[发明专利]SiC覆膜碳系材料及SiC包覆用碳系材料有效
| 申请号： | 200410098138.6 | 申请日： | 2004-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1611635A | 公开（公告）日： | 2005-05-04 |
| 发明（设计）人： | 藤田一郎 | 申请（专利权）人： | 东洋炭素株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/42 | 分类号： | C23C16/42;C04B41/87 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曹雯;庞立志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮和硼等杂质少的SiC覆膜碳系材料及SiC包覆用的碳系材料。SiC覆膜碳系材料由具有利用SIMS分析法测定氮含量为5×1016原子/cm3或以下的SiC覆膜的碳系材料构成。而且SiC覆膜碳系材料是由具有利用SIMS分析法测定硼含量为2×1016原子/cm3或以下的SiC覆膜的碳系材料构成的。此外，该碳系材料优选利用SIMS分析法测定的氮含量为5×1018原子/cm3或以下。并且，该碳系材料优选利用SIMS分析法测定的硼含量为1×1016原子/cm3或以下。 | ||
| 搜索关键词： | sic 覆膜碳系 材料 包覆用碳系 | ||
【主权项】：
1.一种SiC覆膜碳系材料，其具有碳系材料和包覆在所述碳系材料上的SiC覆膜，利用SIMS分析法测定的所述SiC覆膜的氮含量为5×1016原子/cm3或以下。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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