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[发明专利]一种HfO₂薄膜/HfSiNO界面层/Si衬底栅介质的制备方法-CN201310015631.6有效
发明人：诸葛兰剑;余涛;金成刚;黄天源;吴明智;吴雪梅 -专利权人：苏州大学
申请日： 2013-01-16 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种HfO2薄膜/HfSiNO界面层/Si衬底栅介质的制备方法，包括如下步骤：(a)清洗，在Si衬底上沉积HfO2栅介质薄膜，形成HfO2栅介质薄膜/Si衬底的结构；(b)采用多频电容耦合/电感耦合混合型等离子体放电，在室温下，使HfO2薄膜氮化为HfNO薄膜；得到HfNO薄膜/Si衬底的结构；(c)退火，形成HfO2薄膜/HfSiNO界面层/Si衬底的结构，即可得到HfO2薄膜/HfSiNO本发明采用多频电容耦合（CCP）/电感耦合（ICP）放电技术，在室温下即可实现HfO2薄膜的氮化，与现代半导体工业的兼容性更好，具有积极的现实意义。
一种 hfo sub 薄膜 hfsino 界面 si 衬底介质制备方法

[发明专利]高温场合用催化剂载体及采用该载体的催化剂和催化方法-CN96196015.9无效
发明人： R·王 -专利权人：卡塔鲁逖克公司;田中贵金属工业株式会社
申请日： 1996-07-16 - 公布日： 1998-09-02 - 主分类号： C01B3/26 文献下载
摘要：本发明涉及用于高温催化方法(如催化燃烧)的含HfO2的催化剂载体材料,其中的HfO2含量足以使载体在温度超过1000℃的应用场合具有热稳定性;也涉及采用含HfO2载体材料、负载铂族金属的非均相催化剂以及整块的催化结构,其中,含HfO2载体材料作为活性催化剂材料的基底底涂层。同时还介绍采用含HfO2载体材料的所述催化剂及相应的催化结构的高温催化方法(如催化燃烧)。
高温合用催化剂载体采用催化方法

[发明专利]氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法-CN201610178140.7在审
发明人：刘美华;孙辉;林信南;陈建国 -专利权人：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：该方法包括在硅衬底的表面上依次生长GaN介质层、AlGaN介质层和HfO2介质层；对HfO2介质层进行刻蚀；在露出的AlGaN介质层和剩余的HfO2介质层上表面沉积第一金属层；沿着露出的HfO2介质层的表面的预定区域向下进行干法刻蚀本发明实施例在氮化铝镓AlGaN介质层上表面铺设氧化铪HfO2介质层，利用AlGaN介质层和HfO2介质层介电常数的差距，有效地从半导体表面传输或提取电通量，缓解器件失效，从而减小了逆压电效应。
氮化电子迁移率晶体管制作方法

[发明专利]一种Ta₂O₅/ZnO/HfO₂非对称双异质结发光二极管及其制备方法-CN201310640099.7有效
发明人：方国家;王皓宁;龙浩;李颂战;莫小明;陈昭 -专利权人：武汉大学
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：发明公开了一种Ta2O5/ZnO/HfO2非对称双异质结发光二极管及其制备方法。该发光二极管在衬底自下而上依次为HfO2电子阻挡层、本征ZnO有源层、Ta2O5空穴阻挡层和第一电极，第二电极和HfO2电子阻挡层并列沉积在衬底上。采用Ta2O5作为空穴阻挡层，与HfO2电子阻挡层配合作用将载流子限制在ZnO有源层中，能有效地抑制p-GaN衬底侧的发光、提高ZnO有源层的发光强度。Ta2O5/ZnO/HfO2非对称双异质结发光二极管发光峰值波长在680nm附近，半高宽约为150nm。制备工艺简单、成本低廉，易于实现产业化。
一种 ta sub zno hfo 对称双异质结发二极管及其制备方法

[发明专利]对HfO₂薄膜的高选择性干法刻蚀方法-CN201110206462.5无效
发明人：杨渝书;陈玉文;邱慈云 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种对HfO2薄膜的高选择性干法刻蚀方法，其中，步骤a：在一刻蚀设备内通过BCl3气体和含H元素的气体组成的混合气体对衬底上的HfO2薄膜进行主体刻蚀；步骤b：在所述刻蚀设备内通过BCl3气体和O2气体组成的混合气体对衬底进行过刻蚀。本发明对HfO2薄膜的高选择性干法刻蚀方法解决了现有技术中对于高介电常数材料HfO2选择比较低导致刻蚀终点设定不够精确的问题，采用BCl3气体对HfO2薄膜进行干法刻蚀，具有良好的刻蚀效果，且BCl3气体对硅衬底具有较高的选择比
hfo sub 薄膜选择性刻蚀方法

[发明专利]一种抑制金属栅极高度不对称的工艺方法-CN202010729785.1在审
发明人：陈鹭;邓建宁;何亮亮 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种抑制金属栅极高度不对称的工艺方法，提供由STI区隔离的NMOS区域和PMOS区域的半导体结构；在半导体结构上依次形成层间介质层、HfO2层、掺杂有镁离子的第一TiN层；去除PMOS区域上方的第一TiN层，露出PMOS区域上方的HfO2层表面，沉积掺杂有铝离子的第二TiN层；对第一、第二TiN层退火处理，使第一TiN层中的镁离子扩散进入位于NMOS区域上方的HfO2层中，第二TiN层中的铝离子扩散进入位于PMOS区域上方的HfO2层中；去除第一、第二TiN层，使位于NMOS区域上方掺杂了镁离子的HfO2层与位于PMOS区域上方掺杂了铝离子的HfO2层的高度一致。
一种抑制金属栅极高度不对称工艺方法

[发明专利]一种利用ALD制备栅介质结构的方法-CN201210477230.8有效
发明人：董亚斌;夏洋;李超波;张阳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：所述方法，包括如下步骤：步骤(1)，将衬底放入ALD设备的腔室中；步骤(2)，在所述衬底表面生长单层HfO2；步骤(3)，在所述单层HfO2表面生长单层Al2O3；步骤(4)，重复步骤(2)和步骤(3)，得到HfO2和Al2O3交叠生长的栅介质结构。本发明制备出的HfO2和Al2O3交叠生长的栅介质结构能够充分的实现Hf和Al的原子的结合，以及相互之间的作用，提高栅介质的电学性能。
一种利用 ald 制备介质结构方法

[发明专利]一种W-Y2-CN202211264682.8在审
发明人：罗来马;颜硕;吴玉程;刘东光;昝祥 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： B22F9/22 文献下载
摘要：本发明涉及钨基合金粉末技术领域，公开了一种W‑Y2O3‑HfO2粉体及其制备方法，其采用湿化学法制得前驱体，然后在氢气环境中进行三步还原得到超细晶W‑Y2O3‑HfO2粉末。本发明提出的一种通过化学反应制备的W‑Y2O3‑HfO2复合粉体，其制备工艺成本低，且可以有效减少杂质的混入，并具有批量化制备粉体的能力；所制备的粉体随着HfO2含量的增加，晶粒粒径大小逐渐变小，为纳米晶
一种 base sub

[发明专利]HfO₂/SiO₂溶胶凝胶玻璃全息光栅-CN201010171073.9在审
发明人：谢永军 -专利权人：西安格瑞微纳光电技术有限责任公司
申请日： 2010-05-13 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：一种具有光敏性的HfO2/SiO2溶胶凝胶玻璃制作衍射光栅的方法，其通过改变所述HfO2/SiO2溶胶凝胶玻璃中HfO2和SiO2的比例提高混合体系折射率、抗辐射损伤阀值和热稳定性。用X射线作曝光光源，利用曝光部分与未曝光部分的溶解度差，在所述HfO2/SiO2溶胶凝胶玻璃薄膜上制备衍射光栅。本发明解决了背景技术中工艺复杂、鬼线和杂散光、造价昂贵的问题。
hfo sub sio 溶胶凝胶玻璃全息光栅

[发明专利]一种空间用紫外反射膜的制备方法-CN201510875744.2有效
发明人：孙希鹏;杜永超;肖志斌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所;天津恒电空间电源有限公司
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：：a)预处理玻璃盖片：清洗所述玻璃盖片；b)制备反射膜：通过电子枪热蒸发的方式在所述玻璃盖片的表面沉积所述反射膜，并利用离子源辅助所述反射膜在所述玻璃盖片的表面进行沉积；其中，所述反射膜由高折射率材料HfO2和低折射率材料MgF2复合而成。本发明的有益效果是：加入离子源进行辅助淀积是为了提高HfO2层的成膜质量，提高HfO2淀积粒子的迁移率，增加HfO2膜层聚集密度，填充膜内空隙缺陷。加之，所述反射膜由高折射率材料HfO2和低折射率材料MgF2复合而成，因此这样便可以顺利获得高反射率且光学性良好的反射膜。
一种空间紫外反射制备方法

[发明专利]防蚀双层减反射膜-CN89106212.2无效
发明人：顾培夫;何孟权 -专利权人：浙江大学
申请日： 1989-07-25 - 公布日： 1992-04-01 - 主分类号： G02B1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种防蚀双层减反射膜，其特征是采用HfO2或Y2O3或94-80％重量比的HfO2与6-20％重量比的Y2O3作为高折射率的多层减反射膜。采用本发明可避免与含Pb，Ba，Cd成分的光学玻璃发生化学反应而腐蚀膜层坚硬牢固，光学特性稳定，重复性好，制备工艺简单，容易移植，HfO2，Y2O3材料价廉易于从市场获得。
双层减反射膜

[实用新型]一种具有超低逸出功的阳极-CN201621327743.0有效
发明人：常帅;袁弘渊;黄明柱 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型涉及超低逸出功材料技术领域，具体涉及一种具有超低逸出功的阳极，它包括单晶硅层、HfO2层、单层石墨烯层、附加层；所述单晶硅层的上表面附有一层HfO2层，HfO2层上表面附有长宽5×5mm的单层石墨烯层，单层石墨烯层的上表面镀有一层附加层；所述单晶硅层为高参杂的单晶硅层；所述HfO2层的厚度为20nm；所述单层石墨烯层内参杂有静电；所述附加层为铯元素层或氧元素层，附加层的厚度为一个原子层厚度。
一种具有逸出功阳极

[发明专利]一种具有优异性能的Cu-(Y2-CN202210641797.8有效
发明人：罗来马;孙箫远;吴玉程;马冰;昝祥 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明涉及弥散强化铜合金粉末制备技术领域，公开了一种具有优异性能的Cu‑(Y2O3‑HfO2)的制备方法，包括如下步骤：步骤一、制备球化合金粉；步骤二、制备前驱体粉末；步骤三、机械球磨；步骤四、热分解还原本发明通过等离子球化、反应沉淀以及机械合金化工艺制得Cu‑(Y2O3‑HfO2)复合粉末，可以保证Y2O3和HfO2颗粒在分子水平上混合均匀的特点，弥散颗粒均匀的分散在铜基体中，可以大幅提高铜合金的硬度，达到120‑130HV，又能保证材料的强度和韧性，同时HfO2颗粒的加入又可以提高铜合金的再结晶温度，使得铜合金的综合性能更加优异。
一种具有优异性能 cu base sub

[发明专利]一种具有超低逸出功的阳极及其制备方法-CN201611101467.0在审
发明人：常帅;袁弘渊;黄明柱 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及超低逸出功材料技术领域，具体涉及一种具有超低逸出功的阳极及其制备方法，其特征在于具有超低逸出功的阳极包括单晶硅层、HfO2层、单层石墨烯层、附加层；所述单晶硅层的上表面附有一层HfO2层，HfO2层上表面附有长宽5×5mm的单层石墨烯层，单层石墨烯层的上表面镀有一层附加层；所述单晶硅层为高参杂的单晶硅层；所述HfO2层的厚度为20nm；所述单层石墨烯层内参杂有静电；所述附加层为铯元素层或氧元素层
一种具有逸出功阳极及其制备方法

[发明专利]一种HfO2基铁电材料的使用方法-CN201611033497.2在审
发明人：毕磊;黄飞;王艳 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件及空间技术应用领域，特别涉及一种HfO2基铁电材料的使用方法。本发明提供了的HfO2基铁电材料使用方法，基于HfO2基铁电材料具有极强的抗辐照能力，在辐照环境下可以保证器件长时间的正常运行。因此可应用于核工业、航天以及核医疗业此类高辐射环境的极端工作环境。
一种 hfo2 基铁电材料使用方法

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