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[发明专利]光源单元、照明装置、加工装置以及偏转元件-CN201980079935.4有效
发明人：西本雅彦;山中一彦;畑雅幸 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：光源单元(100)具备：第一发光点(13a)，射出第一光线；第二发光点(13b)，在垂直于第一方向的第二方向上离开第一发光点而配置，射出第二光线；偏转元件(50)，使第一光线及第二光线中的至少一者向与第一方向及第二方向垂直的第三方向偏转；以及第一聚光光学元件(70)，将从偏转元件(50)射出的第一光线及第二光线聚光于聚光面(91)，第一发光点(13a)处的第一光线与第二发光点处的第二光线在第三方向上重叠，在聚光面(91)中，第一光线与第二光线在第二方向上重叠，且在第三方向上分离。
光源单元照明装置加工以及偏转元件

[发明专利]光源模块-CN202180033867.5在审
发明人：畑雅幸;山中一彦;富士原洁;吉田真治 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01S5/02253 文献下载
摘要：光源模块(1)具有被气密密封的第1半导体激光元件(11)、被气密密封的第2半导体激光元件(12)、以及第1～4光学元件(310、320、330和340)。到达第1光学元件(310)为止的第1激光束(L11)具有第2光轴(F1)的方向上的发散角θfd1、以及第3光轴(S1)的方向上的发散角θsd1，且满足90°＞θfd1＞θsd1＞0。从第1光学元件(310)射出的第1激光束(L12)的第2光轴(F1)的方向上的发散角θfd12从发散角θfd1开始减小。从第2光学元件(320)射出的第1激光束(L14)的第2光轴(F1)的方向的成分被校准。关于第2半导体激光元件(12)也是同样。
光源模块

[发明专利]光源装置以及照明装置-CN202110581585.0在审
发明人： 山中一彦;春日井秀纪 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： F21S41/16 文献下载
摘要：光源装置(100)，具备射出相干的激励光(81)的半导体发光装置(10)，以及被配置为与半导体发光装置(10)分离，对从半导体发光装置(10)射出的激励光(81)进行波长转换来产生荧光(94)，并且，使激励光(81)散射来产生散射光(93)的波长转换元件(30)，波长转换元件(30)具备支撑部件(32)、以及配置在支撑部件(32)的波长转换部(38)，波长转换部(38)具有，第一波长转换部(35)，以及被配置在第一波长转换部(35)的周边，在对配置有波长转换部(38)的支撑部件(32)的面进行俯视时包围第一波长转换部(35)的第二波长转换部(36)，关于萤光(94)相对于散射光(93)的强度比，第二波长转换部(36)比第一波长转换部(35)低。
光源装置以及照明

[发明专利]光源装置以及照明装置-CN201780028318.2有效
发明人： 山中一彦;春日井秀纪 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： F21K9/64 文献下载
摘要：光源装置(100)，具备射出相干的激励光(81)的半导体发光装置(10)，以及被配置为与半导体发光装置(10)分离，对从半导体发光装置(10)射出的激励光(81)进行波长转换来产生荧光(94)，并且，使激励光(81)散射来产生散射光(93)的波长转换元件(30)，波长转换元件(30)具备支撑部件(32)、以及配置在支撑部件(32)的波长转换部(38)，波长转换部(38)具有，第一波长转换部(35)，以及被配置在第一波长转换部(35)的周边，在对配置有波长转换部(38)的支撑部件(32)的面进行俯视时包围第一波长转换部(35)的第二波长转换部(36)，关于萤光(94)相对于散射光(93)的强度比，第二波长转换部(36)比第一波长转换部(35)低。
光源装置以及照明

[发明专利]波长转换元件以及发光装置-CN201680059856.3有效
发明人： 山中一彦;春日井秀纪;上野博隆;村上公博 -专利权人：松下半导体解决方案株式会社
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：具备波长转换元件(1)、以及向波长转换元件(1)照射激发光(81)的激发光源(40)的发光装置，波长转换元件(1)，具备具有支撑面(2m)的支撑部件(2)、以及以从支撑面(2m)侧看支撑部件(2)时由支撑部件(2)包围的方式被配置在支撑面(2m)上的波长转换部件(4)，在支撑部件(2)上，配置有波长转换部件(4)的配置区域(2p)的外周部即从波长转换部件(4)露出的外周区域(2e)，具备能够吸收与激发光(81)同一波长的第一光的光吸收部、或能够使第一光散射的光散射部(2s)，在配置区域(2p)，在波长转换部件(4)与支撑部件(2)之间配置有与支撑部件(2)不同的反射部件(反射膜(3))。
波长转换元件以及发光装置

[发明专利]光源装置、投光装置-CN201680059866.7有效
发明人： 山中一彦;森本廉;春日井秀纪;松村一幸;山口秀雄;铃木信靖 -专利权人：松下半导体解决方案株式会社
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：光源装置(1)具备：半导体发光装置(10)，具备具有第一主面(18a)以及第二主面(18b)的平板状的底座(14)、以及被配置在底座(14)的第一主面(18a)侧的半导体发光元件(11)；第一固定部(40)，具备按压第一主面(18a)的第一按压面(44)，且设置有第一贯通孔(46)；以及第二固定部(20)，具备按压第二主面(18b)的第二按压面(24)，且设置有第二贯通孔(26)，通过围住第一固定部(40)的第一贯通孔(46)的第一内侧面(42)与第二固定部(20)的第二外侧面(22)嵌合，从而底座(14)被固定在第一按压面(44)与第二按压面(24)之间，第一按压面(44)与第二按压面(24)的距离为底座(14)的厚度以下，并且，在底座(14)侧方，在第一按压面(44)与第二按压面(24)之间形成有空隙部(35)。
光源装置

[发明专利]光源装置-CN201780015232.6在审
发明人：春日井秀纪;深草雅春;古贺稔浩;长崎纯久;山中一彦 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： F21K9/20 文献下载
摘要：光源装置(100)，具备：半导体发光元件(101)；聚光光学系统(102)，对从半导体发光元件(101)射出的激励光(121)进行聚光；以及波长转换元件(103)，由激励光(121)照射，波长转换元件(103)，具备：主光线(122)入射的第一波长转换区域(111)；以及第二波长转换区域(112)，被配置在第一波长转换区域(111)的周边，主光线(122)以外的激励光(121)入射到第二波长转换区域(112)，第二波长转换区域(112)的波长转换效率，比第一波长转换区域(111)的波长转换效率低。
波长转换区域激励光半导体发光元件波长转换效率波长转换元件光源装置主光线入射聚光光学系统聚光射出照射配置

[发明专利]玻璃板-CN201480053031.1有效
发明人：宫坂聪史;加藤亮祐;白井正信;井川信彰;三浦丈宜;山中一彦;林泰夫;谷井史朗 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： C03B18/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种玻璃板，其为在厚度方向上相对的一个面的氟浓度大于另一个面的氟浓度的玻璃板，其满足下式(1)，并且，在将横轴设为深度且将纵轴设为氟浓度(摩尔％)的由二次离子质谱分析(SIMS)得到的深度方向分布曲线上，玻璃中所含的氟量大于0.23摩尔％·μm且小于等于21摩尔％·μm。在此，氟浓度为由SIMS得到的深度1～24μm范围内的平均氟浓度(摩尔％)。0.1≤△F/△H2O…(1)；(△F及△H2O记载在说明书中)。
玻璃板

[发明专利]波长变换元件以及光源装置-CN201780009281.9在审
发明人： 山中一彦;上野博隆;深草雅春;古贺稔浩 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：波长变换元件(100)具备：基体(5)、被配置在基体(5)的表面的至少一部分的板状或膜状的波长变换部件(4)、被集成在基体(5)且包括由p型半导体以及n型半导体构成的p‑n结的受光部(6)。
波长变换元件波长变换部件光源装置受光部板状膜状配置

[发明专利]光源装置以及投光装置-CN201780009855.2在审
发明人：上野博隆;山口秀雄;深草雅春;山中一彦 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-02-01 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：光源装置(101)，具备：射出激光的半导体发光装置(1)；波长转换部件(4)，从半导体发光装置(1)射出的激光作为激励光照射到波长转换部件(4)，从而放出荧光；以及光检测器(7)，从波长转换部件(4)放出的光的一部分入射到光检测器(7)，光检测器(7)，被配置在从由波长转换部件(4)向空间放出的光之中的作为照明光利用的放射利用光的光程偏离的位置。
波长转换部件光检测器半导体发光装置光源装置射出激光投光装置激励光照明光光程入射荧光放射照射偏离配置

[发明专利]照明装置、车辆及其控制方法-CN201480044242.9有效
发明人： 山中一彦;森本廉;长崎纯久;白石诚吾 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2014-06-23 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： F21S41/176 文献下载
摘要：提高照明装置的控制性，提高耐久性。具备：光源(10)；聚光单元(20)，将从光源(10)射出的第1光(71)作为聚光光(73)聚光至波长变换元件(50)的规定的焦点位置(75)；波长变换元件(50)，接收所述聚光光(73)而在发光点(80)发出第2光(81)；以及投影透镜(60)，将所述第2光(81)作为投影光(85)进行投影。该照明装置(1)通过使聚光透镜(30)的焦点位置(75)变化，使相对于投影透镜的第2光(81)的发光点(80)变化，从而能够使第2光向任意方向投影。
照明装置车辆及其控制方法

[发明专利]化学强化用浮法玻璃-CN201710064130.5有效
发明人： 山中一彦;小池章夫;藤原祐辅;小林大介;网野阳介;秋山良司;白井正信 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2012-06-22 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： C03B18/02 文献下载
摘要：本发明提供一种能够有效地抑制化学强化后的翘曲，并且能够省略或简化化学强化前的研磨处理等的化学强化用浮法玻璃。本发明涉及一种化学强化用浮法玻璃，其具有在成形时与熔融金属接触的底面和与该底面相对的顶面，其中，顶面的深度5～10μm处的标准化氢浓度与底面的深度5～10μm处的标准化氢浓度之差的绝对值为0.35以下，底面的深度5～10μm处的平均H/Si强度相对于顶面的深度5～10μm处的平均H/Si强度之比为1.65以下，以及底面的深度5～30μm处的表层β‑OH相对于顶面的深度5～30μm处的表层β‑OH之比为1.27以下。 1
化学强化浮法玻璃底面标准化熔融金属研磨处理有效地省略成形顶面翘曲

[发明专利]波长转换元件以及发光装置-CN201680055967.7在审
发明人： 山中一彦;春日井秀纪;长崎纯久;滨田贵裕 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：波长转换元件(1)具备，具有支撑面(2a)的支撑部件(2)以及被配置在支撑面(2a)的上方的波长转换部(4)，波长转换部(4)包含：吸收激发光(82)并发生荧光(第二辐射光(91))的多个第一荧光体粒子(4a)；以及使多个第一荧光体粒子(4a)结合的透明结合材料(4b)，并且具备：位于支撑面(2a)侧的接合面(7)；以及与接合面(7)相对，且使激发光入射的入射面(6)，从入射面(6)射出激发光(82)以及荧光，波长转换部(4)具备多个凸部(5a)，多个凸部(5a)的至少一部分被配置在入射面(6)，多个第一荧光体粒子(4a)中的一部分露出在多个凸部(5a)各自的顶部。
波长转换部荧光体粒子激发光入射面支撑面凸部波长转换元件接合面荧光透明结合材料发光装置支撑部件辐射光配置入射射出吸收

[发明专利]光源装置以及投光装置-CN201680055261.0在审
发明人：深草雅春;山口秀雄;上野博隆;山中一彦 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： F21S41/173 文献下载
摘要：光源装置(1)具备：支架(40)，其具有第1面(41)和位于第1面(41)的上方的第2面(42)，且由一体物构成；半导体发光装置(10)，其配置在第1面(41)之上；光学元件组件(20)，其配置在半导体发光装置(10)的上方，反射面(21a)相对于第1面(41)倾斜，且反射来自半导体发光装置(10)的出射光(51)；和荧光体光学元件(30)，其配置第2面(42)上，且被照射来自光学元件组件(20)的反射光(54)。
光源装置以及

[发明专利]能够减小化学强化时的翘曲的玻璃板-CN201380016799.7有效
发明人：冈畑直树;中川浩司;山中一彦;渡边邦夫;谷井史朗;井川信彰;小林大介;宫下纯一;加藤亮祐;仁平敏史;世良洋一;林泰夫;府川真 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： C03C23/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够有效地抑制化学强化后的翘曲、并且能够省略或简化化学强化前的研磨处理等的玻璃板。本发明涉及一种玻璃板，其中，在使横轴为深度且使纵轴为F/Si强度比的利用二次离子质谱分析装置(SIMS)得到的深度方向分布曲线上，一个面的深度0～20μm处的深度方向分布曲线的平均值大于另一个面的深度0～20μm处的深度方向分布曲线的平均值，且两者之比大于1.4。
能够减小化学强化玻璃板

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