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[发明专利]一种平面串联耐高压二极管及其制备方法-CN201911344891.1有效
发明人：梁存宝;杜永超;铁剑锐;王鑫;孙希鹏;李晓东 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所;天津恒电空间电源有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种平面串联耐高压二极管及其制备方法，所述二极管包括：衬底、浅磷扩散层、深硼扩散层、深磷扩散层、氧化隔离层、电极层和电极焊点。本申请提供的一种平面串联耐高压二极管及其制备方法，采用了Si(i)本征材料，增大了底部电阻，降低了结区外的漏电的发生，降低二极管的反向漏电流；并使用了磷隔离环的设计，减小了二极管边缘漏电，也起到了降低了二极管的反向漏电流的作用；在避免互连电极与二极管短路方面，采用了氧化隔离技术设计；结构设计中，每个单体二极管采用了大面积PN区，降低了二极管的正向导通电阻；通过串联结构将2个或多个二极管首尾连接，增大了反向结区电阻，起到了器件反向高耐压的效果。
一种平面串联高压二极管及其制备方法

[发明专利]一种柔性砷化镓太阳电池粘接临时衬底及分离电池的方法-CN202211650638.0在审
发明人：李晓东;程保义;铁剑锐;孙希鹏;杜永超;许军;李昂;肖志斌 -专利权人：中电科蓝天科技股份有限公司;天津恒电空间电源有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性砷化镓太阳电池粘接临时衬底及分离电池的方法，属于半导体制造技术领域，其特征在于，包括：S1、采用电镀法完成外延片支撑衬底制备；S2、在外延片支撑衬底上粘接胶带，胶带基材厚度大于30μm；S3、在胶带上涂敷粘接胶水；S4、将胶带涂胶面与刚性衬底粘接并固化粘接胶水，粘接时应采用真空粘接；S5、继续进行电池器件制备；S6、进行切割操作，切割要求是切断电池部分，保留粘接胶带部分；S7、采用线切割或者切刀方式，将连带有柔性砷化镓太阳电池器件的粘接胶带与支撑衬底分离；S8、采用物理或者化学方法将粘接胶带与电池器件分离。通过采用上述技术方案，本发明能够提高柔性砷化镓太阳电池分离的效率。
一种柔性砷化镓太阳电池临时衬底分离电池方法

[发明专利]一种丝网印刷工艺图形的制备方法-CN202211650766.5在审
发明人：王鑫;程保义;肖志斌;李晓东;铁剑锐;杜永超;孙希鹏;梁存宝 -专利权人：中电科蓝天科技股份有限公司;天津恒电空间电源有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种丝网印刷工艺图形的制备方法，属于半导体制备技术领域，其特征在于，包括：S1、将晶圆放置在样品台上，对晶圆进行定位；S2、网板印刷：对待制备图形的晶圆进行网板印刷；S3、胶体固化：将涂有工艺胶体的晶圆进行胶体固化；S4、去胶：对晶圆进行去胶。本发明采用丝网印刷法可以进行自动或手动进行图形制备，无需光刻机，最大程度降低了生产成本；本发明丝网印刷的方法进行图形制备，对晶圆的粗糙度要求相对较低，可以在非抛光的晶圆表面进行图形制备；本发明相较金属板掩膜的方法，能够制备图形的线条更细，可以制备封闭图形，无需定期进行清洁处理，不会随着使用而变形造成沉积金属绕射等问题。
一种丝网印刷工艺图形制备方法

[发明专利]一种远距无线传能高压激光电池的阵列结构及制作工艺-CN202211650663.9在审
发明人：梁存宝;程保义;李晓东;杜永超;铁剑锐;王鑫;孙希鹏 -专利权人：中电科蓝天科技股份有限公司;天津恒电空间电源有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/0443 文献下载
摘要：本发明公开了一种远距无线传能高压激光电池的阵列结构及制作工艺，属于物理电源技术领域，单元电池包括本征GaAs衬底，本征GaAs衬底上设有隔离槽、子电池和旁路二极管；子电池包括p‑GaAs反结层、i‑GaAs非掺杂层、n‑GaAs缓冲层、n‑InGaP停止层、n‑GaAs基区层和子电池下电极；n‑GaAs基区层包括p‑GaAs发射层、p‑InGaP窗口层、p‑GaAs重掺层；旁路二极管包括p‑GaAs反结层、i‑GaAs非掺杂层、n‑GaAs缓冲层、n‑InGaP停止层、p‑InGaP停止层；子电池上电极与旁路二极管上电极的PN结相反，子电池下电极与旁路二极管下电极的PN结相反。
一种无线高压激光电池阵列结构制作工艺

[发明专利]一种掩膜法蒸镀柔性砷化镓太阳电池减反射膜的方法-CN202211650636.1在审
发明人：李晓东;程保义;铁剑锐;梁爽;欧伟;杜永超;肖志斌;李昂 -专利权人：中电科蓝天科技股份有限公司;天津恒电空间电源有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩膜法蒸镀柔性砷化镓太阳电池减反射膜的方法，属于半导体制造技术领域，其特征在于，包括：S1、采用器件工艺，使得太阳电池达到待蒸镀减反射膜的状态；S2、将掩膜材料与焊点粘接；S3、进行真空环境下的减反射膜蒸镀；S4、从真空室内取出太阳电池；S5、通过有机溶剂溶解或热解或光解解除掩膜材料与焊点的连接；S6、若采用热解或者光解法解除掩膜材料与焊点的连接，掩膜材料继续用机器吸盘移除；S7、获得焊点处无减反射膜的电池晶圆。通过采用上述技术方案，本发明能够缩减柔性砷化镓太阳电池工艺中光刻次数，提高生产效率。
一种掩膜法蒸镀柔性砷化镓太阳电池减反射膜方法

[发明专利]一种适用于自动化布阵的空间用太阳电池及其制备方法-CN202211650666.2在审
发明人：铁剑锐;程保义;李晓东;杜永超;孙希鹏;王鑫;梁存宝 -专利权人：中电科蓝天科技股份有限公司;天津恒电空间电源有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于自动化布阵的空间用太阳电池及其制备方法，属于空间电源技术领域，其特征在于，包括：S1、腐蚀下电极焊接区域；具体为：S101、在MOCVD中生长外延层得到锗基外延片；S102、在下电极焊接区域光刻出下电极焊接区域的图形；S2、蒸镀上电极和下电极焊接区域：在受光面进行套刻，制备金属电极；S3、蒸镀下电极：受光面涂胶保护，不受光面采用腐蚀液将锗腐蚀，将腐蚀面朝向蒸发源装入镀膜机中，真空蒸镀金属电极；金属电极的厚度为30nm～5000nm；S4、划片、蒸镀减反射膜：首先将外延片进行划片得到电池，然后腐蚀CAP层，在电池入光面蒸镀TiOx/Al2O3膜系。
一种适用于自动化布阵空间太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种空间太阳电池用柔性封装薄膜及其制备方法-CN202211650775.4在审
发明人：孙希鹏;程保义;李晓东;杜永超;铁剑锐;王鑫;梁存宝 -专利权人：中电科蓝天科技股份有限公司;天津恒电空间电源有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明公开了一种空间太阳电池用柔性封装薄膜及其制备方法，属于太阳电池技术领域，其特征是，包括ETFE薄膜，在所述ETFE薄膜的上表面依次交替沉积如下结构的SiO2膜层和TiOx膜层：│0.12S，0.03T，0.14S，0.10T，0.08S，0.14T，0.09S，0.08T，0.27S│；其中：S代表参考波长下1/4光学厚度的SiO2膜层，S前的系数代表在膜层厚度基础上的系数调整；T代表参考波长下1/4光学厚度的TiOx膜层，x范围为1.5～2，T前的系数代表在膜层厚度基础上的系数调整。本发明在确保柔性砷化镓太阳电池的在轨效率的前提下，提升了柔性太阳电池阵的在轨工作寿命。
一种空间太阳电池柔性封装薄膜及其制备方法

[发明专利]一种空间三结砷化镓太阳电池用三层减反射膜及其制备方法-CN202011328250.X有效
发明人：孙希鹏;李晓东;杜永超;铁剑锐;梁存宝;王鑫;肖志斌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所;天津恒电空间电源有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种空间三结砷化镓太阳电池用三层减反射膜及其制备方法，所述三层减反射膜包括：钛的氧化物薄膜、二氧化铪薄膜和三氧化二铝薄膜，其中，所述钛的氧化物薄膜、所述二氧化铪薄膜和所述三氧化二铝薄膜从下至上依次堆叠设置于所述空间三结砷化镓太阳电池上。本发明提供的一种空间三结砷化镓太阳电池用三层减反射膜及其制备方法，三层减反射膜与盖片胶的折射率相匹配，能够减少太阳电池组合成CIC组件后的反射损失；经过对样品进行实际测量，在320nm～400nm波段内三层减反射膜太阳电池CIC组件的平均反射率可比双层减反射膜太阳电池CIC组件降低3.80％，从而有效增加了CIC组件的转换效率；Al2O3、HfO2和Ti2O3均为空间环境中常用的膜层材料，具有良好的空间环境耐受性。
一种空间三结砷化镓太阳电池三层减反射膜及其制备方法

[发明专利]一种空间太阳电池用激光防护玻璃盖片及其制备方法-CN202011328209.2有效
发明人：孙希鹏;李晓东;杜永超;铁剑锐;梁存宝;王鑫;肖志斌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所;天津恒电空间电源有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：一种空间太阳电池用激光防护玻璃盖片及其制备方法，所述激光防护玻璃盖片的膜层结构为G│0.52M 0.92H(MH)*n 0.88M 0.84H 0.48L│A，其中，G表示抗辐照玻璃盖片，M表示Al2O3膜层，H表示HfO2膜层，L表示MgF2膜层，A表示空气，n为正整数。本申请提供的一种空间太阳电池用激光防护玻璃盖片及其制备方法中的激光防护玻璃盖片在400nm～900nm范围内具有较高的透射率，能够满足三结砷化镓太阳电池顶结子电池和中间结子电池的电流输出；按照设计要求选择不同周期的膜层结构，可以实现对1064nm激光不同的反射效果；由于反射峰的半高宽小于200nm，使得三结砷化镓太阳电池的底结子电池电流衰减较小，不会明显降低电池的输出效率。
一种空间太阳电池激光防护玻璃及其制备方法

[发明专利]一种空间用柔性砷化镓太阳电池制备方法-CN202011450238.6有效
发明人：铁剑锐;李晓东;肖志斌;杜永超;许军;孙希鹏;梁存宝;王鑫 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所;天津恒电空间电源有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种空间用柔性砷化镓太阳电池制备方法，包括：在外延片背面蒸镀下电极，在受光面光刻出开槽区域，在绝缘区域上制备绝缘层，光刻出上下电极焊点，蒸镀上电极；再蒸镀减反射膜，光刻出焊点区域，去除焊点区域的减反射膜，最终划片得到空间用柔性砷化镓太阳电池。本发明的有益效果是有效的解决柔性砷化镓太阳电池在焊接时会出现短路问题，若焊接工艺采用地面常用的导电胶粘接工艺，电池焊接的可靠性又远低于阻熔焊的问题。
一种空间柔性砷化镓太阳电池制备方法

[发明专利]一种空间用柔性砷化镓太阳电池及制备方法-CN202111552062.X在审
发明人：铁剑锐;李晓东;许军;杜永超;肖志斌;孙希鹏;王鑫;梁存宝 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所;天津恒电空间电源有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种空间用柔性砷化镓太阳电池及制备方法，属于太阳电池技术领域，其特征在于，至少包括：S1、制备下电极种子层金属；在MOCVD中生长外延层得到外延片，在外延片背表面蒸镀金属电极，S2、制备支撑金属电极；S3、粘接临时衬底；S4、去除衬底；S5、蒸镀上电极；S6、腐蚀隔离槽；S7、蒸镀减反射膜；S8、腐蚀焊点处减反射膜；S9、划片；将所述外延片放入自动划片机中或者激光划片机上，受光面朝上，对准划片标记，开始划片，将外延片划成所需的电池，去除临时衬底。本发明适用于一次湿法腐蚀到底的隔离槽腐蚀工艺，空间用柔性砷化镓电池的背电极设计，多个上电极和下电极焊点在同一面，利于后续组合焊接。
一种空间柔性砷化镓太阳电池制备方法

[发明专利]一种空间用ITO玻璃盖片及制备方法-CN201911266084.2有效
发明人：王鑫;杜永超;欧伟;赵颖 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所;天津恒电空间电源有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L31/041 文献下载
摘要：本发明涉及一种空间用ITO玻璃盖片及制备方法，属于空间电源技术领域，所述空间用ITO玻璃盖片包括玻璃盖片，在所述玻璃盖片上表面依次蒸镀氟化镁膜、ITO膜和金属电极，其中电极采用多层金属钛钯银结构；金属电极包括两个电极主焊点、与电极主焊点相连，且相互平行的两条横向汇流带、与横向汇流带垂直的多条纵向支流带；每条纵向支流带的一端与任一条横向汇流带连接，每条纵向支流带的另一端悬空。本发明采用该电极设计后，对ITO膜层导电能力的要求大幅降低，使得ITO膜层的厚度可以降低，盖片的透过率提高，太阳电池的转换效率更高。增加了盖片上电荷的导出通道，提高了玻璃盖片应用于空间复杂环境中的可靠性。
一种空间 ito 玻璃制备方法

[发明专利]一种砷化镓太阳电池镍锗银电极的制备方法-CN202111580055.0在审
发明人：王鑫;肖志斌;杜永超;李晓东;许军;梁存宝 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所;天津恒电空间电源有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开一种砷化镓太阳电池镍锗银电极的制备方法，通过电镀法或化学镀法制备镍层，通过蒸镀法或磁控溅射法制备锗层和部分银层，再通过电镀法进行银层加厚。制备镍锗银电极，其中镍层和锗层分别采用不同的制备方法，将电镀工艺和蒸镀工艺结合，最大程度降低了生产成本，同时保证了镍层的品质，避免真空蒸镀法中镍和坩埚套共熔的现象，还可以避免磁控溅射法中金属镍对其他腔体的污染的问题；另外本发明通过电镀工艺或化学镀制备镍层，最大限度的利用了金属材料，减少了金属材料的浪费；电镀工艺设备简单，维护成本低，规模化生产成本低，化学品的排放量很少；电镀可以批量同步生产，工时更短。
一种砷化镓太阳电池镍锗银电极制备方法

[发明专利]一种晶圆电镀用的等电势装置、晶圆电镀装置及电镀方法-CN202111457957.5在审
发明人：李晓东;杜永超;铁剑锐;孙希鹏;王鑫;梁存宝;许军;肖志斌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所;天津恒电空间电源有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C25D5/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆电镀用的等电势装置、晶圆电镀装置及电镀方法，属于半导体制造技术领域，该晶圆用于制备柔性砷化镓太阳电池，其特征在于，至少包括：不与电镀液发生化学反应，导电材料制成的背板；将晶圆固定于背板上的导电胶带；与所述背板连接的外接引线；其中：所述背板的上表面大于晶圆的上表面。通过采用上述技术方案，本发明能够提高晶圆电镀均匀性，尤其是提高晶圆整面电镀均匀性。本发明能够消除晶圆电镀易产生的边缘效应，实现电镀厚度偏差小于5％的一般性要求，成本低廉，适合产业化生产。
一种电镀电势装置方法

[发明专利]一种与空间电池匹配的ITO玻璃盖片及其制备方法-CN201911344872.9有效
发明人：王鑫;杜永超;铁剑锐;欧伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所;天津恒电空间电源有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种与空间电池匹配的ITO玻璃盖片及其制备方法，所述方法包括步骤：S1：玻璃盖片的清洗；S2：氟化镁膜层和ITO膜层的蒸镀；S3：玻璃盖片的光刻；S4：电极的蒸镀；S5：退火处理。本发明通过设计与栅线形状相同的横向栅极和纵向栅极，可以增加玻璃盖片上电荷导出的通路，使得电荷流经ITO膜到金属电极的平均路径大幅缩短；金属电极上的主栅侧横向栅线和纵向栅线与空间电池上的栅线完全重合，仅主栅对侧横向栅线对电池受光面产生新的遮挡，但是经计算其面积仅为玻璃盖片总面积的万分之二左右，影响完全可以忽略不计；采用此栅线设计后对ITO膜层导电能力的要求大幅降低，使得ITO膜层的厚度可以降低，ITO膜层对可见光的吸收减少，太阳电池组件的光电转换效率也会因此提高。
一种空间电池匹配 ito 玻璃及其制备方法

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