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[发明专利]用于补偿由于半圆漏极侧选择栅极引起的擦除速度变化的系统和方法-CN202210125059.8在审
发明人： A·普拉卡什;杨翔 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：该存储器系统包括成行的存储器孔FC‑SGD和SC‑SGD，后者可以通过SHE切割操作来形成。SC‑SGD的擦除速度比FC‑SGD的擦除速度慢。为了克服擦除速度差异，SC‑SGD被编程至相比于FC‑SGD更高的Vt。通过将SC‑SGD编程至更高的Vt，擦除速度增加并且与FC‑SGD的擦除速度匹配。此外，将不同的SC‑SGD切割成不同的量，以在SC‑SGD之间产生不同的擦除速度。与切割程度/量较小的SC‑SGD相比，切割程度/量较大的SC‑SGD具有更慢的擦除速度。然而，SC‑SGD之间的验证水平可以不同，以产生具有Vt的SC‑SGD，使得它们的擦除速度彼此匹配并与FC‑SGD匹配。
用于补偿由于半圆漏极侧选择栅极引起擦除速度变化系统方法

[发明专利]用于具有部分漏极侧选择栅极的存储器设备的经改善的编程技术-CN202210580036.6在审
发明人：杨翔 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：该方法包括制造存储器设备的步骤，该存储器设备包括具有全SGD晶体管的第一组存储器孔和具有部分SGD晶体管的第二组存储器孔。该第二组包括一组所选择的部分SGD晶体管和一组未选择的部分SGD晶体管两者。该方法继续进行使该组未选择的部分SGD晶体管中的第一未选择的部分SGD晶体管电浮动。在至少一个第一未选择的部分SGD晶体管电浮动的情况下，该方法继续减小施加到邻近第一未选择的部分SGD晶体管的至少一个晶体管或存储器单元的电压，使得第一未选择的部分SGD晶体管的电压通过电容耦合效应降低。
用于具有部分漏极侧选择栅极存储器设备改善编程技术

[发明专利]堆叠式非易失性存储设备中的选择栅极晶体管的阈值电压调节-CN201380035039.0有效
发明人：李海波;西颖·科斯塔;东谷政昭;曼·L·木伊 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2013-05-03 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：在一种3D堆叠式非易失性存储设备中，针对在串联连接的存储单元的串的漏极端处的选择栅极漏极(SGD)晶体管来评价和调节阈值电压。为了优化和缩紧阈值电压分布，读取处于可接受范围的下电平和上电平的SGD晶体管。具有低阈值电压的SGD晶体管经受编程，具有高阈值电压的SGD晶体管经受擦除，以使阈值电压进入可接受范围中。重复评价和调节的条件可以针对不同组的SGD晶体管而定制。方面包括使用验证和抑制对SGD晶体管编程，使用验证和抑制擦除SGD晶体管以及上述二者。
堆叠式非易失性存储设备中的选择栅极晶体管阈值电压调节

[发明专利]一种针对FPGA的变精度随机梯度下降的结构及设计方法-CN201811177869.8有效
发明人：罗国杰;张文泰;姜明 -专利权人：北京大学
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G06F30/327 文献下载
摘要：本发明公布了一种针对FPGA的变精度随机梯度下降的结构及设计方法，属于计算优化技术领域，是一种在迭代中动态调整精度的随机梯度下降算法(SGD)的动态重构体系结构的新的设计方案，基于动态重构体系结构的方法完成随机梯度下降算法SGD在FPGA上的实现，通过使用深度Q网络DQN对SGD的精度做出预测，由此达到运行时变精度的目的，使得性能更优。本发明通过动态重构方法将SGD迭代模块中的目标函数计算模块和梯度计算模块重新编程，能够使得SGD能够充分利用低精度运算的优势，在保证迭代的收敛性前提下，提高体系结构的计算能力。
一种针对 fpga 精度随机梯度下降结构设计方法

[发明专利]用于调整由于半圆形SGD引起的阈值电压分布的系统和方法-CN202210121463.8在审
发明人：杨翔;K·伊索祖米;P·阿明 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：以下公开内容涉及减轻与存储器结构中的半圆形漏极侧选择栅极(SC‑SGD)存储器孔有关的问题。当存储器孔被切割时，所述存储器孔的通道和电荷捕获层被切割。当选定SC‑SGD被选择用于操作(例如，编程)时，所述通道和所述电荷捕获层暴露于来自施加到未选定SC‑SGD的偏置电压的相邻电场。为了防止或减轻此电场的影响，负偏置电压被施加到所述未选定SC‑SGD。另外，本公开涉及用于SC‑SGD的自补偿技术。举例来说，所述存储器结构可在验证、编程和读取操作期间利用所述相邻电场，而不管所述相邻电场是相对强还是弱的。
用于调整由于半圆形 sgd 引起阈值电压分布系统方法

[发明专利]一种智能优化的SGD训练方法及系统-CN201810045726.5在审
发明人：雷学;刘小东 -专利权人：上海爱优威软件开发有限公司
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： G06N3/08 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种智能优化的SGD训练方法及系统，涉及智能终端技术领域。所述方法包括：构建SGD模型，获取训练子集；确定目标函数和损失函数；训练模型结构；判断损失函数值是否小于判定值；若是，确定模型结构；若否，判断训练次数是否达到预设次数；若达到预设次数，确定模型结构；若未达到预设次数本申请的智能优化的SGD训练方法及系统，构建SGD模型，通过确定目标函数和损失函数并判断损失函数值以确定模型结构，提高训练效率。
损失函数模型结构智能优化预设目标函数训练模型构建训练效率训练子集智能终端申请判定返回

[发明专利]一种异步自适应联邦学习方法及装置-CN202211431258.8在审
发明人：程杰仁;罗平 -专利权人：海南大学
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G06N20/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种异步自适应联邦学习方法及装置，所述方法应用于工作节点，所述方法包括：从参数服务器接收全局模型参数，并从本地训练数据集执行本地SGD迭代；当完成指定次数的局部SGD迭代后，将本地模型参数和控制参数发送到所述参数服务器，使得所述参数服务器利用所述本地模型参数计算得到新的全局模型参数，利用所述控制参数计算得到所有工作节点上的最优SGD迭代次数的集合；接收所述参数服务器发送的最优SGD迭代次数的集合、全局模型参数和循环指数本申请在不同工作节点上动态确定局部SGD迭代次数，从而在时间资源预算下平衡快工作节点和慢工作节点，以获得稳定的性能。
一种异步自适应联邦学习方法装置

[发明专利]存储器中的分割擦除-CN201680055971.3有效
发明人： S.R.拉吉瓦德;A.戈达;P.卡拉瓦德;K.K.帕拉特;H.桑达 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：系统、设备和方法可提供：识别存储器中将要被部分或完全擦除的NAND串的目标子块；以及在与目标子块关联的一个或多个目标选择栅漏极侧(SGD)装置中触发漏电流状况。另外，可在与存储器中的NAND串的剩余子块关联的一个或多个剩余SGD装置中抑制漏电流状况。在一个示例中，在所述一个或多个目标SGD装置中触发漏电流状况包括：将所述一个或多个目标SGD装置的栅极电压设置为产生超过与漏电流状况对应的阈值的反向电压的值。
存储器中的分割擦除

[外观设计]插座（SGD）-CN202030258522.8有效
发明人：何龙杰;周飞龙;杨涛 -专利权人：公牛集团股份有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：插座（SGD）。2.本外观设计产品的用途：用于连接电源和用电装置的插座。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。
插座 sgd

[发明专利]一种SGD算法优化系统及方法-CN201610780375.3有效
发明人：王丽;陈继承;王洪伟 -专利权人：浪潮（北京）电子信息产业有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： G06F17/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种SGD算法优化系统及方法，该系统包括：多个基于FPGA的分布式计算节点和一个基于CPU的中心计算节点，其中，各分布式计算节点用于通过对应的FPGA中的并行数据通路对SGD算法中的待处理数据进行并行计算分布式计算节点基于FPGA，中心计算节点基于CPU，这就形成了异构计算平台，通过对SGD算法进行并行化设计，对Spark框架下的SGD算法进行了极大的优化，提高SGD算法处理海量数据的整体性能。
一种 sgd 算法优化系统方法

[发明专利]半导体存储装置-CN202211696276.9在审
发明人：小迫宽明 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：实施方式的半导体存储装置具备沿第一方向(Z)排列的多条字线(WL)、相对于多条字线设置于第一方向的一侧的位线、设置于多条字线和位线之间且沿第一方向排列的多条选择栅极线(SGD1、SGD2、SGD3)和与多条字线及多条选择栅极线对置的半导体层多条选择栅极线包含第一选择栅极线(SGD3)和第二选择栅极线(SGD1)。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN201711135070.8有效
发明人：二山拓也;四方刚 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一实施方式的半导体存储装置具备：第1区域(BLK)，包含沿着第1方向(X方向)并排地排列着多条的第1配线(SGD)、将相邻的第1配线(SGD)间分离的第1绝缘膜(SLT2)、及以横跨相邻的第1配线(SGD设置在第1区域(BLK)内的第1配线(SGD)的条数为奇数条。
半导体存储装置

[发明专利]基于L2重新正则化Adam切换模拟回火SGD的深度学习方法-CN201811124380.4在审
发明人：张勇军;刘非 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： G06K9/62 文献下载
摘要：本发明提供一种基于L2重新正则化Adam切换模拟回火SGD的深度学习方法，属于模式识别技术领域。该方法先利用Adam算法进行快速收敛，之后由算法根据一定的条件自行切换至SGD算法，以达到更好的收敛状态。在切换条件的选择思路上则首先根据梯度的正交平行四边形算法计算得到切换到SGD时所需要采用的学习率，然后根据Adam与SGD的特性设置了三个切换条件，最后为加强算法效率，使用L2重新正则化和模拟回火分别优化两种算法
算法正则化回火标准数据切换条件模式识别技术平行四边形创新意义快速收敛收敛状态算法计算算法效率特性设置现场环境测试集可接受新算法准确率迭代正交学习运算收敛节约配置优化

[发明专利]非侵入地确定血球比率的方法和设备-CN96194348.3无效
发明人： P·W·鲁宾;A·L·卡明斯基 -专利权人：麦克考股份有限公司
申请日： 1996-04-03 - 公布日： 2000-02-16 - 主分类号： A61B5/02 文献下载
摘要：血球比率测量系统包括信号发生器和把所加的信号发送到电极箱(36)的解调器[SGD](34),所述电极箱把个电流加到病人的肢体。电极箱(36)接收测得的电压信号并把它们提供给SGD。SGD向个人计算机[PC](42)提供表示通过病人肢体的电流和获得的电压信号。可对于各个频率,例如大约10kHz到大约10MHz的频率范围测量电流和电压。由PC根据SGD所提供的同相和正交数据来确定血球比率。在从血液阻抗图形来确定血球比率时可使用一神经网络。
侵入确定血球比率方法设备

[发明专利]用于3D NAND的选择栅极隔离-CN202180050890.5在审
发明人：姜昌锡;北岛知彦 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：描述一种存储器串，在延伸穿过基板上的存储器堆叠的垂直孔中包括至少一个漏极选择栅极(SGD)晶体管及至少一个存储器晶体管。存储器堆叠包括交替的非替换字线及替换绝缘体。经填充狭缝延伸穿过存储器堆叠，且在存储器堆叠中存在与该经填充狭缝相邻的至少两个漏极选择栅极(SGD)隔离区域。漏极选择栅极(SGD)切口被图案化至存储器堆叠中的顶部数对交替层中。
用于 nand 选择栅极隔离

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