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[发明专利]高性能半导体器件及其形成方法-CN200910243851.8有效
发明人：尹海洲;骆志炯;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，所述方法采用了先对源/漏极区进行热退火再进行反转Halo离子注入以形成反转Halo离子注入区的方式，通过先去除所述伪栅极，暴露所述栅极介质层以形成开口；而后从所述开口对衬底进行反转Halo离子注入，以在器件的沟道中形成反转Halo离子注入区；而后进行退火，以激活反转Halo离子注入区的掺杂；最后根据制造工艺的要求对器件进行后续加工。通过本发明能够避免反转Halo离子注入对栅堆叠的劣化，使得反转Halo离子注入能够应用于金属栅堆叠器件中，同时能够很好地降低和控制短沟道效应，从而提高器件性能。
性能半导体器件及其形成方法

[发明专利]高性能半导体器件及其形成方法-CN200910242097.6无效
发明人：尹海洲;骆志炯;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，所述方法采用了先对源/漏极区进行热退火再进行Halo离子注入以形成Halo离子注入区的方式，通过先去除所述伪栅极，暴露所述栅极介质层以形成开口；而后从所述开口对衬底进行斜角度Halo离子注入，以在器件的沟道两侧形成Halo离子注入区；而后进行退火，以激活Halo离子注入区的杂质；最后根据制造工艺的要求对器件进行后续加工。通过本发明能够减少将Halo离子注入区的掺杂剂不当地引入源极区和漏极区，进而减少Halo离子注入区与源/漏极区的掺杂区的重叠，避免增加MOSFET器件中的带-带泄漏电流，从而提高器件性能。
性能半导体器件及其形成方法

[发明专利]高压LDMOS器件的工艺方法-CN201510646849.0在审
发明人：钱文生 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-10-09 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压LDMOS器件的工艺方法，针对非对称高压LDMOS，基于BCD工艺下在源端进行Halo离子注入，源端的LDD和Halo离子注入能与低压CMOS器件的LDD和Halo离子注入同时进行，在实施LDMOS的源端LDD和Halo离子注入时，利用光刻胶遮挡部分栅和全部漂移区和漏极部分，利用源端多晶硅栅自对准进行LDD和Halo离子注入，Halo注入剂量应比沟道掺杂高一个数量级，以保证降低DIBL
高压 ldmos 器件工艺方法

[发明专利]MOS器件及其制备方法-CN202211086776.0在审
发明人：许昭昭 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种MOS器件及其制备方法，其中制备方法包括：提供第一基底、埋型氧化层和第二基底；形成栅极结构；执行离子注入工艺以形成halo区，其中，栅极结构往第二基底所在的平面上的水平投影与halo区存在交叠本申请在形成栅极结构之后，直接进行Halo注入；形成保护氧化层和第一侧墙后再LDD注入。通过保护氧化层和第一侧墙将LDD注入和Halo注入分开，使得halo区与阱区的交界位置到LDD区与halo区的交界位置的间距更大，可以降低LDD/halo结的梯度，从而降低结中的电场，降低GIDL电流。
mos 器件及其制备方法

[发明专利]一种抗辐照的Halo结构MOS器件及其制备方法-CN201010128005.4有效
发明人：黄德涛;刘文;王思浩;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-03-16 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗辐照的Halo结构MOS器件及其制备方法，所述Halo结构MOS器件包括衬底、源区、漏区、栅氧化层、栅极和栅侧墙，源漏之间、沟道区的两侧为浅掺杂注入区，在浅掺杂注入区的近沟道端包围有重掺杂的Halo区，其特征在于，通过控制Halo注入的角度、剂量和能量，使所述Halo区的掺杂浓度为4×1018cm-3～1×1019cm-3，半径为30～50纳米。本发明通过优化Halo结构器件的参数，使器件在短沟道特性满足常规应用的情况下增强了抗总剂量辐照性能，有利于提高应用于空间环境中的集成电路芯片的可靠性和寿命。
一种辐照 halo 结构 mos 器件及其制备方法

[发明专利]一种Halo结构的形成方法-CN201110090453.4无效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-04-12 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种Halo结构的形成方法，可用于形成65nm及以下技术节点的超浅结MOS器件，通过大角度倾斜方式的第一类离子LDD Halo注入结合小角度倾斜方式的第二类离子LDD Halo注入，来取代传统的磷离子LDD Halo注入，有效降低了阈值漂移，能有效降低结电容和结漏电，抑制SCE和DIBI效应，提高了MOS器件的电学特性。
一种 halo 结构形成方法

[发明专利]一种SRAM存储器及其制备方法-CN201310099850.7有效
发明人：李勇;陶佳佳;居建华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-03-26 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L21/8244 文献下载
摘要：本发明涉及一种SRAM存储器及其制备方法，所述方法包括提供半导体衬底；对所述半导体衬底上的下拉晶体管进行halo/LDD离子注入；对所述半导体衬底上的上拉晶体管进行halo/LDD离子注入；对所述半导体衬底上的核心区的PMOS区域进行halo/LDD离子注入；对所述半导体衬底上的核心区的NMOS区域进行halo/LDD离子注入；对所述半导体衬底上的输入输出区的PMOS区域进行halo/LDD离子注入；对所述半导体衬底上的输入输出区的NMOS区域进行halo/LDD离子注入。本发明所述方法改变现有技术中的常规离子注入顺序，SRAM器件在形成栅极结构之后，对栅刻蚀损伤进行修复，然后立即执行PD halo/LDD离子注入的步骤，PD器件经历了最少光刻胶的灰化和湿法剥离工艺，PD
一种 sram 存储器及其制备方法

[发明专利]一种三脉冲地月L2点Halo轨道的捕获方法-CN201910194284.5有效
发明人：于登云;周文艳;高珊;梁伟光;张磊;孟占峰;刘德成;张相宇;张熇 -专利权人：北京空间飞行器总体设计部
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： B64G1/24 文献下载
摘要：本发明为一种三脉冲地月L2点Halo轨道的捕获方法，具体过程为：首先根据轨道特性计算进入地月L2点Lissajous轨道的近月点脉冲，然后给定两次捕获脉冲的位置和Halo进入点位置，采用状态转移矩阵修正初始状态的方法求解Halo轨道第一次捕获脉冲，第二次捕获位置上Halo轨道所需的速度减去轨道运行到第二次捕获位置时的速度求得第二次捕获脉冲，最后根据工程约束，调整两次捕获脉冲的位置，计算Halo轨道不同相位点进入所需要的两次脉冲量该策略采用三脉冲对Halo轨道捕获策略进行优化，不仅满足工程中的多约束需求，节省了速度增量，而且适用范围广。
一种脉冲 l2 halo 轨道捕获方法

[发明专利]考虑时间约束的平衡点Halo轨道调相轨道转移方法-CN201710005785.5有效
发明人：唐玉华;李翔宇;吴伟仁;乔栋;孙超 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2017-01-04 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： B64G1/24 文献下载
摘要：本发明公开的一种考虑时间约束的平衡点Halo轨道调相轨道转移方法，涉及一种基于地月三体动力学模型的Halo轨道调相轨道转移方法，属于航空航天技术领域。本发明通过在地‑月‑星构成的限制性三体模型下建立动力学方程，在地月旋转系下生成L2点附近的Halo轨道。确定探测器的Halo轨道初始相位以及所需改变的相位差，将初始停泊时间和转移时间作为优化变量，利用优化算法获得满足相位约束和转移时间约束的燃料最优调相轨道。根据探测器需完成的任务，调整时间差△t、任务Halo轨道或转移时间上限t
考虑时间约束平衡点 halo 轨道调相转移方法

[实用新型]一种halo架病号服-CN202020773935.4有效
发明人：周序玲;王鹏;蓝茹;李秋青;黄月娇;吕玉玲 -专利权人：中山大学附属第八医院（深圳福田）
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： A41D13/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种halo架病号服，包括开襟式上衣，开襟式上衣包括前身左片、前身右片、后身左片和后身右片，前身左片与后身左片连接形成左半身，前身右片与后身右片连接形成右半身；前身左片与前身右片上分别设有第一衣扣结构，并通过第一衣扣结构连接；后身左片与后身右片上分别设有第二衣扣结构，并通过第二衣扣结构连接，本实用新型提供的halo架病号服便于佩戴halo架的患者更换，当患者佩戴着halo架时，仅需将左半身与右半身分别从患者两条手臂处穿入，并分别将左半身与右半身分别穿过患者身上的halo架，再通过第一衣扣结构与第二衣扣结构分别将左半身与右半身扣起来即可完成病号服的穿戴，实现了患者无需脱卸halo架即可完成贴身衣物的更换。
一种 halo 病号

[发明专利]低压CMOS器件及其制备方法-CN202310735979.6在审
发明人：许昭昭 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本申请提供一种低压CMOS器件及其制备方法，其中制备方法包括：提供一衬底，衬底中形成有浅沟槽隔离结构，衬底上形成有栅极结构；以图案化的光刻胶层为掩膜，对衬底进行至少三次离子注入，以分别形成LDD区、Halo本申请通过将阱区注入、LDD区注入、Halo区注入的光罩合并成一张，并且在形成栅极结构之后分别进行阱区注入、LDD区注入和Halo区注入，使得LDD区和Halo区注入到整个阱区注入的区域，这样可以节省两张光罩，简化了引入Halo/Pocket注入技术的低压CMOS器件制备工艺的流程，降低了制造成本。
低压 cmos 器件及其制备方法

[发明专利]考虑振幅约束的一种Halo轨道在轨保持方法-CN201611103467.4有效
发明人：唐玉华;孙超;吴伟仁;乔栋;李翔宇 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明是一种考虑振幅约束的Halo轨道在轨保持方法，属于航空航天技术领域。本发明通过在两个主天体和探测器构成的限制性三体模型下建立动力学方程，确定两个主天体和探测器构成的三体系统平衡点位置。确定大小天体和探测器构成的三体系统下平衡点附近的Halo轨道。根据扰动变量设计Halo轨道保持的微分修正算法。根据微分修正算法设计Halo轨道在轨保持策略。在真实星历环境下，考虑测量误差和执行误差，按照所述的轨道保持策略采用微分修正算法得到每次轨道修正的速度增量，按照速度增量进行轨道修正控制，可以实现满足振幅约束的Halo轨道在轨保持，同时尽可能降低轨道保持所需的燃料消耗
考虑振幅约束一种 halo 轨道保持方法

[发明专利]鉴定移植物排斥的标志物的方法-CN202180058047.1在审
发明人： S·克里什纳库马尔;M·李;P·帕尔斯加德;M·N·明德里诺斯 -专利权人：西罗纳基因组有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C12Q1/6827 文献下载
摘要：在一些实施方案中，该链中的每一个以5’至3’方向包含，a)第一靶杂交序列，b)第一数字标签序列，c)第一Halo条形码序列，d)第一Halo扩增引物序列，e)反向第二Halo扩增引物序列，f)反向第二Halo
鉴定移植排斥标志方法

[发明专利]一种调整SRAM Beta比例的方法-CN202110330232.3在审
发明人：景旭斌 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L21/8244 文献下载
摘要：本发明提供一种调整SRAM Beta比例的方法，提供基底，在基底上形成多个相互间隔的多晶硅结构；在相邻的多晶硅结构之间的基底中以斜角注入Halo，在多晶硅结构两侧的基底中形成Halo注入区；同时在Halo注入区上方的所述基底中形成LDD区；在多晶硅结构两侧的基底中分别形成源漏极；源漏极较所述Halo注入区和LDD区远离多晶硅结构。本发明从优化SRAM本身性能出发，不通过外围电路，不增加额外光罩，利用注入阴影效应，通过引入大倾斜角halo注入，改变两个SRAM器件对多晶硅CD的器件速度敏感系数，利用不同值的敏感系数，实现对SRAM
一种调整 sram beta 比例方法

[发明专利]一种用于深度经颅磁刺激的交叉型线圈-CN202111559815.X在审
发明人：熊慧;李青宇;刘近贞 -专利权人：天津工业大学
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： A61N2/04 文献下载
摘要：本发明提出一种用于提高刺激深度的交叉型经颅磁刺激线圈，该线圈由8字形线圈和Halo线圈共同组成，Halo线圈环绕8字形线圈的短轴，其上边界始终在8字形线圈中心的上方。8字形线圈的两部分分别通入相反方向的电流，用于产生聚焦磁场，Halo线圈上边界的电流方向与8字形线圈相切处电流方向一致，提供刺激深度优势。本发明通过改变Halo线圈与8字形线圈之间的夹角和距离，来改变Halo线圈对8字形线圈的作用影响，从而权衡交叉型线圈的聚焦性与刺激深度之间的变化关系。
一种用于深度经颅磁刺激交叉线圈

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