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[发明专利]在编程操作暂停期间的编程操作执行-CN202111266228.1在审
发明人： U·西奇利亚尼 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请涉及在编程操作暂停期间的编程操作执行。存储器装置包含存储器阵列及与所述存储器阵列可操作地耦合的控制逻辑。所述控制逻辑从请求方接收对所述存储器阵列执行第一存储器存取操作的第一请求，并且起始对所述存储器阵列的所述第一存储器存取操作。在完成所述第一存储器存取操作之前，所述控制逻辑从所述请求方接收暂停执行所述第一存储器存取操作的第二请求并且使所述存储器装置进入暂停状态，其中所述第一存储器存取操作在所述暂停状态期间暂停。所述控制逻辑进一步从所述请求方接收在所述存储器装置处于所述暂停状态时对所述存储器阵列执行动态单层级单元SLC编程操作的第三请求，并且起始对所述存储器阵列的所述动态SLC编程操作。
编程操作暂停期间执行

[发明专利]一种控制编程性能的方法和装置-CN201910356983.5有效
发明人：刘言言;许梦;付永庆 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种控制编程性能的方法和装置。所述方法应用于NOR flash存储器，所述NOR flash存储器包括：编程验证开关、编程操作状态机以及编程存储单元，所述方法包括：所述编程操作状态机接收编程操作指令和待编程数据，根据编程操作指令和待编程数据执行编程验证和编程加压操作，再根据编程循环次数和编程验证开关的情况，连续执行编程加压操作预设次数，之后再执行编程验证操作。本发明在执行编程加压操作时，编程操作状态机连续执行编程加压操作预设次数，跳过对应的编程验证操作，控制编程验证操作和编程加压操作的循环周期，提高NOR flash存储器的编程性能。
一种控制编程性能方法装置

[发明专利]一种控制编程性能的方法和装置-CN201910356984.X有效
发明人：刘言言;许梦;付永庆 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种控制编程性能的方法和装置。所述方法应用于NOR flash存储器，所述NOR flash存储器包括：温度传感器、时钟频率发生器、编程操作状态机以及编程存储单元，编程操作状态机包括：计数器，所述方法包括：编程操作状态机接收编程操作指令和待编程数据，根据编程操作指令和待编程数据执行编程验证和编程加压操作，编程加压操作包括：接收温度传感器发送的NOR flash存储器的工作温度，根据工作温度调整所述时间，根据调整后的时间完成编程加压操作。本发明在执行编程加压操作时，编程操作状态机根据NOR flash存储器的工作温度，调整单次编程加压操作的时间，完成编程加压操作，控制编程验证操作和编程加压操作的循环周期，提高NOR flash存储器的编程性能
一种控制编程性能方法装置

[发明专利]一种控制编程性能的方法和装置-CN201910356967.6有效
发明人：刘言言;许梦;付永庆 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种控制编程性能的方法和装置。所述方法应用于NOR flash存储器，NOR flash存储器包括：编程循环次数检测单元、编程操作状态机、时钟频率发生器以及编程存储单元，编程操作状态机包括：计数器，所述方法包括：编程操作状态机接收编程操作指令和待编程数据，根据编程操作指令和待编程数据执行编程验证操作，验证不通过则根据循环次数，调整时间，根据调整后的时间完成编程加压操作。本发明在执行编程加压操作时，NOR flash存储器根据循环次数，调整单次编程加压操作的时间，完成编程加压操作，控制编程验证操作和编程加压操作的循环周期，提高NOR flash存储器的编程性能。
一种控制编程性能方法装置

[发明专利]一种控制编程性能的方法和装置-CN201910356981.6有效
发明人：刘言言;许梦;付永庆 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种控制编程性能的方法和装置。所述方法应用于NOR flash存储器，所述NOR flash存储器包括：温度传感器、时钟频率发生器、编程操作状态机以及编程存储单元，所述编程操作状态机包括：计数器，所述方法包括：所述编程操作状态机接收编程操作指令和待编程数据，根据编程操作指令和待编程数据执行编程验证和编程加压操作，接收温度传感器发送的NOR flash存储器的工作温度，根据工作温度调整所述时间，根据调整后的时间完成编程加压操作。本发明在执行编程加压操作时，编程操作状态机根据NOR flash存储器的工作温度，调整单次编程加压操作的时间，完成编程加压操作，控制编程验证操作和编程加压操作的循环周期，提高NOR flash存储器的编程性能
一种控制编程性能方法装置

[实用新型]编程设备-CN202020806250.5有效
发明人：陈新;于鑫海;王允琪;张天慧;于希璞 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G09B19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种编程设备，其包括多个编程操作模块、编程操作台以及显示装置。其中，每个编程操作模块由多个指令块相互叠加而形成，每个指令块上设有一选择组件以供用户从指令块预先配置的多个编程语句中选择目标编程语句；编程操作台上设有一收容槽以收容多个编程操作模块且与编程操作模块实现连接，以对编程操作模块中的目标编程语句进行整合；显示装置与编程操作台连接，用于显示经过编程操作台整合后的编程语句。与现有技术相比，本实用新型所公开的编程设备，整个编程操作过程较为简单，从而在一定程度上降低了编程的复杂度。
编程设备

[发明专利]一种存储设备及其控制方法和控制装置-CN201911257879.7在审
发明人：贺元魁;潘荣华 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种存储设备及其控制方法和控制装置，控制方法包括：接收第一编程指令，并对第一编程指令中的编程数据进行校验；如果检测到第一编程指令中的编程数据包含有效编程数据，执行编程操作。本发明实施例中，在执行编程操作之前先对编程数据进行校验，只有包含有效编程数据时，才执行编程操作；反之，只有无效编程数据时，不执行编程操作。因此，在用户输入的原始数据都是无效编程数据即FFh，不做编程操作，如此避免空做一次编程操作，降低对存储单元造成编程妨碍影响，提高了编程效率。
一种存储设备及其控制方法装置

[发明专利]用于执行编程操作的半导体装置和方法-CN202210556612.3在审
发明人：宋清基;赵祐荣 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G11C7/22 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置及执行编程操作的方法。半导体装置包括：编程控制信号生成电路，被配置为在编程操作被执行时基于编程数据生成编程控制信号和编程终止信号；以及编程控制电路，被配置为基于编程控制信号对命令、地址和操作信号进行编程以生成编程命令、编程地址和编程操作信号
用于执行编程操作半导体装置方法

[发明专利]对非易失性存储器设备进行编程的方法-CN200910007649.5无效
发明人：王钟铉 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-02-16 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：一种对非易失性存储器设备进行编程的方法。根据一种编程方法，通过施加具有比编程起始脉冲的脉冲宽度更宽的脉冲宽度的虚编程脉冲来执行编程操作。通过施加该编程起始脉冲来执行编程操作。然后，作为编程操作的结果，验证是否已经完成编程。根据另一编程方法，通过施加具有第二脉冲宽度并且已经增加了第二阶跃电压的阶跃形虚编程脉冲来执行编程操作。通过施加具有第一阶跃电压和第一脉冲宽度的编程脉冲来执行编程操作。然后，作为编程操作的结果，验证是否已经完成编程。
非易失性存储器设备进行编程方法

[发明专利]一种部分编程的方法和装置-CN201910399724.0有效
发明人：张晓伟;潘荣华 -专利权人：兆易创新科技集团股份有限公司;西安格易安创集成电路有限公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种部分编程的方法和装置。所述方法包括：接收第一次部分编程操作指令，对对应于第一次部分编程操作指令的存储单元执行第一次编程验证操作，若第一次编程验证通过的存储单元的数量达到目标数量，则记录对应第一次编程验证通过时的编程操加压操作的次数，完成第一次部分编程操作指令对应的部分编程操作，接收第二次部分编程操作指令，根据次数，确定目标电压，对对应于第二次部分编程操作指令的存储单元执行第二次部分编程操作指令对应的编程加压操作。本发明减少了第二次部分编程操作所需的编程循环次数，从而整体上减少了对没有被执行编程操作的存储单元的干扰，提高Nand flash存储器的可靠性。
一种部分编程方法装置

[发明专利]非易失性存储器件的编程方法-CN201710058923.6有效
发明人：张俊锡;郭东勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：公开了一种非易失性存储器件的编程方法，该非易失性存储器件包括耦合到字线的多个多电平单元，该方法包括：执行对所述多个多电平单元中的多比特数据的最低有效位LSB进行编程的LSB编程操作；以及执行对所述多个多电平单元中的多比特数据的最高有效位MSB进行编程的MSB编程操作，MSB编程操作包括MSB预编程操作和MSB主编程操作，MSB预编程操作对所述多个多电平单元当中的、待被编程到多个目标编程状态当中的最高目标编程状态的第一多电平单元进行MSB预编程，MSB主编程操作将所述多个多电平单元编程到与多比特数据相对应的所述多个目标编程状态。
非易失性存储器编程方法

[发明专利]分布式编程操作-CN201811284056.9有效
发明人： R·本-卢比;M·史里克 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明题为“分布式编程操作”。本发明公开了用于分布式编程操作的设备、系统、方法和计算机程序产品。一种设备包括存储器模块，所述存储器模块包括非易失性存储器。这里，所述存储器模块被配置为利用第一数量的编程循环对非易失性存储器的页面进行编程并(例如，向主机)指示所述页面被部分编程。所述存储器模块还被配置为在预定时间之后利用第二数量的编程循环对所述页面进行编程，其中所述存储器模块在所述预定时间期间执行一个或多个其他存储操作，并且所述存储器模块还被配置为(例如，向所述主机)指示所述页面被完全编程
分布式编程操作

[外观设计]儿童编程指令操作垫-CN201930511369.2有效
发明人：王婷 -专利权人：长春市禾众教育科技有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： 19-07 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：儿童编程指令操作垫。;2.本外观设计产品的用途：用作垫子。;3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。;4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
儿童编程指令操作垫

[发明专利]闪存装置及其编程操作的初始化方法-CN201510429168.9有效
发明人：邓才科 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： G11C16/20 文献下载
摘要：闪存装置及其编程操作的初始化方法。编程操作的初始化方法包括：提供递增的多个脉冲编程电压以对闪存的多个存储单元进行多个非遮蔽方案编程操作并依据编程验证电压对存储单元执行对应的编程验证操作；依据编程验证操作的验证结果以获得记录编程电压值；提供递增的多个脉冲读取电压以对存储单元进行多个读取操作；依据读取操作的读取结果来获得记录读取电压值；以及，依据记录编程电压值、记录读取电压值以及编程验证电压的电压值来获得起始编程电压值及编程脉冲电压递增值。
编程操作编程电压存储单元初始化编程验证操作编程验证电压读取操作记录读取闪存装置递增编程脉冲电压读取结果脉冲读取验证结果脉冲记录闪存遮蔽

[发明专利]利用编程定序器的闪存器件和系统，以及编程方法-CN201110145953.3有效
发明人：崔奇焕;李城秀;朴宰佑;朱相炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-06-01 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一种用于非易失性存储器件的编程方法，包括：执行LSB编程操作编程全部LSB逻辑页面，之后执行MSB编程操作编程全部MSB逻辑页面，其中，在LSB编程操作期间，将选择的MLC编程为负中间编程状态。用于LSB和MSB编程操作的编程序列相对于字线的排列次序可以是顺序的或非顺序的。
利用编程定序器闪存器件系统以及方法

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