔纳;詹姆斯·A·舒尔茨 -专利权人： 赫姆洛克半导体公司
申请日： 2014-03-10 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H05B6/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种感应加热设备，所述感应加热设备包括限定反应室的衬托器。壳体在与所述反应室相反的方向与所述衬托器隔开，并且限定端口。空隙空间限定在所述壳体与所述衬托器之间。感应线圈延伸穿过所述端口并设置在所述空隙空间内以便传导电流以对所述衬托器进行加热，进而对所述反应室进行加热。凸缘包括金属材料并且在所述端口处联接到所述壳体以便密封所述端口，其中所述感应线圈延伸穿过所述凸缘。绝缘体设置在所述凸缘与所述壳体之间以防止电流流入所述壳体。
感应加热设备

[发明专利]固体加工阀-CN201280034617.4有效
发明人：唐·巴拉诺维斯基;马修·比肖普;M·德蒂亚;迈克尔·约翰·莫尔纳;P·克里斯蒂安·纳伯豪斯 -专利权人： 赫姆洛克半导体公司
申请日： 2012-06-14 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： B01J8/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性地分配来自容器的室的硅产物的圆顶阀。所述圆顶阀包括限定直通通道的阀本体，所述直通通道与所述容器的所述室连通，以允许所述硅产物离开所述容器。所述圆顶阀还包括限定开口的阀座，所述硅产物通过所述开口进入所述直通通道。所述圆顶阀还包括具有半‑半球构型的圆顶本体。所述圆顶本体具有密封表面。所述圆顶本体可在闭合位置和打开位置之间旋转，以允许选择性地分配来自所述容器的所述硅产物。
固体加工

[发明专利]用于测定污染硅产品的金属杂质的浓度的方法-CN201480072654.3有效
发明人：道格拉斯·H·克雷斯佐夫斯基;卡尔·W·普尔三世;戴尔·弗兰克林·沃克曼 -专利权人： 赫姆洛克半导体公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明公开了测定污染硅产品的金属杂质的浓度的方法。所述方法包括获得其上具有所述金属杂质的所述硅产品的测试样品。将所述测试样品置于第一容器中。将第一酸溶液添加至容纳有所述测试样品的所述第一容器。使所述测试样品浸没于所述第一酸溶液中以产生包含所述第一酸溶液、所述金属杂质和消化的硅的混合溶液。从所述混合溶液分离未消化的硅。分析所述混合溶液以测定污染所述硅产品的金属杂质的浓度。
用于测定污染产品金属杂质浓度方法

[发明专利]通过利用四氯硅烷减少壁上沉积的流化床反应器生产硅-CN201510164136.0有效
发明人：迈克尔·莫尔纳 -专利权人： 赫姆洛克半导体公司
申请日： 2009-10-12 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开通过向靠近流化床反应器壁的地方供入蚀刻气体的方法来抑制流化床反应器壁上硅沉积。所述蚀刻气体包括四氯硅烷。可以将西门子反应器并入到所述方法中，以便将来自所述西门子反应器的排放气体用于形成供入所述流化床反应器的供入气体和/或蚀刻气体。
通过利用硅烷减少壁上沉积流化床反应器生产

[发明专利]用于将材料沉积到承载体上的制备装置-CN201180073221.6有效
发明人：迈克尔·L·安德森;斯蒂芬·特朗布利 -专利权人： 赫姆洛克半导体公司
申请日： 2011-07-20 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种垫圈，所述垫圈用于将材料沉积到承载体上的制备装置中。所述制备装置的壳体和基板限定了反应室。所述垫圈设置在所述壳体与所述基板之间以防止沉积组合物逸出所述反应室，所述沉积组合物包含待沉积的所述材料或其前体。所述垫圈包含柔性石墨材料，用于防止所述垫圈污染所述反应室内的所述材料。
用于材料沉积承载制备装置

[发明专利]测定污染高纯硅的污染材料中杂质的量的方法和用于处理高纯硅的炉子-CN201310042914.X有效
发明人： D·德彼萨;J·霍斯特;T·霍索德;A·瑞特莱维斯基 -专利权人： 赫姆洛克半导体公司
申请日： 2009-09-24 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：测定污染高纯硅的污染材料中杂质的量的方法，包括在污染材料中部分地包埋高纯硅的样品的步骤。将包埋在污染材料中的样品在炉子内加热。测定在加热步骤之后高纯硅的杂质含量与在加热步骤之前高纯硅的杂质含量相比的变化。用于热处理高纯硅的炉子，包含限定加热室的外壳。所述外壳至少部分地由低污染物材料形成，所述低污染物材料在于退火温度下加热历时足以使高纯硅退火的时间期间内对高纯硅贡献小于400份每万亿份的杂质，且所述炉子在相同加热条件下对高纯硅贡献平均小于400份每万亿份的杂质。
测定污染高纯材料杂质方法用于处理炉子

[发明专利]使用侧向光致发光测量半导体材料的遗漏杂质的方法-CN201180027579.5无效
发明人：道格·克雷斯佐夫斯基;约翰·W·哈德 -专利权人： 赫姆洛克半导体公司
申请日： 2011-06-03 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明提供了用于辨识和量化半导体样品中杂质的光致发光光谱学系统和方法。在一些实施方案中，所述系统和方法包括照明第一样品表面的离焦准直激光束，以及由集光透镜从所述第一表面与大致垂直的第二表面的相交处进行光致发光收集，其中所述第一样品表面被取向为相对于与所述集光透镜平行的位置成约0°至90°的角。
使用侧向光致发光测量半导体材料遗漏杂质方法

[发明专利]CVD装置-CN201080052380.3无效
发明人： D·希拉布兰德;K·麦科伊 -专利权人： 赫姆洛克半导体公司
申请日： 2010-10-08 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种用于在载体上沉积材料的制造装置和一种与制造装置一起使用的电极。制造装置包括限定腔室的外壳。外壳还限定用于将气体引入腔室的入口和用于将气体从腔室排出的出口。至少一个电极被布置穿过腔室且该电极至少部分地被布置于腔室内。电极包括具有第一端和第二端的轴，以及被布置在轴的端中一个上的头部。电极的头部具有外部表面，该外部表面具有触头。外部涂层被布置在接触区外的电极的外部表面上。根据mm3/N*m测量，外部涂层具有比镍更大的耐磨性。
cvd 装置

[发明专利]用于沉积材料的制造装置及其中所使用的电极-CN201080052092.8无效
发明人： D·希拉布兰德;K·麦科伊 -专利权人： 赫姆洛克半导体公司
申请日： 2010-10-08 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：提出了一种用于在载体上沉积材料的制造装置和一种与制造装置一起使用的电极。该制造装置包括限定腔室的外壳。外壳还限定用于将气体引入腔室的入口和用于将气体从腔室排出的出口。至少一个电极被布置穿过外壳且该电极至少部分地被布置于腔室内。电极具有外部表面。外部表面具有适于接触插座的接触区。将接触区涂层布置在电极的接触区上以用于保持电极和插座之间的电导率。接触区涂层在室温下具有至少为7×106姆欧/米的电导率，并且以mm3/N*m度量，其具有比镍更大的耐磨性。
用于沉积材料制造装置其中使用电极

[发明专利]带有电极的CVD装置-CN201080051679.7无效
发明人： D·希拉布兰德;K·麦科伊 -专利权人： 赫姆洛克半导体公司
申请日： 2010-10-08 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：提出了一种用于在载体上沉积材料的制造装置和一种与制造装置一起使用的电极。该制造装置包括限定腔室的外壳。外壳还限定用于将气体引入腔室的入口和用于将气体从腔室排出的出口。至少一个电极被布置穿过外壳且该电极至少部分地被布置于腔室内。电极具有外部表面。在室温下具有至少为7×106姆欧/米的电导率的第一外部涂层被布置在电极的外部表面上。与第一外部涂层不同的第二外部涂层被布置在第一外部涂层上。电源设备被耦合到电极。
带有电极 cvd 装置

[发明专利]抑制沉积物在制造系统中的形成的方法-CN201080031781.0无效
发明人： M·德蒂亚;詹森·贾尔迪纳;杰米·范德霍夫尔;迈克尔·豪姆斯特;迈克尔·约翰·莫尔纳;罗伯特·E·斯特拉顿;斯蒂芬·帕夫利克夫斯基 -专利权人： 赫姆洛克半导体公司
申请日： 2010-07-14 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种方法抑制沉积物在电极的冷却表面上的形成。电极在将材料沉积在载体主体上的制造系统中使用。冷却表面包含铜。系统包括界定室的反应器。电极被至少部分地布置在室内并且支持载体主体。循环系统与电极流体连通，向冷却表面和从冷却表面运输冷却剂组合物。冷却剂组合物包含冷却剂和来自冷却表面的溶解铜。过滤系统与循环系统流体连通。所述方法加热电极。电极的冷却表面与冷却剂组合物接触。材料被沉积在载体主体上，并且冷却剂组合物被过滤系统过滤以从其除去溶解铜的至少一部分。
抑制沉积物制造系统中的形成方法

[发明专利]使用拉曼光谱法定量测量气相工艺中间体-CN201080022229.5无效
发明人： G·哈姆斯;D·克雷斯佐夫斯基;D·里奇特;E·利普;M·莫尔纳;M·皮奈特 -专利权人：陶氏康宁公司;赫姆洛克半导体公司
申请日： 2010-05-11 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： G01N21/27 文献下载
摘要：提供了一种定量监测在化学工艺中气相材料的方法，其包括提供含一种或多种所关注的反应物气体的气体进料物流；使气体进料物流暴露于拉曼光谱装置的相干辐射；获得在气体进料物流内的每种气体组分的拉曼光谱信号；分析该光谱信号以确定每种气体组分的存在和浓度；和显示分析的结果。在一个实施方案中，该方法用于定量监测在生产高纯度硅工艺中的气相材料。
使用光谱法定测量工艺中间体

[发明专利]通过利用四氯硅烷减少壁上沉积的流化床反应器生产硅-CN200980144312.7有效
发明人：迈克尔·莫尔纳 -专利权人： 赫姆洛克半导体公司
申请日： 2009-10-12 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： B01J8/24 文献下载
摘要：本发明公开通过向靠近流化床反应器壁的地方供入蚀刻气体的方法来抑制流化床反应器壁上硅沉积。所述蚀刻气体包括四氯硅烷。可以将西门子反应器并入到所述方法中，以便将来自所述西门子反应器的排放气体用于形成供入所述流化床反应器的供入气体和/或蚀刻气体。
通过利用硅烷减少壁上沉积流化床反应器生产

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